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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoelectronic LEDs RF de alta potencia
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon carbide wafer |
Pago y Envío Términos:
| Delivery Time: | 2 weeks |
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| Payment Terms: | 100%T/T |
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Información detallada |
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| EPD: | ≤ 1E10/cm2 | El grosor: | 600 ± 50 μm |
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| Partícula: | Partícula libre/baja | Exclusión del borde: | ≤ 50 mm |
| Finalización de la superficie: | Lateral solo/doble pulido | Tipo de producto: | 3C-N |
| Resistencia: | Resistencia alta-baja | Diámetro: | 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas |
| Resaltar: | DSP de carburo de silicio de 8 pulgadas,DSP de carburo de silicio de 4 pulgadas,DSP de carburo de silicio de 6 pulgadas |
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Descripción de producto
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoelectronic LEDs RF de alta potencia
Descripción de la oblea de SiC 3C-N:
Comparado con el 4H-Sic, aunque el bandgap del carburo de silicio 3C
3C SiC)
Es inferior, su movilidad de portador, y la conductividad térmica. y las propiedades mecánicas son mejores que las de 4H-SiC.la densidad de defecto en la interfaz entre el óxido aislante qate y 3C-sic es menor. que es más propicio para la fabricación de dispositivos de alto voltaje, de alta fiabilidad y de larga duración.Los dispositivos basados en 3C-SiC se preparan principalmente en sustratos si con una gran falta de coincidencia de la red y una falta de coincidencia del coeficiente de expansión térmica entre Si y 3C SiC, lo que resulta en una alta densidad de defectosAdemás, las obleas 3C-SiC de bajo coste tendrán un impacto de sustitución significativo en el mercado de dispositivos de potencia en el rango de 600-1200v,Acelerar el progreso de toda la industriaPor lo tanto, el desarrollo de obleas 3C-SiC a granel es inevitable.
El carácter de la oblea 3C-N SiC:
1. Estructura cristalina: 3C-SiC tiene una estructura cristalina cúbica, a diferencia de los politipos hexagonales 4H-SiC y 6H-SiC más comunes.
2Bandgap: El bandgap de 3C-SiC es de alrededor de 2.2 eV, lo que lo hace adecuado para aplicaciones en optoelectrónica y electrónica de alta temperatura.
3Conductividad térmica: el 3C-SiC tiene una alta conductividad térmica, lo que es importante para aplicaciones que requieren una disipación de calor eficiente.
4Compatibilidad: es compatible con las tecnologías estándar de procesamiento de silicio, lo que permite su integración con los dispositivos existentes basados en silicio.
Forma de las obleas de SiC 3C-N:
| Propiedad | Tipo N 3C-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=4,349 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABC |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 |
| Coeficiente de expansión térmica | 3.8×10-6/K |
| Constante dieléctrico | C ~ 9.66 |
| La banda-brecha | 2.36 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 2-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.7×107m/s |
| Grado | Clasificación de producción de MPD cero (clasificación Z) | Grado de producción estándar (grado P) | Grado de simulacro (grado D) |
| Diámetro | 145.5 mm ~ 150,0 mm | ||
| El grosor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 2.0°-4.0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje: ∼111 ∼ 0,5° para 3C-N | ||
| Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||
| Resistencia | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |
| Orientación plana primaria | {110} ± 5,0° | ||
| Duración plana primaria | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||
| Duración plana secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||
| Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||
| Las grietas de borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |
| Placas hexagonales con luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |
| Inclusiones de carbono visual | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |
| La superficie del silicio se araña con luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |
| Chips de borde de alta intensidad de luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |
| Contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||
| Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||
Aplicaciones de las obleas de SiC 3C-N:
1- Energía electrónica:Las obleas 3C-SiC se utilizan en dispositivos electrónicos de alta potencia como los MOSFET (Transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductores) y los diodos Schottky debido a su alto voltaje de ruptura, alta conductividad térmica y baja resistencia.
2. Dispositivos de RF y microondas: The high electron mobility and superior thermal conductivity of 3C-SiC make it suitable for applications in radio frequency (RF) and microwave devices like high-power amplifiers and high-frequency transistors.
3Optoelectrónica: las obleas 3C-SiC se utilizan en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos como diodos emisores de luz (LED), fotodetectores,y diodos láser debido a su amplio intervalo de banda y excelentes propiedades térmicas.
4. Dispositivos MEMS y NEMS: los sistemas microelectro-mecánicos (MEMS) y los sistemas nanoelectro-mecánicos (NEMS) se benefician de las obleas 3C-SiC por su estabilidad mecánica,capacidad de funcionamiento a altas temperaturas, y la inercia química.
5Sensores: las obleas de 3C-SiC se utilizan en la producción de sensores para ambientes hostiles, como sensores de alta temperatura, sensores de presión, sensores de gases y sensores químicos,debido a su robustez y estabilidad.
6Sistemas de redes eléctricas: en los sistemas de distribución y transmisión de energía, las obleas 3C-SiC se emplean en dispositivos y componentes de alto voltaje para una conversión eficiente de energía y una reducción de las pérdidas de energía.
7Aeroespacial y Defensa: La tolerancia a altas temperaturas y la dureza a la radiación del 3C-SiC lo hacen adecuado para aplicaciones aeroespaciales y de defensa, incluidos componentes de aviones, sistemas de radar,y dispositivos de comunicación.
8Almacenamiento de energía: las obleas 3C-SiC se utilizan en aplicaciones de almacenamiento de energía como baterías y supercondensadores debido a su alta conductividad térmica y estabilidad en duras condiciones de funcionamiento.
Industria de semiconductores: las obleas 3C-SiC también se utilizan en la industria de semiconductores para el desarrollo de circuitos integrados avanzados y componentes electrónicos de alto rendimiento.
Imagen de aplicación de la oblea de SiC 3C-N:
Embalaje y envío:
Preguntas frecuentes:
1.P: ¿Cuál es la diferencia entre 4H y 3C¿Carburo de silicio?
R:En comparación con el 4H-SiC, aunque la banda de carburo de silicio 3C (3C SiC) es menor, su movilidad de portador, conductividad térmica y propiedades mecánicas son mejores que las del 4H-SiC
2.P: ¿Cuál es la afinidad electrónica de 3C SiC?
R:Las afinidades electrónicas del SIC 3C, 6H y 4H (0001) son de 3,8 eV, 3,3 eV y 3,1 eV, respectivamente.
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