• FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje

Datos del producto:

Place of Origin: China

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Información detallada

PL Wavelength control: Better than 3nm PL Wavelength uniformity: Std.Dev better than 1nm @inner 42mm
Thickness control: Better than +3% Thickness uniformity: Better than +3% @inner 42mm
Doping control: Better than ±10% P-InP doping (cm-°): Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm 3): Si doped: 5e17 to 3e18 AllnGaAs doping (cmr3): 1e17 to 2e18
Resaltar:

6 pulgadas de espesor Epiwafer InP Substrato

,

Substrato de InP de 350-650um

,

Substrato InP de 6 pulgadas

Descripción de producto

FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP sustrato dia 2 3 4 6 pulgadas de espesor:350-650um InGaAs doping

 

FP ((Fabry-Perot)) Abstracto del sustrato de Epiwafer InP

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje 0

 

El Epiwafer Fabry-Perot (FP) sobre sustratos de fosfuro de indio (InP) es un componente crítico en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento,especialmente los diodos láser utilizados en sistemas de comunicación ópticaEl sustrato InP ofrece una excelente compatibilidad de red con materiales como InGaAsP, lo que permite el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad.rango de longitud de onda de 55 μmLos láseres FP, cultivados en estas epiwafers, son una herramienta que permite a las fibras ópticas transmitir información a través de una banda de fibra óptica, lo que las hace ideales para la comunicación de fibra óptica debido a las características de baja pérdida de las fibras ópticas en este espectro.se utilizan ampliamente en interconexiones de centros de datos, detección ambiental y diagnóstico médico, proporcionando soluciones rentables con un buen rendimiento.La estructura más simple de los láseres FP en comparación con diseños más complejos como los láseres DFB (Distributed Feedback) los convierte en una opción popular para aplicaciones de comunicación de mediano alcanceLos epiwafers FP basados en inP son esenciales en industrias que requieren componentes ópticos de alta velocidad y fiables.

 

 


FP ((Fabry-Perot)) el escaparate del sustrato InP de Epiwafer

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje 1

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje 2

 


FP ((Fabry-Perot)) Hoja de datos del sustrato de Epiwafer InP

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje 3


FP ((Fabry-Perot)) La estructura del sustrato InP del Epiwafer

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje 4

 

  • InP Substrato (base)
  • Capa de amortiguador (aplanamiento de la superficie)
  • Región activa (pozos cuánticos)
  • Las capas de revestimiento (confinamiento óptico)
  • Las capas de tipo P y N (inyección de portadores)
  • Las capas de contacto (contactos eléctricos)
  • Facetas reflectantes (cavidad láser FP)

 
FP ((Fabry-Perot)) Aplicación del sustrato InP de Epiwafer
 

Las Epiwafer de Fabry-Perot (FP) en sustratos de fosfuro de indio (InP) se utilizan ampliamente en varias aplicaciones optoelectrónicas debido a sus propiedades eficientes de emisión de luz, particularmente en el 1.de 3 μm a 1Los siguientes son las principales aplicaciones:

1.Comunicación por fibra óptica

  • Diodos láser: Los láseres FP se utilizan comúnmente como fuentes de luz en los sistemas de comunicación de fibra óptica, especialmente para la transmisión de datos de corto a medio alcance.que funcionan a longitudes de onda que minimizan la pérdida de señal en las fibras ópticas.
  • Transceptores y módulos ópticos: Los láseres FP integrados en transceptores ópticos permiten la conversión de señales eléctricas en señales ópticas para la transmisión de datos a través de redes de fibra óptica.

2.Interconexiones del centro de datos

  • Conectividad de alta velocidad: Los láseres FP en los centros de datos proporcionan interconexiones ópticas de alta velocidad y baja latencia entre servidores y equipos de red.

3.Sensores ambientales y detección de gases

  • Sensores de gas: Los láseres FP se utilizan en sistemas de detección de gases para detectar gases específicos, como el CO2 y el CH4, ajustándose a las longitudes de onda de absorción de estos gases.Estos sistemas se utilizan para aplicaciones de vigilancia ambiental y seguridad industrial..

