Wafers de SiC de alta calidad 2/3/4/6/8 pulgadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Grado sin dopar

Wafers de SiC de 8 pulgadas tipo DSP/SSP 4H-N <0001> 200 mm Zero Prime Dummy de grado de investigación de alta calidad sin doping

1. Resumen

Nuestras obleas SiC de alta calidad de 8 pulgadas tipo 4H-N DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy de grado de investigación sin dopaje,están disponibles en tamaños que van desde 2 a 8 pulgadas, especialmente para 8' de diámetro,Somos uno de los pocos fabricantes con capacidad para producir obleas de SiC de 8 pulgadasNos centramos en producir alta calidad para nuestros clientes.

2Descripción del producto y de la empresa

2.1 Descripción del producto:

El nuestroWafers de SiC de alta calidad de 8 pulgadas tipo DSP/SSP de 4H-N <0001> 200 mm de grado de investigación sin dopajeestán diseñadas específicamente para aplicaciones de semiconductores de vanguardia.Estas obleas presentan características eléctricas y térmicas excepcionales, lo que las hace adecuadas para electrónica de potencia, dispositivos de RF,y ambientes de alta temperatura.

2.2 Descripción de la empresa:

Nuestra empresa (ZMSH)Se ha centrado en el campo de zafiro desdemás de 10 años, con equipos profesionales de fábrica y ventas. Tenemos mucha experiencia enProductos personalizadosTambién realizamos diseño personalizado y podemos ser OEM.ZMSHserá la mejor opción considerando tanto el precio como la calidad.Siéntase libre de acercarse.

3Aplicaciones

Desbloquee el potencial de sus proyectos de investigación y desarrollo conEl nuestro Wafers de SiC de 8 pulgadas tipo DSP/SSP 4H-N <0001> 200 mm Zero Prime Dummy de grado de investigación de alta calidad sin dopingCon un intervalo de banda de alrededor de 3,3 eV, estas obleas permiten operaciones de alto voltaje y alta frecuencia. Son ideales para crear dispositivos como MOSFET, diodos Schottky y diodos láser,Mejorando así la eficiencia y fiabilidad en aplicaciones rigurosas.

• Lasers: Los sustratos de SiC permiten la producción de diodos láser de alta potencia que funcionan de manera eficiente en las regiones de luz UV y azul.Su excelente conductividad térmica y durabilidad las hacen ideales para aplicaciones que requieren un rendimiento fiable en condiciones extremas.
• Electrónica de consumo: Los sustratos de SiC mejoran los circuitos integrados de gestión de energía, lo que permite una conversión de energía más eficiente y una mayor duración de la batería.permitiendo cargadores más pequeños y ligeros manteniendo un alto rendimiento.
• Baterías a bordo de vehículos eléctricos: Los sustratos de SiC mejoraron la eficiencia energética y aumentaron el alcance de conducción. Su aplicación en infraestructuras de carga rápida permite tiempos de carga más rápidos, lo que mejora la comodidad para los usuarios de vehículos eléctricos.

4. Presentación del producto - ZMSH

5Especificaciones de las obleas SiC

6Preguntas frecuentes

6.1 Q:¿Qué tamaños de obleas de SiC podemos producir?

R: Somos especialmente capaces de producir 8 pulgadas. Los sustratos de SiC están disponibles en varios tamaños, 2/3/4/6/8 pulgadas de diámetro.Otros tamaños personalizados también pueden estar disponibles según los requisitos específicos de la aplicación.

6.2 Q:¿Qué industrias se benefician de estas obleas?

R: Las industrias clave incluyen la automoción, las telecomunicaciones, la aeroespacial y la energía renovable.

6.3 Q:¿Puedo hacer mis obleas de SiC personalizadas?

R: Claro! Hemos estado produciendo productos personalizados durante más de 10 años; por favor, comuníquese con nosotros para compartir sus requisitos.

7Ofrecemos más materiales semiconductores.

También procesamos obleas SiC-HPSI, sustratos de zafiro y otros materiales semiconductores.

- ¿ Qué es eso?Wafer SiC, sustrato SiC, materiales semiconductores.