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Wafers de carburo de silicio tipo 3C-N 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas o 5 * 5 10 * 10 mm Tamaño grado de producción grado de investigación
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
|---|---|
| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Diámetro: | 5*5mm±0.2mm y 10*10mm±0.2mm 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas | El grosor: | 350 μm±25 μm |
|---|---|---|---|
| Resistencia 3C-N: | ≤ 0,8 mΩ•cm | Longitud plana primaria: | 15.9 mm ± 1,7 mm |
| Longitud plana secundaria: | 8.0 mm ±1,7 mm | Exclusión del borde: | 3 mm |
| TTV/Bow/Warp: | Se aplicarán las siguientes medidas: | La rugosidad: | Polish Ra≤1 nm CMP Ra≤0,2 nm |
| La superficie del silicio se araña con luz de alta intensidad: | 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | ||
| Resaltar: | obleas del carburo de silicio 4inch,Wafers de carburo de silicio de 6 pulgadas,Wafers de carburo de silicio de grado de investigación |
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Descripción de producto
Obleas de carburo de silicio tipo 3C-N de 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas o tamaño de 5*5 y 10*10 mm, grado de producción, grado de investigación
Resumen de obleas de carburo de silicio tipo 3C-N
Obleas de carburo de silicio (SiC) tipo 3C-Nson una variación específica de las obleas de SiC que utilizan el politipo cúbico 3C. Conocidas por sus excepcionales propiedades térmicas, eléctricas y mecánicas, estas obleas están diseñadas para cumplir con los estrictos requisitos de tecnologías avanzadas en electrónica, optoelectrónica y dispositivos de potencia.
Elpolitipo 3CPresenta una estructura cristalina cúbica, que ofrece varias ventajas sobre los politipos hexagonales como 4H-SiC y 6H-SiC. Un beneficio clave del 3C-SiC es sumayor movilidad de electrones, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia y electrónica de potencia donde la conmutación rápida y la baja pérdida de energía son fundamentales. Además, las obleas de SiC 3C-N tienen unabanda prohibida más baja(alrededor de 2,36 eV), lo que aún les permite manejar alta potencia y voltaje de manera eficiente.
Estas obleas están disponibles en tamaños estándar como5x5mmy10x10mm, con unespesor de 350 μm ± 25 μm, lo que garantiza una compatibilidad precisa para diversos procesos de fabricación de dispositivos. Son muy adecuados para su uso enalta potenciaydispositivos de alta frecuencia, como MOSFET, diodos Schottky y otros componentes semiconductores, que ofrecen un rendimiento confiable en condiciones extremas.
Elconductividad térmicade obleas de SiC 3C-N permite una disipación de calor eficiente, una característica crucial para dispositivos que funcionan con altas densidades de potencia. Además, su fuerza mecánica y resistencia al estrés térmico y químico los hacen duraderos en entornos desafiantes, mejorando aún más su aplicación enelectronica de potencia,tecnologías de realidad aumentada, ysensores de alta temperatura.
En resumen, las obleas de SiC tipo 3C-N combinan características electrónicas, térmicas y mecánicas superiores, lo que las hace esenciales para dispositivos electrónicos de próxima generación y aplicaciones de alto rendimiento.
Fotos de obleas de carburo de silicio tipo 3C-N
Propiedades de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N
Estructura cristalina:
Estructura de politipo cúbico (3C), que ofrece una mayor movilidad de electrones en comparación con los politipos de SiC hexagonales como 4H-SiC y 6H-SiC, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
Opciones de tamaño:
Disponible en dimensiones de 5x5 mm y 10x10 mm, lo que brinda flexibilidad para diversas aplicaciones.
Espesor:
Espesor controlado con precisión de 350 μm ± 25 μm, lo que garantiza estabilidad mecánica y compatibilidad con una amplia gama de procesos de fabricación.
Alta movilidad electrónica:
La estructura cristalina cúbica da como resultado un transporte de electrones mejorado, lo que la hace ventajosa para aplicaciones de alta velocidad y baja pérdida de energía en electrónica de potencia y dispositivos de RF.
Conductividad térmica:
La excelente conductividad térmica permite una disipación eficiente del calor, crucial para dispositivos que funcionan con altas densidades de potencia, ya que ayuda a prevenir el sobrecalentamiento y aumenta la longevidad del dispositivo.
Banda prohibida:
Una banda prohibida más baja de alrededor de 2,36 eV, adecuada para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia mientras mantiene un funcionamiento eficiente en entornos extremos.
Resistencia mecánica:
Las obleas 3C-N SiC exhiben una alta durabilidad mecánica, ofreciendo resistencia al desgaste y la deformación, lo que garantiza confiabilidad a largo plazo en condiciones difíciles.
Transparencia óptica:
Buenas propiedades ópticas, particularmente para aplicaciones optoelectrónicas como LED y fotodetectores, gracias a su transparencia a determinadas longitudes de onda.
Estabilidad química y térmica:
Altamente resistente al estrés térmico y químico, lo que lo hace adecuado para su uso en entornos extremos, como sensores y componentes electrónicos de alta temperatura.
Estas propiedades hacen que las obleas de SiC 3C-N sean ideales para una amplia gama de aplicaciones avanzadas, incluida la electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia, optoelectrónica y sensores.
