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N-GaAs Substrato 6 pulgadas 350um espesor Para uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
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Información detallada |
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| Cavity mode Tolerance: | Within ± 3% | Cavity mode Uniformity: | <= 1% |
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| Doping level tolerance: | Within ± 30% | Doping level Uniformity: | <= 10% |
| PL Uniformidad de la longitud de onda: | Es mejor que 2nm @ interior 140mm | Uniformidad de espesor: | Mejor que ± 3% @interior 140 mm |
| Mole fraction x tolerance: | Within ±0.03 | Mole fraction x Uniformity: | <= 0.03 |
| Resaltar: | 350um VCSEL N-GaAs y sustrato,Substrato de N-GaAs de 350um,Substrato de N-GaAs de 6 pulgadas |
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Descripción de producto
Substrato N-GaAs de 6 pulgadas de espesor de 350um para uso VCSEL EpiWafer OptiWave VCSEL
Resumen del sustrato del epiWafer N-GaAs de VCSEL
ElEpiWafer VCSEL en sustrato de N-GaAsestá diseñado para aplicaciones ópticas de alto rendimiento, en particular paraGigabit EthernetyComunicación por enlace de datos digitalConstruido sobre una oblea de 6 pulgadas, cuenta con ununa matriz láser de alta uniformidady soporta longitudes de onda ópticas del centro de850 nmy940 nmLa estructura está disponible en cualquiera de los doscontenidos en óxidoo bienImplante de protones VCSELLa oblea está optimizada para aplicaciones que requieren una mayor flexibilidad en el diseño y el rendimiento.baja dependencia de las características eléctricas y ópticas sobre la temperatura, por lo que es ideal para su uso enratones láser,Comunicación óptica, y otros entornos sensibles a la temperatura.
Estructura del sustrato de N-GaAs del epiWafer VCSEL
Fotografía del sustrato de N-GaAs del epiWafer VCSEL
Hoja de datos del sustrato del epiWafer N-GaAs de VCSELSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Las propiedades del sustrato del epiWafer N-GaAs de VCSEL
ElEpiWafer VCSEL en sustrato de N-GaAstiene varias propiedades clave que lo hacen adecuado para aplicaciones ópticas de alto rendimiento:
Substrato de N-GaAs:
- Proporciona excelenteconductividad eléctricay sirve como base estable para el crecimiento epitaxial de las estructuras VCSEL.
- Ofertasbaja densidad de defectos, que es crucial para un funcionamiento fiable y de alto rendimiento del dispositivo.
Tonabilidad en longitud de onda:
- Apoyos850 nmy940 nmLa tecnología de la tecnología de la información y la comunicación (TIC) es una herramienta que se utiliza en el campo de la tecnología de la información y la comunicación.Comunicación ópticayDetección 3D.
Arranco láser de alta uniformidad:
- Asegura un rendimiento constante en toda la oblea, crucial para los dispositivos basados en matriz encentros de datosyredes de fibra óptica.
Implante de óxido o protón confinado:
- Disponible encontenidos en óxidoo bienImplante de protónLas estructuras VCSEL, ofrecen flexibilidad en el diseño para optimizar el rendimiento para aplicaciones específicas.
Estabilidad térmica:
- Diseñados para exhibirbaja dependencia de las características eléctricas y ópticas en un amplio rango de temperaturas, garantizando un funcionamiento estable en entornos sensibles a la temperatura.
Alta potencia y velocidad:
- La estructura de la oblea soportaTransmisión de datos de alta velocidadyfuncionamiento de alta potencia, por lo que es adecuado paraGigabit Ethernet,comunicación de datos, yEl LIDARlos sistemas.
Escalabilidad:
- El formato de la oblea de 6 pulgadas permiteproducción rentable, que apoya la fabricación a gran escala y la integración en varios sistemas ópticos.
Estas propiedades hacen que el epiWafer VCSEL en sustrato N-GaAs sea ideal para aplicaciones que requieren una alta eficiencia, estabilidad a temperatura y un rendimiento confiable.