4.Diagnóstico médico

  • Tomografía de coherencia óptica (OCT): Los láseres FP se utilizan en sistemas OCT para la obtención de imágenes médicas no invasivas, particularmente en oftalmología, dermatología y diagnóstico cardiovascular.Estos sistemas aprovechan la alta velocidad y precisión de los láseres FP para obtener imágenes detalladas de tejidos.

5.Sistemas LIDAR

  • Vehículos autónomos y cartografía: Los láseres FP se utilizan en sistemas LIDAR (Light Detection and Ranging) para aplicaciones como la conducción autónoma, el mapeo 3D y el escaneo ambiental,cuando sean esenciales medidas de distancia de alta resolución.

6.Circuitos integrados fotónicos (PIC)

  • Fotónica integrada: FP Los Epiwafers son materiales fundamentales para el desarrollo de circuitos integrados fotónicos que integran múltiples dispositivos fotónicos (por ejemplo, láseres,detectores) en un solo chip para el procesamiento y comunicación de señales de alta velocidad.

7.Comunicación por satélite y aeroespacial

  • Comunicación de alta frecuencia: Los láseres FP basados en el inP se utilizan en sistemas de comunicación por satélite para la transmisión de datos de alta frecuencia a larga distancia en aplicaciones espaciales y aeroespaciales.

8.Investigación y desarrollo

  • Prototipos y pruebas: FP Epiwafers se utilizan en I+D para desarrollar nuevos dispositivos optoelectrónicos, mejorar el rendimiento de los diodos láser y explorar nuevas longitudes de onda para tecnologías emergentes.

Estas aplicaciones ponen de manifiesto la versatilidad de los Epiwafers FP en sustratos InP, que proporcionan soluciones eficientes y rentables en campos como las telecomunicaciones, el diagnóstico médico, la tecnología de la información y la comunicación.detección del medio ambiente, y sistemas ópticos de alta velocidad.

 


 

 

FP ((Fabry-Perot)) la ventaja del sustrato InP de Epiwafer
 
  • Emisión de luz eficiente en longitudes de onda clave:

    • Los epiwafers FP en sustratos InP están optimizados para emitir en el rango de longitudes de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, lo que se alinea con las ventanas de transmisión de baja pérdida en fibras ópticas,lo que los hace ideales para la comunicación de fibra óptica.
  • Rendimiento a alta velocidad:

    • Los sustratos InP tienen una excelente movilidad electrónica, lo que permite a los láseres FP lograr un funcionamiento de alta velocidad y admitir la transmisión de datos de alta frecuencia.Esto los hace adecuados para aplicaciones de alto ancho de banda como centros de datos y telecomunicaciones.
  • Fabricación rentable:

    • En comparación con las estructuras láser más complejas como los láseres de retroalimentación distribuida (DFB), los láseres FP tienen un diseño más simple.Esto se traduce en costes de producción más bajos y, al mismo tiempo, ofrece un buen rendimiento para aplicaciones de corto a mediano alcance.
  • Aplicaciones versátiles:

    • Las epiwafers FP se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, desde comunicación de fibra óptica e interconexiones de centros de datos hasta detección ambiental, diagnóstico médico (OCT) y sistemas LIDAR.Su versatilidad es una gran ventaja en todas las industrias.
  • Proceso de fabricación más simple:

    • Los láseres FP son más fáciles de fabricar en comparación con otros tipos de láseres, como los láseres DFB, debido a que dependen de facetas hendidas naturalmente reflectantes en lugar de rejillas complejas,reducción de la complejidad y el coste de fabricación.
  • Buena flexibilidad de longitud de onda:

    • Los láseres FP se pueden ajustar a través de un rango de longitudes de onda ajustando la corriente o la temperatura, proporcionando flexibilidad para diferentes aplicaciones, especialmente en sistemas de detección y comunicación.
  • Bajo consumo de energía:

    • Los láseres FP basados en epiwafers InP tienden a tener un menor consumo de energía, lo que los hace eficientes para despliegues a gran escala en redes de comunicación de datos y de detección donde la eficiencia energética es crítica.
 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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