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Wafer SiC 4H tipo N de carburo de silicio grado 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas DSP personalizado
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | Entre 2 y 4 semanas |
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| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| impureza: | Impureza libre/baja | Grado: | Maniquí de la investigación de la producción |
|---|---|---|---|
| Resistencia: | Resistencia alta-baja | Exclusión del borde: | ≤ 50 mm |
| Partícula: | Partícula libre/baja | Arco/deformación: | ≤ 50 mm |
| TTV: | ≤2um | Finalización de la superficie: | Lateral solo/doble pulido |
| Resaltar: | Wafer de SiC de 8 pulgadas,Wafer de 4H de SiC,Wafer SiC de calidad de producción |
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Descripción de producto
Wafer SiC 4H tipo N de carburo de silicio grado 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas DSP personalizado
Descripción de la oblea de SiC:
La oblea de carburo de silicio viene en un tipo 4H n, que es el tipo más comúnmente utilizado para las obletas de carburo de silicio.alta conductividad térmica, y alta estabilidad química y mecánica.
La oblea de carburo de silicio está disponible en tres grados diferentes: Producción, Investigación y Dummy.La oblea de grado de producción está diseñada para su uso en aplicaciones comerciales y se produce con estrictos estándares de calidad.La oblea de grado de investigación está diseñada para su uso en aplicaciones de investigación y desarrollo y se produce con estándares de calidad aún más altos.La oblea de tipo maniquí está diseñada para ser utilizada como marcador de posición en el proceso de fabricación.
El carácter de la oblea de SiC:
Las obleas de carburo de silicio (SiC) son un material semiconductor clave que desempeña un papel importante en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia, entre otras aplicaciones.Estas son algunas de las características de las obleas de SiC:
1Características de las lagunas de banda ancha:
El SiC tiene un amplio intervalo de banda, típicamente entre 2,3 y 3,3 electrónvoltios, lo que lo hace excelente para aplicaciones de alta temperatura y alta potencia.Esta propiedad de la brecha de banda ancha ayuda a reducir la corriente de fuga en el material y mejorar el rendimiento del dispositivo.
2. Conductividad térmica:
El SiC tiene una conductividad térmica muy alta, varias veces superior a las obleas de silicio convencionales.Esta alta conductividad térmica facilita una disipación de calor eficiente en dispositivos electrónicos de alta potencia y mejora la estabilidad y fiabilidad del dispositivo.
3Propiedades mecánicas:
El SiC tiene una excelente resistencia mecánica y dureza, lo que es importante para aplicaciones a altas temperaturas y ambientes hostiles.y ambientes de alta radiación, por lo que son adecuados para aplicaciones que requieren una gran resistencia y durabilidad.
4Estabilidad química:
SiC tiene una alta resistencia a la corrosión química y puede resistir el ataque de muchos productos químicos, por lo que funciona bien en algunos entornos especiales donde se requiere un rendimiento estable.
5Propiedades eléctricas:
SiC tiene un alto voltaje de ruptura y baja corriente de fuga, por lo que es muy útil en dispositivos electrónicos de alta tensión y alta frecuencia.Las obleas de SiC tienen menor resistividad y mayor permittividad, que es esencial para las aplicaciones de RF.
En general, las obleas de SiC tienen amplias perspectivas de aplicación en dispositivos electrónicos de alta potencia, dispositivos de RF y dispositivos optoelectrónicos debido a sus excelentes propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas.
