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Semi-aislantes de sustratos compuestos de SiC-on-Si 4H muestran LED de alta resistividad
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
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| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Material del substrato: | Carburo de silicio en una oblea compuesta de silicio | Superficie delantera: | CMP pulido, Ra < 0,5 Nm (polido de un solo lado, SSP) |
|---|---|---|---|
| Longitud plana secundaria: | 18.0 +/- 2,0 mm | Tipo: | Las demás: |
| Longitud plana primaria: | 32.5 +/- 2,5 mm | Diámetro: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef |
| Contenido de carbono: | 0.5 ppm | Orientación plana secundaria:: | 90° desde el plano primario |
| Resaltar: | LEDs SiC en sustratos compuestos de Si,SiC en sustratos compuestos de Si |
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Descripción de producto
Semi-aislante SiC en sustratos compuestos de Si 4H muestra LED de alta resistividad
Descripción del producto de los sustratos compuestos de SiC on Si:
Un carburo de silicio (SiC) semi-aislante en una oblea compuesta de silicio es un tipo especializado de oblea que combina las propiedades del carburo de silicio y los materiales de silicio.La oblea consiste en una capa de carburo de silicio semi-aislante sobre un sustrato de silicioEl término "semi-aislante" indica que el material tiene propiedades eléctricas que no son puramente conductoras o puramente aislantes, sino que están en algún punto intermedio.
Características del SiC en sustratos compuestos de Si:
1Alta resistividad: el SiC semisolador en las obleas de Si presenta una alta resistividad, lo que significa que tienen una baja conductividad eléctrica en comparación con los materiales conductores normales.
2Baja fuga: debido a su naturaleza semi-aislante, estas obleas tienen bajas corrientes de fuga, lo que las hace adecuadas para aplicaciones que requieren una fuga eléctrica mínima.
3. Alto voltaje de ruptura: Por lo general, tienen un alto voltaje de ruptura, lo que les permite soportar altos campos eléctricos sin avería.
Lista de parámetros de los sustratos compuestos de SiC en Si:
| Punto de trabajo | Especificación |
| Diámetro | 150 ± 0,2 mm |
| Polítipo de SiC | 4 horas |
| Resistencia al SiC | ≥1E8 Ω·cm |
| espesor de la capa de transferencia de SiC | ≥ 0,1 μm |
| No válido | ≤ 5 ea/wafer (2 mm > D > 0,5 mm) |
| Roughness delantera | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Si Orientación | Se trata de una serie de medidas que se aplican a las empresas. |
| Tipo Si | P/N |
| En el caso de las máquinas de la categoría M3 | En el caso de las máquinas de la categoría M3 |
| Las partes de las piezas que se desechen en el interior de la caja deberán estar cubiertas por una cubierta de protección. | No hay |
| TTV | ≤ 5 μm |
| El grosor | Se aplicarán las siguientes medidas: |
Aplicaciones del SiC en sustratos compuestos de Si:
1Dispositivos de alta frecuencia: el SiC semi-aislante en las obleas compuestas de Si se utiliza comúnmente en dispositivos de alta frecuencia como transistores de RF, amplificadores y sistemas de microondas.
2Electrónica de potencia: encuentran aplicaciones en dispositivos electrónicos de potencia donde el alto voltaje de ruptura y las bajas pérdidas eléctricas son cruciales para una conversión eficiente de energía.
3Sensores: Estas obleas se utilizan en tecnologías de sensores donde se requieren características de alta resistividad y baja fuga para una detección y medición precisas.
4Optoelectrónica: En los dispositivos optoelectrónicos como los fotodetectores y los LED, el SiC semi-aislante en las obleas de Si puede proporcionar un mejor rendimiento debido a sus propiedades eléctricas únicas.
Imagen de aplicaciones del SiC en sustratos compuestos de Si:
Preguntas frecuentes:
A: ¿Qué quieres decir? The use of silicon carbide composite (SiC/SiC) components within fusion reactors has the potential to double the electricity generated from every gigawatt of thermal energy produced compared with advanced steel designs