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Wafer GaP de 2 pulgadas tipo N sin dopado S dopado 100 DSP SSP CZ de alta pureza 5N 99,999%
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
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| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Peso molecular (g/mol): | 100.697 | Color/aspecto: | Sólido de color naranja pálido |
|---|---|---|---|
| Purificación: | ≥ 99,999%, 5N | Punto de fusión (°C): | 1,457 |
| Diferencia de banda (eV): | 2.24 | Movilidad de los electrones (cm2/(V·s)): | 300 |
| Se aplicará el método de medición de la sensibilidad magnética (χ) (cgs): | -13,8 × 10−6 | Conductividad térmica (W/(cm·K)): | 0.752 |
| Resaltar: | Wafer GaP de tipo N,Wafer GaP de 2 pulgadas,Wafer GaP de alta pureza |
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Descripción de producto
Wafer GaP de 2 pulgadas tipo N sin dopado S dopado 100 DSP SSP CZ de alta pureza 5N 99,999%
Descripción de la oblea GaP:
En semiconductores, el fosfuro de galio es un semiconductor compuesto de tipo III-V que tiene una banda ancha indirecta de fosfuro de galio (brecha) Wafersgap.La estructura cristalina de este compuesto es la misma que el silicioSu constante de red es de 0,545 nm y su movilidad de electrones y agujeros es de aproximadamente 100 y 75 cm2/V-s, respectivamente.Se ha utilizado en la fabricación de muchos dispositivos electrónicos, incluidos los interruptores CMOS y RF/V/A.
El principal material de sustrato para los LED es el fosfuro de galio, y es transparente a la luz roja, amarilla y naranja.Estos diodos son transparentes a la mayor parte de la luzSin embargo, hay un problema asociado con este material. Aunque es altamente conductor, su uso en componentes electrónicos depende de la intensidad de la luz que emiten.no emite suficiente luz para ser útil como fuente de iluminación.
El carácter de la oblea GaP:
1. Bandgap: GaP tiene una banda directa de aproximadamente 2.26 eV a temperatura ambiente. Este nivel de energía de banda hace que GaP sea adecuado para aplicaciones optoelectrónicas, incluidos LED y fotodetectores.
2Propiedades ópticas: Las obleas GaP presentan excelentes propiedades ópticas, como una alta transparencia en el espectro visible.Esta transparencia es ventajosa para los dispositivos optoelectrónicos que operan en el rango de luz visible.
3Propiedades eléctricas: GaP tiene buenas propiedades eléctricas, incluyendo alta movilidad de electrones y baja corriente oscura,que lo hace adecuado para dispositivos electrónicos de alta velocidad y dispositivos optoelectrónicos de bajo ruido.
4Propiedades térmicas: las obleas GaP tienen una conductividad térmica relativamente buena, lo que ayuda a disipar el calor de los dispositivos electrónicos.Esta propiedad es importante para mantener el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.
5. Estructura cristalina: GaP tiene una estructura cristalina de zincblenda, que influye en sus propiedades electrónicas y ópticas.La estructura cristalina también afecta los procesos de crecimiento y fabricación de dispositivos basados en GaP.
6. Dopado: las obleas de GaP pueden ser dopadas con varias impurezas para modificar su conductividad eléctrica y propiedades ópticas.Este control del dopante es esencial para adaptar los dispositivos GaP para aplicaciones específicas.
7Compatibilidad con compuestos III-V: GaP es compatible con otros semiconductores compuestos III-V,permitiendo el crecimiento de heterostructuras y la integración de diferentes materiales para crear dispositivos avanzados.
La forma de la obletera GaP:
| Estructura de cristal | Cubico. a = 5.4505?/FONT> | |
| Método de crecimiento | CZ (LEC) | |
| Densidad | 4.13 g/cm3 | |
| Punto de fusión | 1480 oC | |
| Expansión térmica | 5.3 x10-6 / oC | |
| Agentes de superación | S dopado | No dopado |
| Eje de crecimiento del cristal | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Tipo de conductor | No | No |
| Concentración del portador | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
| Resistencia | ~ 0,03 W-cm | ~ 0,3 W-cm |
| El EPD | El valor de las emisiones | El valor de las emisiones |
La foto física de GaP Wafer:
Aplicaciones de la oblea GaP:
1Diodos emisores de luz (LED):
Las obleas GaP se utilizan comúnmente en la fabricación de LEDs para varias aplicaciones de iluminación, incluidas luces indicadoras, pantallas e iluminación automotriz.
2Diodos láser:
Las obleas GaP se utilizan en la producción de diodos láser para aplicaciones como almacenamiento óptico de datos, telecomunicaciones y dispositivos médicos.
3- Los fotodetectores:
Las obleas GaP se utilizan en fotodetectores para aplicaciones de detección de luz, incluidas las comunicaciones ópticas, los sistemas de imágenes y el monitoreo ambiental.
4- Células solares:
Las obleas de GaP se utilizan en el desarrollo de células solares de alta eficiencia, particularmente en estructuras de células solares de múltiples uniones para aplicaciones espaciales y fotovoltaicas de concentradores terrestres.
5. Dispositivos optoelectrónicos:
Las obleas GaP son parte integral de varios dispositivos optoelectrónicos, como circuitos integrados fotónicos, sensores ópticos y moduladores optoelectrónicos.
6Electrónica de alta velocidad:
Las obleas GaP se utilizan en dispositivos electrónicos de alta velocidad, incluidos transistores de alta frecuencia, circuitos integrados de microondas y amplificadores de potencia RF.
7Lasers de semiconductores:
Las obleas GaP se utilizan en la fabricación de láseres semiconductores utilizados en aplicaciones como comunicaciones ópticas, escáneres de códigos de barras y equipos médicos.
8Fotónica:
Las obleas GaP juegan un papel crucial en las aplicaciones de fotónica, incluidas las guías de ondas, los interruptores ópticos y los cristales fotónicos para manipular la luz a nanoescala.
9Tecnología de sensores:
Las obleas GaP se utilizan en el desarrollo de sensores para diversas aplicaciones, como detección de gases, monitoreo ambiental y diagnóstico biomédico.
10. Dispositivos de heterojunción:
Las obleas GaP se integran con otros semiconductores compuestos III-V para crear dispositivos de heterojunción, lo que permite funcionalidades avanzadas en sistemas electrónicos y optoelectrónicos.
Imágenes de aplicaciones de GaP Wafer:
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Para qué se utiliza el fosfuro de galio?
R: El fosfuro de galio se ha utilizado en la fabricación de diodos emisores de luz rojos, naranjas y verdes (LED) de bajo a mediano brillo desde la década de 1960.Se utiliza solo o junto con arseniuro de galio
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