 |
Substrato compuesto conductor de SiC de tipo N de 6 pulgadas para Epitaxy MBE CVD LPE
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Substrato conductor de SiC de tipo N |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | Entre 2 y 4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
|
Información detallada |
|||
| Diámetro: | 150 ± 0,2 mm | Polytype: | 4 horas |
|---|---|---|---|
| Resistencia: | 0.015-0.025 ohm · cm | Grueso de la capa: | ≥ 0,4 μm |
| VACÍO: | Se aplicarán las siguientes medidas: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef: | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| El equipo de inspección de los equipos de inspección de los equipos de inspección de los equipos de : | No hay | TTV: | ≤3μm |
| Resaltar: | Substrato de SiC conductor de tipo N de 6 pulgadas,Substrato de SiC conductor del tipo N de MBE,Substrato de SiC conductor de tipo Epitaxy N |
||
Descripción de producto
Substrato compuesto conductor de SiC de tipo N de 6 pulgadas para Epitaxy MBE CVD LPE
Abstracto del sustrato de SiC conductor de tipo N
Este sustrato SiC conductor de tipo N tiene un diámetro de 150 mm con una precisión de ± 0,2 mm y utiliza el politipo 4H para propiedades eléctricas superiores.El sustrato presenta un rango de resistividad de 0Incluye un espesor de capa de transferencia robusto de al menos 0,4 μm, mejorando su integridad estructural.El control de calidad limita los huecos a ≤ 5 por oblea, con cada hueco con un diámetro de entre 0,5 mm y 2 mm. Estas características hacen que el sustrato de SiC sea ideal para aplicaciones de alto rendimiento en electrónica de potencia y dispositivos de semiconductores,proporcionar fiabilidad y eficiencia.
Especificaciones y diagrama esquemático para el sustrato SiC conductor de tipo N
| Las partidas | Especificación | Las partidas | Especificación |
| Diámetro | 150 ± 0,2 mm |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
|
Polítipo Resistencia |
4 horas 0.015-0.025 ohm · cm |
EdgeChip, Scratch, Crack. ¿Qué quieres decir con eso? (inspección visual) TTV |
No hay ≤ 3 μm |
| espesor de la capa de transferencia | ≥ 0,4 μm | La velocidad warp. | ≤ 35 μm |
|
No válido |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
El grosor |
350 ± 25 μm |
Propiedades del sustrato de SiC conductor de tipo N
Los sustratos conductores de carburo de silicio (SiC) de tipo N se utilizan ampliamente en varias aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas debido a sus propiedades únicas.Estas son algunas de las propiedades clave de los sustratos conductores de SiC de tipo N:
-
Propiedades eléctricas:
- Alta movilidad de electrones:El SiC tiene una alta movilidad electrónica, lo que permite un flujo de corriente eficiente y dispositivos electrónicos de alta velocidad.
- Concentración baja de portadores intrínsecos:El SiC mantiene una baja concentración intrínseca de portador incluso a altas temperaturas, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta temperatura.
- Voltado de ruptura elevado:El SiC puede soportar altos campos eléctricos sin descomponerse, lo que permite la fabricación de dispositivos de alto voltaje.
-
Propiedades térmicas:
- Alta conductividad térmica:El SiC tiene una excelente conductividad térmica, lo que ayuda a disipar el calor de manera eficiente de los dispositivos de alta potencia.
- Estabilidad térmica:El SiC se mantiene estable a altas temperaturas, manteniendo su integridad estructural y sus propiedades electrónicas.
-
Propiedades mecánicas:
- Dureza:El SiC es un material muy duro, que proporciona durabilidad y resistencia al desgaste mecánico.
- Inertitud química:El SiC es químicamente inerte y resistente a la mayoría de los ácidos y bases, lo que es beneficioso para ambientes operativos duros.
-
Características del dopaje:
- Doping controlado de tipo N:El SiC de tipo N se dopa típicamente con nitrógeno para introducir electrones en exceso como portadores de carga.
Fotografía del sustrato conductor de SiC de tipo N
Pregunta y respuesta
P: ¿Qué es la epitaxis SiC?
A: ¿Qué quieres decir?La epitaxia de SiC es el proceso de crecimiento de una capa delgada y cristalina de carburo de silicio (SiC) en un sustrato de SiC. Esto se hace típicamente utilizando la deposición química de vapor (CVD),donde los precursores gaseosos se descomponen a altas temperaturas para formar la capa de SiCLa capa epitaxial coincide con la orientación cristalina del sustrato y puede ser dopada con precisión y controlada en grosor para lograr las propiedades eléctricas deseadas.Este proceso es esencial para la fabricación de dispositivos de SiC de alto rendimiento utilizados en electrónica de potencia, optoelectrónica y aplicaciones de alta frecuencia, ofreciendo ventajas como alta eficiencia, estabilidad térmica y fiabilidad.