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Wafer 3C-N SiC de 4 pulgadas de carburo de silicio de grado primario de grado falso de alta movilidad de electrones RF LED
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
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| Delivery Time: | 2 weeks |
| Payment Terms: | 100%T/T |
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Información detallada |
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| Exclusión del borde: | ≤ 50 mm | Material: | Carburo de silicio |
|---|---|---|---|
| Arco/deformación: | ≤ 50 mm | La rugosidad de la superficie: | ≤1.2nm |
| La superficie es plana: | Lambda/10 | Grado: | Maniquí de la investigación de la producción |
| orientación: | En-AXIS/de fuera del eje | Partícula: | Partícula libre/baja |
| Resaltar: | Wafer de carburo de silicio de primera calidad,oblea del carburo de silicio 4inch,Wafer de carburo de silicio con LED de RF |
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Descripción de producto
Wafer 3C-N SiC de 4 pulgadas de carburo de silicio de grado primario de grado falso de alta movilidad de electrones RF LED
Descripción de la oblea de SiC 3C-N:
Podemos ofrecer obleas de carburo de silicio 3C-N de 4 pulgadas con sustratos N-Tipo SiC.Tiene una estructura cristalina de carburo de silicio donde los átomos de silicio y carbono están dispuestos en una red cúbica con una estructura similar a un diamanteTiene varias propiedades superiores al 4H-SiC ampliamente utilizado, como una mayor movilidad de electrones y velocidad de saturación.y es más fácil de fabricar que la oblea 4H-SiC actualEs excepcionalmente adecuado para dispositivos electrónicos de potencia.
El carácter de la oblea 3C-N SiC:
1Amplia banda de separación
Alta tensión de ruptura: las obleas 3C-N SiC tienen una amplia banda (~ 3.0 eV), lo que permite un funcionamiento de alto voltaje y las hace adecuadas para la electrónica de potencia.
2Alta conductividad térmica
Difusión de calor eficiente: Con una conductividad térmica de aproximadamente 3,0 W/cm·K, estas obleas pueden disipar el calor de manera efectiva, lo que permite que los dispositivos funcionen a niveles de potencia más altos sin sobrecalentamiento.
3Alta movilidad de electrones
Rendimiento mejorado: La alta movilidad de electrones (~ 1000 cm2/V·s) conduce a velocidades de conmutación más rápidas, lo que hace que el 3C-N SiC sea ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
4. Resistencia mecánica
Durabilidad: las obleas 3C-N SiC presentan excelentes propiedades mecánicas, incluida una alta dureza y resistencia al desgaste, lo que mejora su fiabilidad en diversas aplicaciones.
5Estabilidad química
Resistencia a la corrosión: El material es químicamente estable y resistente a la oxidación, por lo que es adecuado para ambientes hostiles.
6. Corrientes de baja fuga
Eficiencia: La baja corriente de fuga en los dispositivos fabricados con obleas de SiC 3C-N contribuye a mejorar la eficiencia en la electrónica de potencia.
Forma de las obleas de SiC 3C-N:
| Grado | Grado de producción | Grado de imitación |
| Diámetro | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero | |
| El grosor | 350 mm +/- 25 mm | |
| Polítipo | 3C | |
| Densidad de micropipo (MPD) | 5 cm-2 | 30 cm-2 |
| Resistencia eléctrica | 0.0005~0.001 Ohm.cm | 0.001~0.0015 Ohm.cm |
Comparación de las propiedades del SiC:
| Propiedad | 4H-SiC de cristal único | Cristales únicos de 3C-SiC |
| Parámetros de la red (Å) |
a=3.076 c es igual a 10.053 |
a es igual a 4.36 |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | El ABC |
| Densidad (g/cm3) | 3.21 | 3.166 |
| Dureza de Mohs | - 9 años.2 | - 9 años.2 |
| Coeficiente de expansión térmica (CTE) (/K) | 4 a 5 x 10 a 6 | 2.5-3.5 x10-6 |
| Constante dieléctrica | C ~ 9.66 | C ~ 9.72 |
| Tipo de dopaje | Tipo N o semisolvente o tipo P | Tipo N |
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero | 3.23 | 2.4 |
| Velocidad de deriva de saturación (m/s) | 2.0 x 105 | 2.5 x 105 |
| Tamaños de la oblea y del sustrato | Wafers: 2, 4 pulgadas; sustratos más pequeños: 10x10, 20x20 mm, otros tamaños están disponibles y pueden ser hechos a medida a petición | |
Foto física de la oblea de SiC 3C-N:
Aplicaciones de las obleas de SiC 3C-N:
1Electrónica de energía
Dispositivos de alta potencia: Se utilizan en MOSFETs y IGBT de potencia debido a su alto voltaje de ruptura y conductividad térmica.
Dispositivos de conmutación: son ideales para aplicaciones que requieren una alta eficiencia, como los convertidores e inversores de CC a CC.
2. Dispositivos de RF y microondas
Transistores de alta frecuencia: Se utilizan en amplificadores de RF y dispositivos de microondas, beneficiándose de la alta movilidad de los electrones.
Radar y sistemas de comunicación: empleados en comunicaciones por satélite y tecnología de radar para mejorar el rendimiento.
3Tecnología LED
LED azul y ultravioleta: el 3C-SiC puede utilizarse en la producción de diodos emisores de luz, en particular para aplicaciones de luz azul y UV.
4. Aplicaciones a altas temperaturas
Sensores: adecuados para sensores de alta temperatura utilizados en aplicaciones automotrices e industriales.
Aeroespacial: Se utiliza en componentes que deben funcionar eficazmente en entornos extremos.
Imagen de aplicación de la oblea de SiC 3C-N:
Embalaje y envío de las obleas de SiC 3C-N:
Personalizado:
Los productos de cristal de SiC personalizados se pueden hacer para cumplir con los requisitos y especificaciones particulares del cliente.
Recomendación del producto:
1.2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas Wafer Sic 4H-N / Tipo Semi
2.6 pulgadas de Wafer SiC 4H/6H-P