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Wafer SOI Wafer de silicio en aislante Wafer de 4 pulgadas 5 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 100 111 P Tipo N Tipo
Datos del producto:
| Place of Origin: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Model Number: | SOI Wafe |
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Información detallada |
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| Capa de manija Soi: | Contacta con nosotros | Substrato: | Huevos de soja |
|---|---|---|---|
| TTV: | < 10 mm | espesor de la capa de GaN: | 1 a 10 μm |
| Polonés: | Polvo de doble o de un solo lado | orientación: | El valor de las emisiones de CO2 |
| Resaltar: | Wafer SOI de 8 pulgadas,Wafer SOI de 6 pulgadas,5 pulgadas de Wafer SOI |
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Descripción de producto
Wafer SOI Wafer de silicio en aislante Wafer de 4 pulgadas 5 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas (100) (111) Tipo P Tipo N
Descripción de la oblea SOI:
La oblea SOI se refiere a una capa delgada de cristal único de silicio superpuesta sobre un aislante hecho de dióxido de silicio o vidrio (de ahí el nombre "silicón en revestimiento aislante",a menudo denominado en abreviatura SOI)Los transistores construidos sobre una capa delgada de SOI pueden funcionar más rápido y consumir menos energía que los construidos sobre un simple chip de silicio.La tecnología del silicio en el aislante (SOI) es la fabricación de dispositivos de semiconductores de silicio en un sustrato de silicio en capas, para reducir la capacidad parasitaria dentro del dispositivo, mejorando así el rendimiento.Los dispositivos basados en SOI difieren de los dispositivos convencionales construidos con silicio en que la unión de silicio está por encima de un aislante eléctricoLa elección del aislante depende en gran medida de la aplicación prevista.con zafiro utilizado para aplicaciones de alta frecuencia de radio (RF) y sensibles a la radiaciónLa capa aislante y la capa superior de silicio también varían ampliamente dependiendo de la aplicación.
El personaje de SOI Wafer:
- Capacidad parasitaria más baja debido al aislamiento del silicio a granel, lo que mejora el consumo de energía con un rendimiento igualado
- Resistencia al cierre debido al aislamiento completo de las estructuras de n y p pozos
- Mayor rendimiento en VDD equivalentes. Puede trabajar en VDD bajos [1]
- Reducción de la dependencia de la temperatura debido a la ausencia de dopaje
- Mejor rendimiento debido a la alta densidad, mejor utilización de las obleas
- Problemas de antena reducidos
- No se necesitan cuerpos ni pozos.
- Corrientes de fuga más bajos debido al aislamiento, por lo que una mayor eficiencia energética
- Inherentemente resistente a la radiación (resistente a los errores blandos), lo que reduce la necesidad de redundancia
Estructura del producto de las obleas SOI:
| Diámetro | 4" de largo. | 5" de largo. | 6" de largo | 8" de largo | |
| Capa del dispositivo | Agentes de superación | Bor, fosfato, arsénico, antimonio, sin dopar | |||
| Orientación | El número de unidades de producción es: | ||||
| Tipo de producto | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut y otras marcas. | ||||
| Resistencia | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
| espesor (mm) | > 1.5 | ||||
| TTV | < 2 años | ||||
| Capa de caja | espesor (mm) | 0.2-4.0um | |||
| Uniformidad | < 5% | ||||
| Substrato | Orientación | El número de unidades de producción es: | |||
| Tipo/Dopante | Tipo P/Boro, tipo N/Phos, tipo N/As, tipo N/Sb | ||||
| espesor (mm) | 200 a 1100 años | ||||
| Resistencia | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
| Superficie terminada | P/P, P/E | ||||
| Las partículas | No es necesario.0.3um | ||||
Estructura de la oblea de SOI:
Aplicaciones de las obleas SOI:
Nuestras soluciones SoL personalizadas se utilizan en los siguientes campos:
- Sensores de presión avanzados
- Acelerómetros
- Los demás aparatos
- Sensores de flujos y de microfluidos
- MEMS de RF
- MEMS/MEMS óptico
- Optoelectrónica
- Contadores inteligentes
- IC analógicos avanzados
- Los demás aparatos
- Reloj de pulsera de lujo
Mercados finales:
- Las telecomunicaciones
- El médico
- Automóvil
- Consumidor
- Instrumentación
Imagen de aplicación de la obletera SOI:
Embalaje y envío:
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Cuál es la constante dieléctrica del silicio en aislantes?
R: La constante dieléctrica para los materiales de silicio comúnmente utilizados es: dióxido de silicio (SiO2) - constante dieléctrica = 3.9. Nitruro de silicio (SiNx) - constante dieléctrica = 7.5. Silicio puro (Si) - constante dieléctrica = 11.7
2.P: ¿Cuáles son las ventajas de las obleas SOI?
R: Las obleas SOI tienen una mayor resistencia a la radiación, por lo que son menos propensas a errores blandos.Las ventajas adicionales de las obleas SOI incluyen una menor dependencia de la temperatura y menos problemas de antena.
Recomendación del producto:
2. Wafer compuesto de SiC tipo N en Si