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Wafers de carburo de silicio 3C-N Tipo 5*5 10*10mm Pulgadas Diámetro espesor 350 μm±25 μm
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
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| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Diámetro: | 99.5 mm~100,0 mm | El grosor: | 350 μm ± 25 μm |
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| Orientación de la oblea: | Fuera del eje: 2,0°-4,0° hacia [110] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje: 111± 0,5° para 3C-N | Densidad de Micropipe: | 0 cm-2 |
| el tipo p 4H/6H-P: | ≤ 0,1 Ω ̊cm | Tipo n 3C-N: | ≤ 0,8 mΩ cm |
| Longitud plana primaria: | 32,5 mm ± 2,0 mm | Longitud plana secundaria: | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Placas hexagonales con luz de alta intensidad: | Área acumulada ≤ 0,05% | ||
| Resaltar: | Oferta de carburo de silicio fuera del eje,Oferta de carburo de silicio de 5*5,Oferta de carburo de silicio 3C-N |
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Descripción de producto
Wafers de carburo de silicio tipo 3C-N de 5*5 y 10*10 mm de diámetro de pulgada, grosor 350 μm±25 μm
Las hojas de carburo de silicio del tipo 3C-N
Este resumen presenta las obleas de tipo 3C-N de carburo de silicio (SiC), disponibles en tamaños de 5x5 mm y 10x10 mm con un grosor de 350 μm ± 25 μm.Estas obleas están diseñadas para satisfacer las necesidades precisas de aplicaciones de alto rendimiento en optoelectrónicaCon su conductividad térmica superior, resistencia mecánica y propiedades eléctricas, las obleas SiC 3C-N ofrecen una mayor durabilidad y disipación de calor.haciendo que sean ideales para dispositivos que requieren una alta estabilidad térmica y una gestión eficiente de la energíaLas dimensiones y el grosor especificados aseguran la compatibilidad en una amplia gama de aplicaciones industriales y de investigación avanzadas.
Muestra de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N
Propiedades y gráfico de datos de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N
Tipo de material: Carburo de silicio 3C-N (SiC)
Esta forma cristalina ofrece excelentes propiedades mecánicas y térmicas, adecuadas para aplicaciones de alto rendimiento.
Tamaño:
Disponible en dos tamaños estándar: 5x5mm y 10x10mm.
El grosor:
espesor: 350 μm ± 25 μm
El espesor controlado con precisión garantiza la estabilidad mecánica y la compatibilidad con diversos requisitos del dispositivo.
Conductividad térmica:
El SiC presenta una conductividad térmica superior, lo que permite una disipación de calor eficiente, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren gestión térmica, como lentes AR y electrónica de potencia.
Fuerza mecánica:
SiC tiene una alta dureza y resistencia mecánica, proporcionando durabilidad y resistencia al desgaste y la deformación, esenciales para entornos exigentes.
Propiedades eléctricas:
Las obleas de SiC poseen un alto voltaje de ruptura eléctrica y una baja expansión térmica, que son cruciales para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.
Claridad óptica:
El SiC tiene una excelente transparencia en ciertas longitudes de onda ópticas, lo que lo hace adecuado para su uso en tecnologías optoelectrónicas y AR.
Alta estabilidad:
La resistencia del SiC al estrés térmico y químico garantiza su fiabilidad a largo plazo en condiciones adversas.
Estas propiedades hacen que las obleas de tipo SiC 3C-N sean muy versátiles para su uso en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados, así como en tecnologías AR de próxima generación.
5*5 & 10*10En el caso de los ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ Seco 晶片产品标准 (producto de las placas de cristal)
5*5 & 10*10 mm pulgadas Diámetro Sílicecon Carburo (SiC)
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grado de grado |
El grado de investigación. Grado de investigación (Grado R) |
试片级 Grado de imitación (Grado D) |
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Grado de producción (grado P) |
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| Diámetro | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | |||||
| 厚度 espesor | 350 μm±25 μm | |||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea | En el eje opuesto: 2,0°-4,0° hacia adelante [112 | 0] ± 0,5° para 4H/6H-P, sobre el eje: ∆111 ∆± 0,5° para 3C-N | ||||
| 微管密度 Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | |||||
| 电阻率 ※Resistencia | 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω.cm | ||||
| 3C-N | ≤ 0,8 mΩ•cm | |||||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P | {10-10} ± 5,0° | ||||
| 3C-N | {1-10} ± 5,0° | |||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 15.9 mm ± 1,7 mm | |||||
| Duración de la línea secundaria | 8.0 mm ±1,7 mm | |||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | |||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 3 mm | ||||
| 总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 TTV/Bow /Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||||
| 表面粗度※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | |||||
| CMP Ra≤0,2 nm | ||||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 1 mm | ||||
| 六方空洞 ((强光灯观测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1 % | Área acumulada ≤ 3% | ||||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 2 % | Área acumulada ≤ 5% | |||
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Si 面划痕 ((强光灯观测) # Si 面划痕 ((强光灯观测)) # Si 面划痕 (Si 面划痕) 强光灯观测) La superficie del silicio se araña con luz de alta intensidad |
Ninguno 3 permitido, ≤0,5 mm cada uno 5 permitidos, ≤1 mm cada uno
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5 arañazos en una oblea Diámetro longitud acumulada |
8 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz de luz | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
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- ¿Qué es eso? - ¿Qué es eso? Contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad |
No hay | |||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | |||||
Las notas:
※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto a la zona de exclusión de los bordes.
