Substratos de SiC 2/3/4/6/8 pulgadas HPSI Producción de investigación de calidad

Substratos de SiC 2/3/4/6/8 pulgadas HPSI Producción de calidad de investigación

1. Resumen

Nuestros sustratos de SiC 2/3/4/6/8 pulgadas HPSI Producción Dummy de grado de investigaciónEstá diseñado para aplicaciones avanzadas de investigación, proporcionando sustratos de carburo de silicio de alta calidad que facilitan la investigación y el desarrollo de semiconductores de vanguardia.

2Descripción del producto y de la empresa

2.1 Descripción del producto:

Nuestros sustratos de SiC 2/3/4/6/8 pulgadas HPSI Producción Dummy de grado de investigaciónestá diseñado para cumplir con los rigurosos estándares de los laboratorios de investigación.

• Alta tensión de ruptura: Los sustratos de SiC permiten la fabricación de dispositivos con tensiones de descomposición significativamente más altas que el silicio.

• Estabilidad térmica: El SiC puede funcionar a temperaturas más altas (hasta 600°C) sin degradación del rendimiento, lo que permite que los dispositivos semiconductores funcionen de forma fiable en condiciones extremas,que es esencial para aplicaciones en las industrias automotriz y aeroespacial.

• Mejora de la eficiencia: Los sustratos de SiC contribuyen a una menor resistencia de encendido y velocidades de conmutación más rápidas en dispositivos semiconductores.Esto se traduce en una reducción de las pérdidas de energía y una mejora de la eficiencia general en los sistemas de conversión de energía.

• Tamaño y peso reducidos: Debido a su capacidad para manejar densidades de energía más altas, los dispositivos SiC pueden ser más pequeños y más ligeros que sus homólogos de silicio.Esto es particularmente ventajoso en aplicaciones donde el espacio y el peso son críticos, como los vehículos eléctricos y la electrónica portátil.

2.2 Descripción de la empresa:

Nuestra empresa (ZMSH)Se ha centrado en el campo de zafiro desdemás de 10 años, con equipos profesionales de fábrica y ventas. Tenemos mucha experiencia enProductos personalizadosTambién realizamos diseño personalizado y podemos ser OEM.ZMSHserá la mejor opción considerando tanto el precio como la calidad.Siéntase libre de acercarse.

3Aplicaciones

Desbloquee el potencial de sus proyectos de investigación y desarrollo conNuestros sustratos de SiC 2/3/4/6/8 pulgadas HPSI Producción de calificación de investigaciónDiseñados específicamente para aplicaciones avanzadas de semiconductores, nuestros sustratos de grado de investigación ofrecen una calidad y fiabilidad excepcionales.

• Lasers:Los sustratos de SiC permiten la producción de diodos láser de alta potencia que funcionan de manera eficiente en las regiones de luz UV y azul.Su excelente conductividad térmica y durabilidad las hacen ideales para aplicaciones que requieren un rendimiento fiable en condiciones extremas.
• Electrónica de consumo:Los sustratos de SiC mejoran los circuitos integrados de gestión de energía, lo que permite una conversión de energía más eficiente y una mayor duración de la batería.permitiendo cargadores más pequeños y ligeros manteniendo un alto rendimiento.
• Baterías a bordo de vehículos eléctricos: Los sustratos de SiC mejoraron la eficiencia energética y aumentaron el alcance de conducción. Su aplicación en infraestructuras de carga rápida permite tiempos de carga más rápidos, lo que mejora la comodidad para los usuarios de vehículos eléctricos.

4. Presentación del producto - ZMSH

5Especificaciones del sustrato de SiC

6Preguntas frecuentes

6.1 A:¿En qué tamaños están disponibles los sustratos de SiC?

P: Los sustratos de SiC están disponibles en variasEn la actualidad, la industria de la fabricación de productos de alta calidad está desarrollando una gama de productos de gran tamaño, que generalmente varían de 2 pulgadas a 6 pulgadas de diámetro.

6.2 A:¿Cuál es el propósito de una oblea falsa?

P: Las obleas ficticias se utilizan principalmente con fines de ensayo e investigación sin necesidad de fabricación de dispositivos activos.

6.3 A:¿Puede proporcionar especificaciones personalizadas?

P: Podemos discutir pedidos personalizados basados en sus necesidades específicas de investigación; póngase en contacto con nosotros para obtener más información.