 |
MgO Wafer 111 100 monocristalino de óxido de magnesio pulido Semiconductor personalizado
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Wafer de MgO |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
|---|---|
| Condiciones de pago: | T/T |
|
Información detallada |
|||
| Método del crecimiento: | Fusión de arco especial | Pureza típica: | 99.95% |
|---|---|---|---|
| Estructura de cristal: | Cubico | Constante de unidad de celda: | a = 4,212 Å |
| Punto de fusión (°C): | 2800 | Densidad: | 3.58 (g/cm3) |
| Dureza: | 5.5 (Mohs) | Coeficiente de expansión térmica, CTE (/K): | 11.2 x 10-6 |
| Resaltar: | Óxido de magnesio Monocristal MgO Wafer,Wafer de MgO personalizado,Wafer de MgO pulido |
||
Descripción de producto
Wafer MgO (111) (100) Óxido de magnesio pulido Semiconductor monocristalino personalizado
Descripción de la oblea de MgO:
Las obleas MgO de cristal único son un elemento básico de los laboratorios de película delgada para apoyar el crecimiento de película delgada epitaxial de óxido (y metal) de alta calidad, incluidos semiconductores, superconductores, dieléctricos, ferroeléctricos,y óxidos ferromagnéticosLos cristales de MgO crecen bien con defectos mínimos, lo que significa que está disponible hasta 2 pulgadas de diámetro y como material de alta dureza se puede pulir con una rugosidad cercana a la escala atómica (rms < 0.2 nm).
Debido a su alta transparencia (incluso a un espesor de 0,5 mm > 85%), a menudo se utiliza para experimentos ópticos para investigar la película en la parte superior,en cuyo caso se seleccionará el doble lado pulido si se realizan estas mediciones en modo de transmisión.
El carácter de la oblea de MgO:
Aislamiento eléctrico: las obleas de MgO presentan excelentes propiedades de aislamiento eléctrico, lo que las hace adecuadas para su uso en dispositivos electrónicos y capas aislantes en aplicaciones de semiconductores.
Estabilidad térmica: las obleas de MgO tienen una alta estabilidad térmica y pueden soportar altas temperaturas, lo que es ventajoso para aplicaciones que requieren resistencia al calor.
Transparencia óptica: en ciertas longitudes de onda, las obleas de MgO demuestran una buena transparencia óptica, lo que las hace útiles en aplicaciones optoelectrónicas como LED y diodos láser.
Dureza: Las obleas de MgO se caracterizan por su alta dureza, lo que contribuye a su durabilidad y resistencia al desgaste y la abrasión.
Inertitud química: las obleas de MgO son químicamente inertes y resistentes a la corrosión, lo que mejora su idoneidad para su uso en ambientes hostiles y procesos químicos.
Estructura cristalina: las obleas MgO suelen tener una estructura cristalina cúbica, lo que puede afectar sus propiedades físicas y ópticas.
Propiedades dieléctricas: las obleas de MgO presentan propiedades dieléctricas favorables, lo que las hace adecuadas para su uso en condensadores y otros componentes electrónicos.
Propiedades magnéticas: en ciertas configuraciones, las obleas de MgO pueden exhibir propiedades magnéticas, que son beneficiosas para aplicaciones en uniones de túneles magnéticos y dispositivos de almacenamiento magnético.
Forma de la oblea de MgO:
| Wafer de MgO | |
| Orientación del cristal | (100), (110) y (111) |
| Transmisión óptica | > 90% (200 ~ 400 nm), > 98% (500 ~ 1000 nm) |
| Constante dieléctrica | 9.65 |
| Tamaños | 10x10 mm, 20x20 mm, diámetro de 1 pulgada, diámetro de 2 pulgadas, diámetro de 60 mm |
Las obleas MgO de 3 pulgadas y las obleas MgO de 4 pulgadas están disponibles bajo petición. | |
| espesor estándar | 0.5 mm o 1.0 mm |
| Pulido | Las demás partidas de las máquinas de la partida 8511 |
| Orientación del cristal | +/- 0,5 grados |
| La rugosidad de la superficie, Ra: | < 0,5 nm (área de 5 μm x 5 μm) |
| Paquete | empaquetado con una bolsa limpia de clase 100 en una sala limpia de clase 1000 |
Foto física de la oblea de MgO:
Aplicación de la oblea de MgO:
1Industria de semiconductores: las obleas de MgO se utilizan en la industria de semiconductores para diversos propósitos, como material de sustrato para la deposición de películas finas, como capas aislantes en dispositivos electrónicos,y como capa amortiguadora en las uniones de túneles magnéticos.
2Optoelectrónica: las obleas de MgO encuentran aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos como LED (diodos emisores de luz) y diodos láser debido a sus propiedades de aislamiento eléctrico y transparencia a la luz.
3Almacenamiento magnético: En el campo del almacenamiento magnético,Las obleas de MgO se utilizan como capas de barrera de túnel en uniones de túnel magnético para aplicaciones en memoria de acceso aleatorio magnético (MRAM) y sensores magnéticos.
4. Revestimientos de barrera térmica: las obleas de MgO se utilizan en la fabricación de recubrimientos de barrera térmica debido a sus propiedades térmicas, como su alto punto de fusión y conductividad térmica.
5Imágenes médicas: las obleas de MgO se utilizan en tecnologías de imágenes médicas, como máquinas de rayos X y escáneres CT, como componentes en los detectores para convertir los rayos X en señales eléctricas.
6. Deposición de películas delgadas: las obleas de MgO se utilizan como sustratos para la deposición de películas delgadas en varias aplicaciones, incluidas la óptica, los sensores y la microelectrónica.
7Investigación y Desarrollo: las obleas de MgO se utilizan en laboratorios de investigación con fines experimentales, como el estudio del crecimiento de películas delgadas, las propiedades de la superficie y las estructuras electrónicas.
Imagen de aplicación de la oblea de MgO:
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Qué son los sustratos de óxido de magnesio?
R: El sustrato de cristal único de óxido de magnesio se utiliza para fabricar películas magnéticas, películas semiconductoras, películas ópticas, películas superconductoras de alta temperatura, etc.
2P: ¿Cómo limpia el sustrato MgO?
R: Los cristales únicos de óxido de magnesio absorben la humedad que daña la superficie de los cristales.Para limpiar los cristalesLos cristales deben mantenerse en esta solución hasta que estén listos para el crecimiento de la película.
Recomendación del producto:
1.2 pulgadas 4 pulgadas de pie libre GaN Gallium Nitride Wafer
2.SIC Wafer de carburo de silicio 4H - N Tipo para dispositivo MOS 2 pulgadas Diámetro 50,6 mm