Cuadro de las características de las obleas de SiC:
| Punto de trabajo | 4H tipo n de obleas de SiC de grado P ((2 ~ 8 pulgadas) | ||||
| Diámetro | 50.8 ± 0,3 mm | 76.2 ± 0,3 mm | 100.0±0.3 mm | 150.0±0,5 mm | 200.0±0,5 mm |
| El grosor | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 500 ± 25 μm |
| Orientación de la superficie | En el caso de los vehículos de las categorías M1, M2 y M3, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de las categorías M2 y M3 será el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de las categorías M3 y M4. | ||||
| Orientación plana primaria | Paralelo a < 11-20> ± 1° | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| Duración plana primaria | 16.0 ± 1,5 mm | 22.0 ± 1,5 mm | 32.5 ± 2.0 mm | 47.5 ± 2.0 mm | Noche |
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano primario±5,0° | No incluido | No incluido | ||
| Duración plana secundaria | 8.0 ± 1,5 mm | 11.0 ± 1,5 mm | 18.0±2.0 mm | No incluido | No incluido |
| Resistencia | 0.014·0.028Ω•cm | ||||
| Finalización de la superficie frontal | Si-Face: CMP, Ra<0,5 nm | ||||
| Revestimiento de la superficie posterior | Se aplicará una presión de 15 °C a la superficie de la lámina de vidrio. | ||||
| Marcado por láser | La parte trasera: C-Face | ||||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| - ¿Qué quieres decir? | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 30 μm | ≤ 40 μm | ≤ 60 μm |
| El uso de la tecnología WARP | ≤ 30 μm | ≤ 35 μm | ≤ 40 μm | ≤ 60 μm | ≤ 80 μm |
| Exclusión del borde | ≤ 3 mm | ||||
Fotografía física de la oblea de SiC:
Aplicaciones de las obleas de SiC:
1Dispositivos electrónicos de potencia:
Las obleas de SiC tienen una amplia gama de aplicaciones en el campo de los dispositivos electrónicos de potencia, como los MOSFET de potencia (transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico) y SCHTKEY (diodos de barrera de Schottky).La alta fuerza de campo de descomposición y la alta velocidad de deriva de saturación de electrones del material SiC lo convierten en una opción ideal para convertidores de alta densidad de potencia y alta eficiencia.
2Dispositivos de radiofrecuencia (RF):
Las obleas de SiC también encuentran aplicaciones importantes en dispositivos de RF, como amplificadores de potencia de RF y dispositivos de microondas.La alta movilidad de electrones y la baja pérdida de materiales de SiC los hacen excelentes en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
3Dispositivos optoelectrónicos:
Las obleas de SiC también están encontrando cada vez más aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos, como fotodiodos, detectores de luz ultravioleta y diodos láser.Las excelentes propiedades ópticas y la estabilidad del material SiC lo convierten en un material importante en el campo de los dispositivos optoelectrónicos.
4. Sensor de alta temperatura:
Las obleas de SiC se utilizan ampliamente en el campo de los sensores de alta temperatura debido a sus excelentes propiedades mecánicas y estabilidad a altas temperaturas.radiaciones, y ambientes corrosivos y son adecuados para los sectores aeroespacial, energético e industrial.
5Dispositivos electrónicos resistentes a la radiación:
La resistencia a la radiación de las obleas de SiC las hace ampliamente utilizadas en energía nuclear, aeroespacial y otros campos donde se requieren características de resistencia a la radiación.El material SiC tiene una alta estabilidad a la radiación y es adecuado para dispositivos electrónicos en entornos de alta radiación.
Imagen de la aplicación de la obletera de SiC:
Personalización de Wafer de SiC:
Estamos comprometidos a proporcionar soluciones personalizadas de obleas SiC de alta calidad y alto rendimiento para satisfacer las diversas necesidades de nuestros clientes.Nuestra fábrica puede personalizar obleas de SiC de varias especificaciones, espesores y formas según las necesidades específicas de nuestros clientes.
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Cuál es la oblea de zafiro más grande?
El zafiro de 300 mm (12 pulgadas) es ahora la oblea más grande para diodos emisores de luz (LED) y electrónica de consumo.
2P: ¿Qué tamaño tienen las obleas de zafiro?
R: Nuestros diámetros de obleas estándar varían de 25,4 mm (1 pulgada) a 300 mm (11,8 pulgadas) de tamaño;Las obleas pueden producirse en diferentes espesores y orientaciones con lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes..
3P: ¿Cuál es la diferencia entre las obleas de zafiro y de silicio?
R: Los LED son las aplicaciones más populares para el zafiro. El material es transparente y es un excelente conductor de luz.el silicio es opaco y no permite una extracción eficiente de la luzSin embargo, el material semiconductor es ideal para los LED, ya que es barato y transparente.
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