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Substrato de carburo de silicio 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10 mm P grado R grado D grado
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
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Información detallada |
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| Diámetro: | 5*5mm±0,2mm 10*10mm±0,2mm | El grosor: | 350 umt25 mm |
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| Orientación de la oblea: | Fuera del eje: 2.0°-4.0° hacia [1120]+0.5° para 4H/6H-P, En el eje:(111)+ 0.5° para 3C-N | Densidad de Micropipe: | 0 cm-2 |
| Resistencia 4H/6H-P: | < 0,1 2·cm | Resistencia 3C-N: | < 0,8 mQ.cm |
| Longitud plana primaria: | 15.9 mm +1.7 mm | Longitud plana secundaria: | 8.0 mm +1.7 mm |
| Resaltar: | Substrato de SiC de 10 × 10 mm,Substrato de SiC 4H/6H-P,Substrato de SiC 3C-N |
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Descripción de producto
SiC Substrato Substrato de carburo de silicio 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10 mm P grado R grado D grado
4H/6H-P SiC Substrato 5 × 5 10 × 10 mm de abstracción
El sustrato de carburo de silicio (SiC) 4H/6H-P, con dimensiones de 5 × 5 mm y 10 × 10 mm, representa un avance fundamental en los materiales semiconductores,especialmente para aplicaciones de alta potencia y alta temperaturaEl SiC, un semiconductor de banda ancha, presenta una conductividad térmica excepcional, una alta intensidad de campo eléctrico de descomposición y propiedades mecánicas robustas.lo que lo convierte en una opción preferida para la próxima generación de dispositivos electrónicos de potencia y optoelectrónicosEste estudio explora las técnicas de fabricación empleadas para obtener sustratos de SiC 4H/6H-P de alta calidad, abordando desafíos comunes como la minimización de defectos y la uniformidad de las obleas.el documento destaca las aplicaciones del sustrato en dispositivos de potencia, dispositivos de RF, y otras aplicaciones de alta frecuencia, haciendo hincapié en su potencial para revolucionar la industria de semiconductores.Los resultados sugieren que estos sustratos de SiC desempeñarán un papel crucial en el desarrollo de dispositivos electrónicos más eficientes y fiables, permitiendo avances en el rendimiento y la eficiencia energética.
4H/6H-P SiC Substrato 5×5 Las propiedades de 10×10mm
El sustrato 4H/6H-P SiC (carburo de silicio), especialmente en las dimensiones de 5 × 5 mm y 10 × 10 mm,presenta varias propiedades notables que lo convierten en una opción preferida en aplicaciones de semiconductores de alto rendimiento:
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Amplia banda de separación:El amplio intervalo de banda de SiC (aproximadamente 3,26 eV para 4H y 3,02 eV para 6H) permite el funcionamiento a altas temperaturas y voltajes, lo que es beneficioso para la electrónica de potencia.
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Alta conductividad térmica:El SiC tiene una excelente conductividad térmica, de alrededor de 3,7 W/cm·K, lo que ayuda a una disipación de calor eficiente, lo que lo hace adecuado para dispositivos de alta potencia.
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Campo eléctrico de alta degradación:SiC puede soportar campos eléctricos altos (hasta 3 MV/cm), por lo que es ideal para dispositivos de energía que requieren capacidades de manejo de alto voltaje.
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Resistencia mecánica:El SiC es conocido por su robustez mecánica, ofreciendo una alta resistencia al desgaste, lo cual es crítico para los dispositivos que operan en condiciones extremas.
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Estabilidad química:El SiC es químicamente estable, resistente a la oxidación y la corrosión, por lo que es adecuado para ambientes hostiles, incluidas las aplicaciones aeroespaciales y automotrices.
Estas propiedades permiten que los sustratos 4H/6H-P SiC se utilicen en una amplia gama de aplicaciones, incluidos transistores de alta potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica,donde el rendimiento y la fiabilidad son cruciales.
4H/6H-P SiC Substrato 5×5 Imagen de 10×10 mm
4H/6H-P SiC Substrato 5×5 aplicaciones de 10×10 mm
El sustrato 4H/6H-P SiC (carburo de silicio), particularmente en tamaños de 5 × 5 mm y 10 × 10 mm, se utiliza en varias aplicaciones de alto rendimiento y exigentes en múltiples industrias:
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Electrónica de potencia:Los sustratos de SiC se utilizan ampliamente en dispositivos de energía como MOSFET, IGBT y diodos Schottky, que son esenciales en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y redes eléctricas.El amplio intervalo de banda y el alto voltaje de ruptura del SiC permiten una conversión eficiente de energía y un funcionamiento bajo altos voltajes y temperaturas.
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Dispositivos de radiofrecuencia y microondas:El SiC es un excelente material para dispositivos de RF y microondas utilizados en telecomunicaciones, sistemas de radar y comunicación por satélite.Su capacidad para operar a altas frecuencias y temperaturas con baja pérdida de señal lo hace adecuado para amplificadores y interruptores de alta potencia.
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Optomecánica:Los sustratos de SiC se utilizan en LEDs y diodos láser, particularmente en los rangos de longitud de onda UV y azul.y el seguimiento ambiental.
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Aeroespacial y automotriz:Debido a su estabilidad térmica y resistencia a ambientes hostiles, el SiC se utiliza en sensores aeroespaciales y automotrices, actuadores y módulos de potencia, donde la fiabilidad en condiciones extremas es crucial.
Estas aplicaciones ponen de relieve la importancia de los sustratos 4H/6H-P SiC en el avance de tecnologías que requieren eficiencia, durabilidad y funcionamiento de alto rendimiento.
Pregunta y respuesta
¿Qué es 4H en 4H-SiC?
4H-SiC y 6H-SiC representanestructuras de cristal hexagonales, con "H" que indica la simetría hexagonal y los números 4 y 6 las capas en sus celdas unitarias.que es un determinante clave del rendimiento de un dispositivo semiconductor.