Aplicaciones de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N
Las obleas de carburo de silicio (SiC), específicamente tipo 3C-N, son una variante de SiC que posee características únicas debido a su estructura cristalina cúbica (3C-SiC).Estas obleas se utilizan principalmente en varias aplicaciones de alto rendimiento y especializadas debido a sus excelentes propiedadesAlgunas aplicaciones clave de las obleas de SiC tipo 3C-N incluyen:
1.Electrónica de potencia
- Dispositivos de alta tensión: Las obleas de SiC son ideales para fabricar dispositivos de energía como MOSFET, diodos Schottky e IGBT. Estos dispositivos se utilizan en entornos de alto voltaje y alta temperatura,como los vehículos eléctricos (VE), vehículos eléctricos híbridos (VEH) y sistemas de energía renovable (como inversores solares).
- Conversión eficiente de energía: El SiC permite una mayor eficiencia y una reducción de las pérdidas de energía en los sistemas de conversión de potencia, como los convertidores de CC-CC y los motores motrices.
2.Dispositivos de alta frecuencia
- Aplicaciones de RF: El 3C-SiC es adecuado para aplicaciones de RF y microondas, incluidos los sistemas de radar, las comunicaciones por satélite y la tecnología 5G debido a su alta movilidad de electrones.
- Los demás aparatos para la fabricación de la siguiente clase:: Los dispositivos que operan en el rango de frecuencias de GHz se benefician de la baja disipación de energía y la alta estabilidad térmica del 3C-SiC.
3.Sensores de altas temperaturas y ambientes hostiles
- Sensores de temperatura: Las obleas de SiC se pueden usar en dispositivos para entornos de temperatura extrema, como procesos aeroespaciales, automotrices e industriales.
- Sensores de presión: El 3C-SiC se utiliza en sensores de presión que deben operar en entornos extremos como la exploración en aguas profundas o cámaras de alto vacío.
- Sensores químicos: 3C-N SiC es químicamente inerte, por lo que es útil en sensores de gases o químicos para el monitoreo en entornos corrosivos.
4.LED y optoelectrónica
- LED azul y UV: El amplio intervalo de banda del 3C-SiC lo hace ideal para fabricar diodos emisores de luz azul y ultravioleta (LED), utilizados en tecnologías de visualización, almacenamiento de datos (Blu-ray) y procesos de esterilización.
- Los demás aparatos fotodetectores: Las obleas de SiC se pueden usar en fotodetectores ultravioleta (UV) para varias aplicaciones, incluida la detección de llamas, el monitoreo ambiental y la astronomía.
5.Computación cuántica e investigación
- Dispositivos cuánticos: El 3C-SiC se explora en la computación cuántica para desarrollar espíntrónica y otros dispositivos basados en cuánticos debido a sus propiedades de defecto únicas que permiten el almacenamiento y procesamiento de información cuántica.
- Investigación de materiales: Como el 3C-SiC es un politipo de SiC relativamente menos común, se utiliza en la investigación para explorar sus ventajas potenciales sobre otros tipos de SiC (como 4H-SiC o 6H-SiC).
6.Aeroespacial y Defensa
- Electrónica para ambientes hostiles: Los dispositivos SiC son cruciales en las industrias aeroespacial y de defensa para aplicaciones como módulos de potencia, sistemas de radar y comunicaciones por satélite, donde las condiciones extremas y la fiabilidad son clave.
- Productos electrónicos resistentes: La capacidad del SiC para soportar altos niveles de radiación lo hace ideal para su uso en misiones espaciales y hardware militar.
En resumen, las obleas de SiC tipo 3C-N se utilizan principalmente en electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia, sensores para ambientes hostiles, optoelectrónica, dispositivos cuánticos y aplicaciones aeroespaciales,donde sus propiedades únicas tales como banda ancha, la estabilidad térmica y la alta movilidad de los electrones proporcionan ventajas significativas sobre los materiales tradicionales a base de silicio.
Pregunta y respuesta
¿Qué es el carburo de silicio 3C?
Carburo de silicio 3C (3C-SiC)es uno de los politipos de carburo de silicio, caracterizado por su estructura cristalina cúbica, que lo distingue de las formas hexagonales más comunes como 4H-SiC y 6H-SiC.La red cúbica de 3C-SiC ofrece varios beneficios notables.
En primer lugar, las exposiciones de 3C-SiCmayor movilidad de electronesEn la actualidad, la tecnología de alta frecuencia es una tecnología muy avanzada, lo que la hace ventajosa para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y potencia, especialmente en aplicaciones que requieren conmutación rápida.bandagapes menor (alrededor de 2,36 eV) en comparación con otros politipos de SiC, todavía funciona bien en entornos de alto voltaje y alta potencia.
Además, el 3C-SiC mantiene laalta conductividad térmicayresistencia mecánicaEl carburo de silicio tiene una gran capacidad de producción, que le permite funcionar en condiciones extremas, como en ambientes de alta temperatura y de alto estrés.transparencia óptica, por lo que es adecuado para aplicaciones optoelectrónicas como LED y fotodetectores.
Como resultado, el 3C-SiC es ampliamente utilizado enelectrónica de potencia,dispositivos de alta frecuencia,Optoelectrónica, ysensores, especialmente en escenarios de alta temperatura y alta frecuencia, donde sus propiedades únicas ofrecen ventajas significativas.