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2 pulgadas 3 pulgadas InP láser epitaxial Wafer fosfuro de indio epi Wafer semiconductor personalizar FP diodo láser
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Model Number: | InP Laser Epitaxial Wafe |
Pago y Envío Términos:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
|---|---|
| Payment Terms: | T/T |
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Información detallada |
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| Substrate: | InP Laser Epitaxial Wafe | Polishing: | DSP SSP |
|---|---|---|---|
| PL Wavelength Control:: | Better Than 3nm | PL Wavelength Uniformity:: | Std. Dev Better Than 1nm @inner 42mm |
| P-InP Doping (cm-3):: | Zn Doped; 5e17 To 2e18 | N-InP Doping (cm-3):: | Si Doped; 5e17 To 3e18 |
| Resaltar: | 2 pulgadas InP láser epitaxial oblea,Wafer epitaxial con láser de 3 pulgadas,Wafer epitaxial con láser semiconductor |
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Descripción de producto
2 pulgadas 3 pulgadas InP láser epitaxial Wafer Índio fosfuro epi Wafer semiconductor personalizar FP diodo láser
Descripción de la oblea epitaxial láser InP:
El fosfuro de indio (InP) es un material semiconductor clave que permite a los sistemas ópticos ofrecer el rendimiento requerido para el centro de datos, la conexión móvil, el metro y las aplicaciones de larga distancia.Los fotodiodos y los guías de onda fabricados en obleas epitaxiales inP funcionan en la ventana de transmisión óptima de fibra de vidrio., que permiten comunicaciones de fibra eficiente.
La oblea epitaxial láser InP es un sustrato semiconductor especializado que consiste en múltiples capas de diferentes materiales cultivados en una oblea de fosfuro de indio (InP) mediante técnicas de crecimiento epitaxial.Estas capas adicionales son cuidadosamente diseñadas para crear estructuras adecuadas para aplicaciones láser.
Las obleas epitaxiales de láser InP son componentes cruciales en la fabricación de láseres semiconductores, incluidos los láseres emisores de borde y los láseres emisores de superficie de cavidad vertical (VCSEL).Las capas epitaxiales están diseñadas con propiedades ópticas y eléctricas específicas para permitir una emisión y amplificación de luz eficientes, haciéndolos esenciales en varios dispositivos optoelectrónicos para telecomunicaciones, sensores y otras aplicaciones que requieren tecnología láser.
El carácter de la oblea epitaxial láser InP:
Propiedades ópticas:
Longitud de onda de emisión: longitud de onda de emisión ajustable en el espectro infrarrojo.
Eficiencia cuántica alta: Eficiencia de emisión de luz y propiedades de amplificación.
Bajo coeficiente de absorción: permite bajas pérdidas ópticas dentro del material.
Propiedades estructurales:
Estructura epitaxial en capas: Consiste en múltiples capas de diferentes materiales semiconductores cultivados en un sustrato InP.
Superficie lisa: la superficie uniforme y libre de defectos es crucial para el rendimiento del láser.
espesor controlado: el espesor de cada capa se controla con precisión para las propiedades ópticas y eléctricas específicas.
Propiedades eléctricas:
Movilidad del transportista: alta movilidad del transportista para un transporte eficiente de carga.
Baja densidad de defectos: pocos defectos de cristal para un mejor rendimiento electrónico.
Formación de uniones P-N: Capacidad para formar uniones P-N para el funcionamiento del láser.
Propiedades térmicas:
Alta conductividad térmica: disipación eficiente del calor generado durante el funcionamiento del láser.
Estabilidad térmica: mantiene la integridad estructural en diferentes condiciones de funcionamiento.
Fabricabilidad:
Compatibilidad: Compatible con los procesos estándar de fabricación de semiconductores.
Uniformidad: Propiedades consistentes en toda la oblea para la producción en masa.
Personalizabilidad: diseños epitaxiales a medida para aplicaciones láser específicas.
Forma de la oblea epitaxial con láser InP:
| Parámetros del producto | Wafer epitaxial DFB | Wafer epitaxial DFB de alta potencia | Wafer epitaxial de fotónica de silicio |
| el tipo de interés | 10G/25G/50G | / | / |
| longitud de onda | 1310 nm | ||
| tamaño | Dos tercios de pulgada | ||
| Características del producto | Se aplican las siguientes medidas: | Tecnología BH | PQ /AlQ DFB |
| PL Control de longitud de onda | Mejor que 3nm | ||
| LPL Uniformidad de longitud de onda | El STD.Dev es mejor que 1nm @inner | ||
| Control del espesor | 42 mmMejor que +3% | ||
| Uniformidad del grosor | Mejor que el +3% @ interior 42 mm | ||
| Control del dopaje | Mejor que +10% | ||
| Dopaje de P-lnP (cm-3) | Zn dopado; 5e17 a 2e18 | ||
| Dopaje de N-InP (cm-3) | Si dopado; 5e17 a 3e18 | ||
Foto física de la oblea epitaxial con láser de InP:
Estructura predeterminada de la capa EPl de la onda epitaxial láser InP:
Aplicación de la oblea epitaxial con láser InP:
Diodos láser: adecuados para láseres emisores de borde y VCSEL.
Telecomunicaciones: Es vital para los sistemas de comunicación óptica.
Sensores e imágenes: se utilizan en sensores ópticos y aplicaciones de imágenes.
Dispositivos médicos: se emplean en sistemas láser médicos.
Imagen de aplicación de la oblea epitaxial láser InP:
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Qué es una oblea epitaxial?
R: Una oblea epitaxial (también llamada oblea epi, epi-wafer o epiwafer) es una oblea de material semiconductor hecha por crecimiento epitaxial (epitaxia) para su uso en fotónica, microelectrónica, espintrónica,o energía fotovoltaica.
2.P: ¿Cuáles son las ventajas de InP?
R: Las ventajas distintivas que ofrecen las obleas InP: Alta movilidad de electrones: InP presenta una movilidad de electrones casi diez veces mayor que la del silicio,lo que lo hace perfecto para transistores y amplificadores de alta velocidad en sistemas de telecomunicaciones y radar.
Recomendación del producto:
Palabra clave: InP Laser Epitaxial Wafe.En el P