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6 pulgadas de Wafer SiC 4H/6H-P Substrato de carburo de silicio DSP (111) Semiconductor RF láseres LED de microondas
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | Entre 2 y 4 semanas |
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| Payment Terms: | 100%T/T |
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Información detallada |
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| El material: | Carburo de silicio | Diámetro: | 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas |
|---|---|---|---|
| Particle: | Free/Low Particle | Resistivity: | High/Low Resistivity |
| El grosor: | 350um | Surface Finish: | Single/Double Side Polished |
| Grado: | Maniquí de la investigación de la producción | Type: | 4H/6H-P |
| Resaltar: | Wafer DSP de SiC,Wafer de SiC 4H/6H-P,Wafer de SiC de 6 pulgadas |
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Descripción de producto
Oblea de carburo de silicio de 6 pulgadas, sustrato de carburo de silicio 4H/6H-P, DSP (111), semiconductores, RF, microondas, LED, láseres
Descripción de la oblea de SiC:
Oblea de carburo de silicio (SiC) tipo P de 6 pulgadas en politipo 4H o 6H. Tiene propiedades similares a las de la oblea de carburo de silicio (SiC) tipo N, como resistencia a altas temperaturas, alta conductividad térmica, alta conductividad eléctrica, etc. El sustrato de SiC tipo P se utiliza generalmente para la fabricación de dispositivos de potencia, especialmente la fabricación de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT). El diseño de IGBT a menudo implica uniones PN, donde el SiC tipo P puede ser ventajoso para controlar el comportamiento de los dispositivos.
Características de la oblea de SiC:
1. Resistencia a la radiación:
El carburo de silicio es altamente resistente al daño por radiación, lo que hace que las obleas de SiC 4H/6H-P sean ideales para su uso en aplicaciones espaciales y nucleares donde la exposición a la radiación es significativa.
2. Banda ancha:
4H-SiC: La banda prohibida es de aproximadamente 3,26 eV.
6H-SiC: La banda prohibida es ligeramente menor, de aproximadamente 3,0 eV.
Estos amplios intervalos de banda permiten que las obleas de SiC funcionen a temperaturas y voltajes más altos en comparación con los materiales basados en silicio, lo que las hace ideales para la electrónica de potencia y condiciones ambientales extremas.
3. Campo eléctrico de ruptura alta:
Las obleas de SiC tienen un campo eléctrico de ruptura mucho más alto (aproximadamente diez veces el del silicio). Esto permite el diseño de dispositivos de potencia más pequeños y eficientes que pueden manejar altos voltajes.
4. Alta conductividad térmica:
El SiC tiene una excelente conductividad térmica (entre 3 y 4 veces superior a la del silicio), lo que permite que los dispositivos fabricados con estas obleas funcionen a alta potencia sin sobrecalentarse. Esto los hace ideales para aplicaciones de alta potencia donde la disipación del calor es fundamental.
5. Alta movilidad electrónica:
El 4H-SiC tiene una mayor movilidad de electrones (~950 cm²/Vs) en comparación con el 6H-SiC (~400 cm²/Vs), lo que significa que el 4H-SiC es más adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
Esta alta movilidad de electrones permite velocidades de conmutación más rápidas en dispositivos electrónicos, lo que hace que el 4H-SiC sea preferible para aplicaciones de RF y microondas.
6. Estabilidad de la temperatura:
Las obleas de SiC pueden funcionar a temperaturas muy superiores a los 300 °C, mucho más altas que los dispositivos basados en silicio, que normalmente están limitados a 150 °C. Esto las hace muy deseables para su uso en entornos hostiles, como los sistemas automotrices, aeroespaciales e industriales.
7. Alta resistencia mecánica:
Las obleas de SiC son mecánicamente robustas, con una excelente dureza y resistencia a la tensión mecánica. Son adecuadas para su uso en entornos donde la durabilidad física es esencial.
