Wafers de carburo de silicio tipo 3C-N 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas o 5 * 5 10 * 10 mm Tamaño grado de producción grado de investigación

Obleas de carburo de silicio tipo 3C-N de 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas o tamaño de 5*5 y 10*10 mm, grado de producción, grado de investigación

Resumen de obleas de carburo de silicio tipo 3C-N

Obleas de carburo de silicio (SiC) tipo 3C-Nson una variación específica de las obleas de SiC que utilizan el politipo cúbico 3C. Conocidas por sus excepcionales propiedades térmicas, eléctricas y mecánicas, estas obleas están diseñadas para cumplir con los estrictos requisitos de tecnologías avanzadas en electrónica, optoelectrónica y dispositivos de potencia.

Elpolitipo 3CPresenta una estructura cristalina cúbica, que ofrece varias ventajas sobre los politipos hexagonales como 4H-SiC y 6H-SiC. Un beneficio clave del 3C-SiC es sumayor movilidad de electrones, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia y electrónica de potencia donde la conmutación rápida y la baja pérdida de energía son fundamentales. Además, las obleas de SiC 3C-N tienen unabanda prohibida más baja(alrededor de 2,36 eV), lo que aún les permite manejar alta potencia y voltaje de manera eficiente.

Estas obleas están disponibles en tamaños estándar como5x5mmy10x10mm, con unespesor de 350 μm ± 25 μm, lo que garantiza una compatibilidad precisa para diversos procesos de fabricación de dispositivos. Son muy adecuados para su uso enalta potenciaydispositivos de alta frecuencia, como MOSFET, diodos Schottky y otros componentes semiconductores, que ofrecen un rendimiento confiable en condiciones extremas.

Elconductividad térmicade obleas de SiC 3C-N permite una disipación de calor eficiente, una característica crucial para dispositivos que funcionan con altas densidades de potencia. Además, su fuerza mecánica y resistencia al estrés térmico y químico los hacen duraderos en entornos desafiantes, mejorando aún más su aplicación enelectronica de potencia,tecnologías de realidad aumentada, ysensores de alta temperatura.

En resumen, las obleas de SiC tipo 3C-N combinan características electrónicas, térmicas y mecánicas superiores, lo que las hace esenciales para dispositivos electrónicos de próxima generación y aplicaciones de alto rendimiento.

Fotos de obleas de carburo de silicio tipo 3C-N

Propiedades de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N

Estructura cristalina:

Estructura de politipo cúbico (3C), que ofrece una mayor movilidad de electrones en comparación con los politipos de SiC hexagonales como 4H-SiC y 6H-SiC, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.

Opciones de tamaño:

Disponible en dimensiones de 5x5 mm y 10x10 mm, lo que brinda flexibilidad para diversas aplicaciones.

Espesor:

Espesor controlado con precisión de 350 μm ± 25 μm, lo que garantiza estabilidad mecánica y compatibilidad con una amplia gama de procesos de fabricación.

Alta movilidad electrónica:

La estructura cristalina cúbica da como resultado un transporte de electrones mejorado, lo que la hace ventajosa para aplicaciones de alta velocidad y baja pérdida de energía en electrónica de potencia y dispositivos de RF.

Conductividad térmica:

La excelente conductividad térmica permite una disipación eficiente del calor, crucial para dispositivos que funcionan con altas densidades de potencia, ya que ayuda a prevenir el sobrecalentamiento y aumenta la longevidad del dispositivo.

Banda prohibida:

Una banda prohibida más baja de alrededor de 2,36 eV, adecuada para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia mientras mantiene un funcionamiento eficiente en entornos extremos.

Resistencia mecánica:

Las obleas 3C-N SiC exhiben una alta durabilidad mecánica, ofreciendo resistencia al desgaste y la deformación, lo que garantiza confiabilidad a largo plazo en condiciones difíciles.

Transparencia óptica:

Buenas propiedades ópticas, particularmente para aplicaciones optoelectrónicas como LED y fotodetectores, gracias a su transparencia a determinadas longitudes de onda.

Estabilidad química y térmica:

Altamente resistente al estrés térmico y químico, lo que lo hace adecuado para su uso en entornos extremos, como sensores y componentes electrónicos de alta temperatura.

Estas propiedades hacen que las obleas de SiC 3C-N sean ideales para una amplia gama de aplicaciones avanzadas, incluida la electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia, optoelectrónica y sensores.

Tabla de datos de obleas de carburo de silicio tipo 3C-N

晶格领域 2 英寸 Sic 晶片产品标准

2 pulgadas de diámetro SilicioSustrato de carburo (SiC) Especificación

Notas:

※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea excepto al área de exclusión de bordes. # Los rayones deben revisarse únicamente en la cara Si.

Aplicaciones de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N

Aplicaciones de las obleas de carburo de silicio (SiC) tipo 3C-N en la industria de semiconductores y microelectrónica

Las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N desempeñan un papel crucial en las industrias de semiconductores y microelectrónica, ofreciendo propiedades únicas que mejoran el rendimiento y la eficiencia de diversos dispositivos.

Electrónica de potencia:

En electrónica de potencia, las obleas de SiC 3C-N se utilizan ampliamente en dispositivos de alta potencia comoMOSFET,Diodos Schottky, ytransistores de potencia. Su alta conductividad térmica y movilidad de electrones permiten que estos dispositivos funcionen de manera eficiente a altos voltajes y temperaturas mientras minimizan las pérdidas de energía. Esto hace que el SiC 3C-N sea ideal para su uso ensistemas de conversión de energía,vehículos eléctricos (EV), ysistemas de energía renovable, donde la gestión eficiente de la energía es crucial.

Dispositivos de alta frecuencia:

La excelente movilidad electrónica de las obleas de SiC 3C-N las hace adecuadas pararadiofrecuencia (RF)yaplicaciones de microondas, comoamplificadores,osciladores, yfiltros. Estas obleas permiten que los dispositivos funcionen a frecuencias más altas con una menor pérdida de señal, lo que mejora el rendimiento de los sistemas de comunicación inalámbrica, la tecnología satelital y los sistemas de radar.

Electrónica de alta temperatura:

Las obleas de SiC 3C-N también se utilizan en dispositivos semiconductores que funcionan en entornos extremos, comosensores de alta temperaturayactuadores. La resistencia mecánica, la estabilidad química y la resistencia térmica del material permiten que estos dispositivos funcionen de manera confiable en industrias como la aeroespacial, automotriz y de petróleo y gas, donde los dispositivos deben soportar duras condiciones de funcionamiento.

Sistemas Microelectromecánicos (MEMS):

En la industria de la microelectrónica, las obleas de SiC 3C-N se emplean enDispositivos MEMS, que requieren materiales con alta resistencia mecánica y estabilidad térmica. Estos dispositivos incluyensensores de presión,acelerómetros, ygiroscopios, que se benefician de la durabilidad y el rendimiento del SiC bajo diferentes temperaturas y tensiones mecánicas.

Optoelectrónica:

Las obleas de SiC 3C-N también se utilizan enLED,fotodetectoresy otros dispositivos optoelectrónicos debido a su transparencia óptica y capacidad para manejar alta potencia, proporcionando capacidades eficientes de detección y emisión de luz.

En resumen, las obleas de SiC tipo 3C-N son esenciales en las industrias de semiconductores y microelectrónica, particularmente en aplicaciones que requieren alto rendimiento, durabilidad y eficiencia en condiciones extremas.