Tabla de datos de obleas de carburo de silicio tipo 3C-N
晶格领域 2 英寸 Sic 晶片产品标准
2 pulgadas de diámetro SilicioSustrato de carburo (SiC) Especificación
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等级 Grado |
工业级 Grado de producción (Grado P) |
研究级 Grado de investigación (Grado R) |
试片级 Grado ficticio (Grado D) |
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| Diámetro | 50,8 mm ± 0,38 mm | |||||
| Espesor | 350 µm±25 µm | |||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea | Fuera del eje: 2,0°-4,0°hacia [112 | 0] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| 微管密度 Densidad del microtubo | 0cm-2 | |||||
| 电阻率 ※Resistividad | 4H/6H-P | ≤0,1 Ω.cm | ||||
| 3C-N | ≤0,8 mΩ·cm | |||||
| 主定位边方向 Orientación plana primaria | 4H/6H-P | {10-10} ±5,0° | ||||
| 3C-N | {1-10} ±5,0° | |||||
| 主定位边长度 Longitud plana primaria | 15,9 mm ±1,7 mm | |||||
| 次定位边长度 Longitud plana secundaria | 8,0 mm ±1,7 mm | |||||
| 次定位边方向 Orientación plana secundaria | Silicio boca arriba: 90° CW. desde plano primario ±5.0° | |||||
| 边缘去除 Exclusión de borde | 3 milímetros | 3 milímetros | ||||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Arco/Warp | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | |||||
| 表面粗糙度※ Rugosidad | Polaco Ra≤1 nm | |||||
| CMPRa≤0,2 nm | ||||||
| 边缘裂纹(强光灯观测) Grietas en los bordes por luz de alta intensidad | Ninguno | 1 permitido, ≤1 mm | ||||
| 六方空洞(强光灯观测) ※ Placas hexagonales con luz de alta intensidad | Área acumulada≤1 % | Área acumulada≤3 % | ||||
| 多型(强光灯观测) ※ Áreas politipo por luz de alta intensidad | Ninguno | Área acumulada≤2 % | Área acumulada≤5% | |||
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Si 面划痕(强光灯观测)# Arañazos en la superficie de silicio causados por luz de alta intensidad |
3 rayones por 1 × oblea diámetro longitud acumulada |
5 rayones por 1 × oblea diámetro longitud acumulada |
8 rayones por longitud acumulada de 1 × diámetro de oblea | |||
| 崩边(强光灯观测) Descantillados de borde Luz alta por intensidad | Ninguno | Se permiten 3, ≤0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤1 mm cada uno | |||
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硅面污染物(强光灯观测) Contaminación de la superficie de silicio por alta intensidad |
Ninguno | |||||
| Embalaje | Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea | |||||
Notas:
※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea excepto al área de exclusión de bordes. # Los rayones deben revisarse únicamente en la cara Si.
Aplicaciones de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N
Aplicaciones de las obleas de carburo de silicio (SiC) tipo 3C-N en la industria de semiconductores y microelectrónica
Las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N desempeñan un papel crucial en las industrias de semiconductores y microelectrónica, ofreciendo propiedades únicas que mejoran el rendimiento y la eficiencia de diversos dispositivos.
Electrónica de potencia:
En electrónica de potencia, las obleas de SiC 3C-N se utilizan ampliamente en dispositivos de alta potencia comoMOSFET,Diodos Schottky, ytransistores de potencia. Su alta conductividad térmica y movilidad de electrones permiten que estos dispositivos funcionen de manera eficiente a altos voltajes y temperaturas mientras minimizan las pérdidas de energía. Esto hace que el SiC 3C-N sea ideal para su uso ensistemas de conversión de energía,vehículos eléctricos (EV), ysistemas de energía renovable, donde la gestión eficiente de la energía es crucial.
Dispositivos de alta frecuencia:
La excelente movilidad electrónica de las obleas de SiC 3C-N las hace adecuadas pararadiofrecuencia (RF)yaplicaciones de microondas, comoamplificadores,osciladores, yfiltros. Estas obleas permiten que los dispositivos funcionen a frecuencias más altas con una menor pérdida de señal, lo que mejora el rendimiento de los sistemas de comunicación inalámbrica, la tecnología satelital y los sistemas de radar.
Electrónica de alta temperatura:
Las obleas de SiC 3C-N también se utilizan en dispositivos semiconductores que funcionan en entornos extremos, comosensores de alta temperaturayactuadores. La resistencia mecánica, la estabilidad química y la resistencia térmica del material permiten que estos dispositivos funcionen de manera confiable en industrias como la aeroespacial, automotriz y de petróleo y gas, donde los dispositivos deben soportar duras condiciones de funcionamiento.
Sistemas Microelectromecánicos (MEMS):
En la industria de la microelectrónica, las obleas de SiC 3C-N se emplean enDispositivos MEMS, que requieren materiales con alta resistencia mecánica y estabilidad térmica. Estos dispositivos incluyensensores de presión,acelerómetros, ygiroscopios, que se benefician de la durabilidad y el rendimiento del SiC bajo diferentes temperaturas y tensiones mecánicas.
Optoelectrónica:
Las obleas de SiC 3C-N también se utilizan enLED,fotodetectoresy otros dispositivos optoelectrónicos debido a su transparencia óptica y capacidad para manejar alta potencia, proporcionando capacidades eficientes de detección y emisión de luz.
En resumen, las obleas de SiC tipo 3C-N son esenciales en las industrias de semiconductores y microelectrónica, particularmente en aplicaciones que requieren alto rendimiento, durabilidad y eficiencia en condiciones extremas.