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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 4H P Tipo 6H P Tipo 3C N Tipo SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconductor
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Delivery Time: | 2 weeks |
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| Payment Terms: | 100%T/T |
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Información detallada |
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| Arco/deformación: | ≤ 50 mm | Diámetro: | 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas |
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| orientación: | En-AXIS/de fuera del eje | Resistencia: | Resistencia alta-baja |
| Grado: | Maniquí de la investigación de la producción | La superficie es plana: | Lambda/10 |
| Constante dieléctrico: | C ~ 9.66 | Conductividad térmica: | 3 a 5 W/cm·K@298K |
| Campo eléctrico de ruptura: | 2-5×106V/cm | Velocidad de deriva de saturación: | 2.0×105m/s/2.7×107m/s |
| Resaltar: | 6 pulgadas de SiC de cristal único,4 pulgadas de SiC de cristal único,2 pulgadas de SiC de cristal único |
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Descripción de producto
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 4H P Tipo 6H P Tipo 3C N Tipo SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconductor
Descripción de la oblea de SiC:
4H SiC de tipo P: se refiere a una oblea de carburo de silicio de cristal único con una estructura cristalina de 4H que está dopada con impurezas del aceptador, por lo que es un material semiconductor de tipo P. 6H SiC de tipo P:Lo mismo, esto denota una oblea de carburo de silicio de un solo cristal con una estructura cristalina de 6H que está dopada con impurezas del aceptador, lo que también resulta en un material semiconductor de tipo P. 3C-Tipo N SiC:Esto representa una oblea de carburo de silicio de un solo cristal con una estructura cristalina de 3C que está dopada con impurezas donantes, lo que lleva al comportamiento de semiconductores de tipo N.
El carácter de la oblea de SiC:
4H tipo P SiC:
Estructura cristalina: 4H denota la estructura cristalina hexagonal del carburo de silicio.
Tipo de dopado: el tipo P indica que el material está dopado con impurezas aceptoras.
Las características:
Alta movilidad de electrones.
Apto para dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia.
Buena conductividad térmica.
Ideal para aplicaciones que requieren un funcionamiento a altas temperaturas.
6H tipo P SiC:
Estructura cristalina: 6H significa la estructura cristalina hexagonal del carburo de silicio.
Tipo de dopaje: dopaje de tipo P con impurezas de aceptor.
Las características:
Buena resistencia mecánica.
Alta conductividad térmica.
Se utiliza en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
Adecuado para la electrónica en ambientes hostiles.
3C SiC de tipo N:
Estructura cristalina: 3C se refiere a la estructura cristalina cúbica del carburo de silicio.
Tipo de dopaje: el tipo N indica dopaje con impurezas donantes.
Las características:
Material versátil para electrónica y optoelectrónica.
Buena compatibilidad con la tecnología de silicio.
Apto para circuitos integrados.
Ofrece oportunidades para la electrónica de banda ancha.
Estos diferentes tipos de obleas de carburo de silicio presentan características específicas basadas en sus estructuras cristalinas y tipos de dopado.Cada variación está optimizada para aplicaciones distintas en electrónica, dispositivos de energía, sensores y otros campos en los que las propiedades únicas del carburo de silicio, como la alta conductividad térmica, el alto voltaje de ruptura y el amplio intervalo de banda, son ventajosas.
La formacon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 10%
| Propiedad | Tipo P 4H-SiC | Tipo P 6H-SiC | Tipo N 3C-SiC |
| Parámetros de la red | a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å C=15,084 Å |
a=4,349 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | Acceso a las oficinas | El ABC |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.23 g/cm3 | 3.0 g/cm3 | 2.36 g/cm3 |
| Expansión térmica El coeficiente |
4.3×10-6/K (axila C) 4.7×10-6/K (axila C) |
4.3×10-6/K (axila C) 4.7×10-6/K (axila C) |
3.8×10-6/K |
| Indice de refracción @750nm |
no = 2.621 n = 2.671 |
No = 2.612 No es suficiente.651 |
No = 2.612 |
La fotografía físicacon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 10%
La aplicacióncon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 10%
Estos tipos de SiC tienen más papel en el área de III-V, deposición de nitruro, dispositivos optoelectrónicos, dispositivos de alta potencia, dispositivos de alta temperatura y dispositivos de alta frecuencia.
1. 4H tipo P SiC:
Electrónica de alta potencia: Se utiliza en dispositivos electrónicos de alta potencia como diodos de potencia, MOSFET y rectificadores de alto voltaje debido a su alta movilidad electrónica y conductividad térmica.
Dispositivos de RF y microondas: adecuados para aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y microondas que requieren un funcionamiento de alta frecuencia y un manejo eficiente de la energía.
Ambientes de alta temperatura: ideal para aplicaciones en ambientes duros que requieren un funcionamiento y una fiabilidad de alta temperatura, como los sistemas aeroespaciales y automotrices.
2. 6H tipo P SiC:
Electrónica de potencia: Se utiliza en dispositivos de semiconductores de potencia como diodos Schottky, MOSFETs de potencia,y tiristores para aplicaciones de alta potencia con altos requisitos de conductividad térmica y resistencia mecánica.
Electrónica de alta temperatura: se aplica en la electrónica de alta temperatura para industrias como la aeroespacial, la defensa y la energía, donde la confiabilidad en condiciones extremas es crítica.
3. 3C tipo N SiC:
Circuitos integrados: adecuado para circuitos integrados y sistemas microelectromecánicos (MEMS) debido a su compatibilidad con la tecnología de silicio y su potencial para la electrónica de banda ancha.
Optoelectrónica: Se utiliza en dispositivos optoelectrónicos como LED, fotodetectores y sensores donde la estructura de cristal cúbico ofrece ventajas para las aplicaciones de emisión y detección de luz.
Sensores biomédicos: se aplica en sensores biomédicos para varias aplicaciones de detección debido a su biocompatibilidad, estabilidad y sensibilidad.
Las imágenes de la aplicacióncon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 10%
Personalización:
Los productos de cristal de SiC personalizados se pueden hacer para cumplir con los requisitos y especificaciones particulares del cliente.
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Cuál es la diferencia entre 4H-SiC y 6H-SiC?
R: Todos los otros politipos de SiC son una mezcla de la unión de zinc-blenda y wurtzita.6H-SiC está compuesto por dos tercios de enlaces cúbicos y un tercio de enlaces hexagonales con una secuencia de apilamiento de ABCACB.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre 3C y 4H SiC?
R: En general, el 3C-SiC se conoce como un politipo estable a baja temperatura, mientras que el 4H y el 6H-SiC se conocen como politipos estables a alta temperatura, que necesitan una temperatura relativamente alta para... ... la rugosidad de la superficie y la cantidad de defectos de la capa epitaxial están correlacionados con la relación Cl/Si.
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