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5×5 mm 10×10 mm Wafer SiC tipo 4H-P 6H-P 3C-N grado de producción grado de investigación grado de simulacro
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Delivery Time: | 2 weeks |
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| Payment Terms: | 100%T/T |
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Información detallada |
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| El tipo: | 4H/6H-P 3C-N | TTV/Bow/Warp: | Se aplicarán las siguientes medidas: |
|---|---|---|---|
| Grado: | Maniquí de la investigación de la producción | Diámetro: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef |
| El grosor: | 350 μm±25 μm | Orientación de la oblea: | Fuera del eje: 2,0°-4,0°hacia 112 0 ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje: 111 ± 0,5° para 3C-N |
| Resistencia: | 4H/6H-P ≤0,1 Ωcm 3C-N ≤0,8 mΩ•cm | Exclusión del borde: | 3 milímetros |
| Resaltar: | Wafer de SiC 3C-N,Wafer de 4H-P SiC,Wafer de SiC 6H-P |
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Descripción de producto
5×5mm 10×10mm Wafer SiC 4H-P 6H-P 3C-N Tipo de producción de grado de investigación de grado de simulacro
Descripción de las obleas SiC de 5 × 5 mm y 10 × 10 mm:
Las obleas de carburo de silicio (SiC) de 5 × 5 mm y 10 × 10 mm son sustratos de pequeño tamaño que desempeñan un papel crucial en varias aplicaciones de semiconductores.Comúnmente utilizado en dispositivos electrónicos compactos donde el espacio es limitadoEstas obleas de SiC son componentes esenciales en la fabricación de dispositivos electrónicos, electrónica de potencia, optoelectrónica y sensores.Sus dimensiones específicas satisfacen diferentes requisitos en términos de limitaciones de espacio.Los investigadores, los ingenieros, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos, los expertos,y los fabricantes aprovechan estas obleas de SiC para desarrollar tecnologías de vanguardia y explorar las propiedades únicas del carburo de silicio para una amplia gama de aplicaciones.
Los caracteres de las obeliscas de SiC de 5×5 mm y 10×10 mm:
4H-P tipo SiC:
Alta movilidad de electrones.
Apto para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
Excelente conductividad térmica.
Ideal para operaciones de alta temperatura.
6H-P tipo SiC:
Buena resistencia mecánica.
Alta conductividad térmica.
Se utiliza en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
Adecuado para la electrónica en ambientes hostiles.
El tipo SiC 3C-N
Versátil para electrónica y optoelectrónica.
Compatible con la tecnología de silicio.
Apto para circuitos integrados.
Ofrece oportunidades para la electrónica de banda ancha
La forma de las obleas de SiC de 5 × 5 mm y 10 × 10 mm:
| Grado | Grado de producción (grado P) |
Grado de investigación (Grado R) |
Grado de imitación (Grado D) |
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| Orientación plana primaria | 4H/6H-P | {10-10} ± 5,0° | ||
| 3C-N | {1-10} ± 5,0° | |||
| Duración plana primaria | 15.9 mm ± 1,7 mm | |||
| Duración plana secundaria | 8.0 mm ±1,7 mm | |||
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | |||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm CMP Ra≤0,2 nm |
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| Las grietas de los bordes Por medio de la luz de alta intensidad |
No hay | 1 permitido, ≤ 1 mm | ||
| Placas hexagonales Por medio de la luz de alta intensidad |
Área acumulada ≤ 1 % | Área acumulada ≤ 3% | ||
| Áreas de politipo Por medio de la luz de alta intensidad |
No hay | Área acumulada ≤ 2 % | Área acumulada ≤ 5% | |
| Rasguños en la superficie del silicio Por medio de la luz de alta intensidad |
3 arañazos en una oblea Diámetro longitud acumulada |
5 arañazos en una oblea Diámetro longitud acumulada |
8 rasguños hasta 1 × diámetro de la oblea longitud acumulada |
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| Las fichas de punta son altas Por intensidad Luz luz |
No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |
| Contaminación de la superficie del silicio Por alta intensidad |
No hay | |||
| Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | |||
La fotografía física de las obleas de SiC de 5×5 mm y 10×10 mm:
La aplicación de las obleas de SiC de 5×5 mm y 10×10 mm:
4H-P tipo SiC:
Electrónica de alta potencia: Se utiliza en diodos de potencia, MOSFET y rectificadores de alto voltaje.
Dispositivos de RF y microondas: adecuados para aplicaciones de alta frecuencia.
Entornos de alta temperatura: ideal para sistemas aeroespaciales y automotrices.
6H-P tipo SiC:
Electrónica de potencia: se utiliza en diodos Schottky, MOSFET de potencia y tiristores para aplicaciones de alta potencia.
Electrónica de alta temperatura: adecuada para la electrónica de entornos adversos.
El tipo SiC 3C-N
Circuitos integrados: ideales para IC y MEMS debido a su compatibilidad con la tecnología de silicio.
Optoelectrónica: Se utiliza en LED, fotodetectores y sensores.
Sensores biomédicos: se aplican en dispositivos biomédicos para diversas aplicaciones de detección.
La aplicaciónImágenes de las obleas de SiC de 5×5 mm y 10×10 mm:
Preguntas frecuentes:
1.P: ¿Cuál es la diferencia entre 3C y 4H-SiC?
R:En general, el 3C-SiC se conoce como un politipo estable a baja temperatura, mientras que el 4H y el 6H-SiC se conocen como politipos estables a alta temperatura,que necesitan una temperatura relativamente alta y la cantidad de defectos de la capa epitaxial se correlacionan con la relación Cl/Si.
Recomendación del producto:
1.1.5 mm espesor 4h-N 4H-SEMI SIC Wafer de carburo de silicio para epitaxial