Forma de oblea de SiC:
| Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas de diámetro | |||||
| Calificación | Producción de MPD cero Grado (Grado Z) |
Producción estándar Grado (Grado P) |
Grado ficticio (Grado D) |
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| Diámetro | 145,5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| Espesor | 350 ± 25 µm | ||||
| Orientación de las obleas | Fuera del eje: 2,0°-4,0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidad de microtubos | 0 cm-2 | ||||
| Resistividad | tipo p 4H/6H-P | ≤0,1 Ω.cm | ≤0,3 Ω.cm | ||
| Orientación plana primaria | tipo p 4H/6H-P | {1010} ± 5,0° | |||
| Longitud plana primaria | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longitud plana secundaria | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientación plana secundaria | Cara de silicio hacia arriba: 90° CW desde la superficie plana principal ± 5,0° | ||||
| Exclusión de bordes | 3 milímetros | 6 milímetros | |||
| LTV/TTV/Arco/Urdimbre | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |||
| Aspereza | Polaco Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Grietas en los bordes por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| Placas hexagonales con luz de alta intensidad | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,1% | |||
| Áreas de politipos con luz de alta intensidad | Ninguno | Área acumulada ≤3% | |||
| Inclusiones de carbono visuales | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |||
| Rayaduras en la superficie de silicio por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| Chips de borde alto por intensidad de luz | No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad | Se permiten 5, ≤1 mm cada uno | |||
| Contaminación de superficies de silicio por alta intensidad | Ninguno | ||||
| Embalaje | Casete multi-obleas o contenedor de una sola oblea | ||||
Aplicación de la oblea de SiC:
Electrónica de potencia:
Se utiliza en diodos, MOSFET e IGBT para aplicaciones de alto voltaje y alta temperatura como vehículos eléctricos, redes eléctricas y sistemas de energía renovable.
Dispositivos de RF y microondas:
Ideal para dispositivos de alta frecuencia como amplificadores de RF y sistemas de radar.
LED y láseres:
El SiC también se utiliza como material de sustrato para la producción de LED y láseres basados en GaN.
Electrónica automotriz:
Se utiliza en componentes del sistema de propulsión y sistemas de carga de vehículos eléctricos.
Aeroespacial y Militar:
Debido a su dureza a la radiación y estabilidad térmica, las obleas de SiC se utilizan en satélites, radares militares y otros sistemas de defensa.
Aplicaciones industriales:
Se utiliza en fuentes de alimentación industriales, accionamientos de motores y otros sistemas electrónicos de alta potencia y alta eficiencia.
Imagen de aplicación de la oblea de SiC:
Personalización:
La personalización de obleas de carburo de silicio (SiC) es esencial para satisfacer las necesidades específicas de diversas aplicaciones científicas, industriales y electrónicas avanzadas. Podemos ofrecer una variedad de parámetros personalizables para garantizar que las obleas estén optimizadas para los requisitos particulares de cada dispositivo. A continuación, se presentan los aspectos clave de la personalización de obleas de SiC:Orientación del cristal; diámetro y espesor; tipo y concentración de dopaje; pulido y acabado de superficies; resistividad; capa epitaxial; planos y muescas de orientación; combinaciones de SiC sobre Si y otros sustratos.
Embalaje y envío:
Preguntas frecuentes:
1.P: ¿Qué es 4H y 6H SiC?
A: El 4H-SiC y el 6H-SiC representan estructuras cristalinas hexagonales, donde la "H" indica simetría hexagonal y los números 4 y 6 las capas en sus celdas unitarias. Esta variación estructural afecta la estructura de banda electrónica del material, que es un determinante clave del rendimiento de un dispositivo semiconductor.
2.P: ¿Qué es el sustrato tipo P?
A: El material de tipo p es un semiconductor que tiene un portador de carga positiva, conocido como hueco. El hueco se crea al introducir una impureza en el material semiconductor, que tiene un electrón de valencia menos que los átomos del semiconductor.
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