• 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor
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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor

2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor

Datos del producto:

Place of Origin: China
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: OBLEA DEL SI
Mejor precio Contacto

Información detallada
orientación: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef Resistencia: 1-10 ohm-cm (o según lo especificado)
TTV: ≤ 2 μm - ¿ Por qué?: ≤ 40 μm
La velocidad warp.: ≤ 40 μm Cuento de partículas: ≤ 50 @ ≥ 0,12 μm
VAL: ≤ 1 μm (en un área de 20 mm x 20 mm) El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef: ≤ 0,5 μm (rango ideal global de la parte posterior)
Resaltar:

Oferta de silicio sin dopar

,

Wafer de silicio de 12 pulgadas

,

Tipo oblea de P de silicio

Descripción de producto

 
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor

Descripción de las gafas de Si:

La oblea de silicio es un material utilizado para producir semiconductores, que se pueden encontrar en todo tipo de dispositivos electrónicos que mejoran la vida de las personas.El silicio es el segundo elemento más común en el universo.La mayoría de las personas han tenido la oportunidad de encontrar una oblea de silicio real en su vida.Este disco súper plano es refinado hasta una superficie especularAdemás, también está hecho de irregularidades sutiles de la superficie que lo convierten en el objeto más plano del mundo.cualidades que son esenciales para convertirlo en el material de sustrato perfecto para los semiconductores modernos.
 
El carácter de las obleas de Si:
Modulo de Young: Aproximadamente 130-185 GPa, lo que indica la rigidez de la oblea de silicio de 300 mm
Resistencia a la fractura: El silicio tiene una baja resistencia a la fractura, lo que significa que es propenso a agrietarse bajo estrés.
Conductividad térmica: alrededor de 149 W/m·K a 300 K, que es relativamente alta y beneficiosa para disipar el calor generado en dispositivos electrónicos.
Coeficiente de expansión térmica: Aproximadamente 2,6 x 10^-6 /K, lo que indica cuánto se expandirá la oblea con los cambios de temperatura.
Band Gap: El silicio tiene un intervalo de banda indirecto de aproximadamente 1.1 eV a temperatura ambiente, lo que es adecuado para crear dispositivos electrónicos como transistores.
Resistividad: varía según el dopaje; el silicio intrínseco tiene una alta resistividad (~ 10 ^ 3 Ω · cm), mientras que el silicio dopaje puede tener resistividades que van desde 10 ^ 3 a 10 ^ 3 Ω · cm.
Constante dieléctrica: Alrededor de 11,7 a 1 MHz, lo que afecta la capacitancia de los dispositivos hechos de silicio.
Estabilidad química: El silicio es químicamente estable y resistente a la mayoría de los ácidos y álcalis a temperatura ambiente, a excepción del ácido fluorhídrico (HF).
Oxidación: El silicio forma una capa de óxido nativa (SiO2) cuando se expone al oxígeno a temperaturas elevadas, que se utiliza en la fabricación de dispositivos semiconductores para aislamiento y capas protectoras.
 
Forma de Si- ¿ Qué es eso?
 

Parámetro/característicaDescripción/especificación
Tipo de materialSilicio monocristalino
Purificación990,9999% (6N) o más
Diámetro2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas, etc.
El grosorespesor estándar o personalizado según los requisitos del cliente
Orientación cristalinaEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero, que es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Orientación Tolerancia±0,5° o más de precisión
Tolerancia de espesorcon una precisión igual o superior a ± 5 μm
La superficie es plana≤ 1 μm o más
La rugosidad de la superficie< 0,5 nm RMS o más bajo

 
Fotos físicas de Si Wafer:
 
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor 02 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor 1

 

 Aplicación de las obleas de Si:

1Producción de microchips y fabricación de circuitos integrados
2MEMS y sistemas microelectromecánicos
3Fabricación de semiconductores y sensores
4Iluminación LED y creación de diodos láser
5- células y obleas solares y fotovoltaicas
6Componentes de equipos ópticos
7. I+D prototipos y pruebas
 

Imágenes de aplicación de la obletera de Si:

2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor 2

 
 
Imagen de embalaje de Si- ¿ Qué es eso?
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor 32 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor 4

 

Personalización:

Podemos personalizar el tamaño, el grosor y la forma, incluyendo los siguientes aspectos:
Orientación de cristal: las orientaciones comunes para las obleas de silicio de 300 mm incluyen <100>, <110> y <111>, cada una ofreciendo diferentes propiedades y ventajas electrónicas para varias aplicaciones.
Dopantes: las obleas de silicio de 300 mm se pueden dopar con elementos como fósforo (tipo n), boro (tipo p), arsénico y antimonio para alterar sus propiedades eléctricas.
Concentración de dopaje: puede variar ampliamente según la aplicación,Desde concentraciones muy bajas (~10^13 átomos/cm^3) para obleas de alta resistividad hasta concentraciones muy altas (~10^20 átomos/cm^3) para obleas de baja resistividad.
 

Preguntas frecuentes:

1.P: ¿Para qué se utiliza una oblea de silicio?
R:En electrónica, una oblea (también llamada una rebanada o sustrato) es una rebanada delgada de semiconductor, como un silicio cristalino (c-Si, silicio), utilizado para la fabricación de circuitos integrados y,en el sector fotovoltaico, para fabricar células solares.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre una oblea de silicio y un chip?
R:Si bien los chips y las obleas se utilizan típicamente indistintamente en la electrónica, hay algunas diferencias notables entre los dos.Una de las diferencias clave es que un chip o circuito integrado es un conjunto de componentes electrónicos, mientras que una oblea es un trozo delgado de silicio que se utiliza para la formación de circuitos integrados.
 

Recomendación de producto:

1.6 pulgadas N tipo de wafer de silicio pulido de alta pureza PVD / CVD recubrimiento
 
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor 5
2.8 pulgadas GaN-on-Si Epitaxy Si Substrato 110 111 110 para reactores MOCVD o aplicación de energía RF
 
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor 6

etiqueta:

oblea de semiconductor

substrato de la oblea

substrato del gasb

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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