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Wafer SiC de 4 pulgadas 12 pulgadas 4H tipo N Tipo Semi grado de producción grado de investigación grado de simulacro DSP personalización
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | Entre 2 y 4 semanas |
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| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| impureza: | Impureza libre/baja | Resistencia: | Resistencia alta-baja |
|---|---|---|---|
| Arco/deformación: | ≤ 50 mm | El tipo: | 4 horas |
| TTV: | ≤2um | Grado: | Maniquí de la investigación de la producción |
| La superficie es plana: | Lambda/10 | El material: | Carburo de silicio |
| Es el día.: | 12inch | ||
| Resaltar: | Wafer de 4H de SiC,Wafer SiC de 4 pulgadas,Wafer SiC de grado de investigación |
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Descripción de producto
Wafer SiC de 4 pulgadas 12 pulgadas 4H tipo N Tipo Semi grado de producción grado de investigación grado de simulacro DSP personalización
Descripción del producto de las12 pulgadasWafer de SiC:
The rapid development of first-generation and second-generation semiconductor materials represented by silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) has propelled the swift advancement of microelectronics and optoelectronics technologiesSin embargo, debido a las limitaciones en el rendimiento del material, los dispositivos fabricados con estos materiales semiconductores funcionan generalmente en ambientes inferiores a 200 °C.que no cumplen con los requisitos de la electrónica moderna para la alta temperaturaPor el contrario, los dispositivos de alta frecuencia, de alto voltaje y resistentes a la radiación no pueden utilizarse en el mercado.Oferta de carburo de silicio, en particularWafers de SiC de 12 pulgadasyWaferas de SiC de 300 mmLa adopción de un sistema de control de la calidad de los materiales, que permite un rendimiento confiable en condiciones extremas, ofrece propiedades materiales superiores.plaquetas de SiC de gran diámetroEl objetivo de este proyecto es acelerar la innovación en electrónica avanzada, proporcionando soluciones que superen las limitaciones del Si y GaAs.
El personajede las12 pulgadasWafer de SiC:
1Amplia banda:
Las obleas de carburo de silicio de 12 pulgadas SiC 300 tienen un amplio intervalo de banda, que generalmente oscila entre 2,3 y 3,3 electrónvoltios, más alto que el del silicio.Esta amplia banda permite que los dispositivos de obleas de carburo de silicio funcionen de manera estable en aplicaciones de alta temperatura y alta potencia y muestren una alta movilidad de electrones.
2. Alta conductividad térmica:
Wafers de carburo de silicio de 12 pulgadas La conductividad térmica de las obleas de carburo de silicio es aproximadamente tres veces mayor que la del silicio, alcanzando hasta 480 W/mK. Esta alta conductividad térmica permite el carburo de silicio.Dispositivos de obleas para disipar el calor rápidamente, por lo que son adecuados para los requisitos de gestión térmica de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia.
3Campo eléctrico de alta ruptura:
Wafers de carburo de silicio de 12 pulgadas tienen un campo eléctrico de degradación elevado, significativamente superior al del silicio, lo que significa que, en las mismas condiciones del campo eléctrico, las obleas de carburo de silicio pueden soportar voltajes más altos,contribuyen al aumento de la densidad de potencia en los dispositivos electrónicos.
4Corriente de baja fuga:
Debido a las características estructurales de las obleas de carburo de silicio, presentan corrientes de fuga muy bajas,haciendo que sean adecuados para aplicaciones en ambientes de alta temperatura donde existan requisitos estrictos para la corriente de fuga.
Tabla de parámetros de una oblea de SiC de 4 pulgadas y 12 pulgadas:
| Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de imitación | |
| Diámetro | 100.0 mm +/- 0,5 mm300.0 mm +/- 0,5 mm | |||
| El grosor | 4H-N | 350 mm +/- 20 mm | 350 mm +/- 25 mm | |
| 4H-SI | 1000 mm +/- 50 mm | 500 mm +/- 25 mm | ||
| Orientación de la oblea | En el eje: <0001> +/- 0,5 grados para 4H-SI | |||
| Fuera del eje: 4,0 grados hacia <11-20> +/-0,5 grados para 4H-N | ||||
| Resistencia eléctrica | 4H-N | 0.015 ~ 0.025 | 0.015 ~ 0.028 | |
| (Ohm-cm) | 4H-SI | > 1E9 | > 1E5 | |
| Orientación plana primaria | {10-10} +/- 5,0 grados | |||
| Duración plana primaria | 32.5 mm +/- 2,0 mm | |||
| Duración plana secundaria | 18.0 mm +/- 2,0 mm | |||
| Orientación plana secundaria | Silicio hacia arriba: 90 grados CW desde el plano primario +/- 5,0 grados | |||
| Exclusión de los bordes | 3 mm | |||
| LTV/TTV/Bow/Warp |
3um /5um /15um /30um/50um |
10um /15um /25um /40um/50um |
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| La rugosidad de la superficie | Polish Ra < 1 nm en la cara C | |||
| CMP Ra < 0,2 nm | Ra < 0,5 nm | |||
| Las grietas inspeccionadas con luz de alta intensidad | No hay | No hay | 1 permitido, 2 mm | |
| Placas hexagonales inspeccionadas con luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1 % | ||
| Áreas de politipo inspeccionadas con luz de alta intensidad | No hay | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |
| Rasguños inspeccionados con luz de alta intensidad | No hay | No hay | Duración acumulada ≤ 1x diámetro de la oblea | |
| Frotamiento de los bordes | No hay | No hay | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |
| Contaminación de la superficie inspeccionada por luz de alta intensidad | No hay | |||
Foto física de una oblea de SiC de 4 pulgadas y 12 pulgadas:
Aplicaciones de las obleas de SiC:
1En el campo de la electrónica, las obleas de carburo de silicio se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores.puede utilizarse en la producción de alta potencia, dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta temperatura, como transistores de potencia, transistores de efecto de campo de RF y dispositivos electrónicos de alta temperatura.Las obleas de carburo de silicio también se pueden utilizar en la fabricación de dispositivos ópticos como los LED., diodos láser y células solares. La oblea de carburo de silicio (SiC) de 4 pulgadas y 12 pulgadas se utiliza para vehículos híbridos y eléctricos y generación de energía verde.
2En el campo de las aplicaciones térmicas, las obleas de carburo de silicio también se utilizan ampliamente.puede utilizarse en la producción de materiales cerámicos de alta temperatura.
3En el campo de la óptica, las obleas de carburo de silicio también tienen amplias aplicaciones.puede utilizarse en la fabricación de dispositivos ópticosAdemás, las obleas de carburo de silicio también se pueden utilizar en la producción de componentes ópticos como ventanas ópticas.
Imagen de la aplicación de una oblea de SiC:
Preguntas frecuentes:
R: Nuestros diámetros de obleas estándar varían de 25,4 mm a 300 mm; las obleas pueden producirse en diversos espesores y orientaciones con lados pulidos o sin pulir e incluyen dopantes.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre las obleas de silicio y las obleas de carburo de silicio?
R:En comparación con el silicio, el carburo de silicio tiende a tener una gama más amplia de aplicaciones en escenarios de temperaturas más altas,pero debido a su proceso de preparación y a la pureza del producto terminado obtenido.
Recomendación del producto:
1.2 pulgadas SIC Wafer de carburo de silicio 4H-N
2.Las obleas de carburo de silicio de 8 pulgadas