Wafer SiC 4H-N de 8 pulgadas, espesor 500±25 μm o personalizado, N-Dopado, de calidad de producción, de investigación

8 pulgadas 4H-N tipo Wafer de SiC resumen

La oblea de carburo de silicio (SiC) tipo 4H-N de 8 pulgadas representa un material de vanguardia ampliamente utilizado en electrónica de potencia y aplicaciones avanzadas de semiconductores.en particular el politipo 4H, es muy valorado por sus propiedades físicas y eléctricas superiores, incluida una amplia banda de 3,26 eV, alta conductividad térmica y un voltaje de ruptura excepcional.Estas características lo hacen ideal para alta potencia, dispositivos de alta temperatura y alta frecuencia.

ElDopaje de tipo Nintroduce impurezas donantes como el nitrógeno, lo que mejora la conductividad eléctrica de la oblea y permite un control preciso de sus propiedades electrónicas.Este dopaje es esencial para la fabricación de dispositivos de energía avanzada como MOSFETsEl tamaño de la oblea de 8 pulgadas marca un hito importante en la tecnología de las obletas de SiC.ofreciendo un mayor rendimiento y rentabilidad para la producción a gran escala, satisfaciendo las demandas de industrias como los vehículos eléctricos, los sistemas de energía renovable y la automatización industrial.

Propiedades de la oblea SiC tipo 4H-N de 8 pulgadas

Propiedades básicas

1Tamaño de la oblea: 8 pulgadas (200 mm), un tamaño estándar para la producción a gran escala, comúnmente utilizado en la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.

2- Estructura de cristal.: 4H-SiC, perteneciente al sistema de cristales hexagonales. El 4H-SiC ofrece una alta movilidad electrónica y una excelente conductividad térmica, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.

3. Tipo de dopaje: tipo N (dopado con nitrógeno), que proporciona conductividad adecuada para dispositivos de potencia, dispositivos de RF, dispositivos optoelectrónicos, etc.

Propiedades eléctricas

1- Es una banda.: 3.23 eV, proporcionando un amplio intervalo de banda que garantiza un funcionamiento confiable en entornos de alta temperatura y alto voltaje.

2Movilidad de los electrones: 800~1000 cm2/V·s a temperatura ambiente, garantizando un transporte eficiente de carga, adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.

3- Descomposición del campo eléctrico.: > 2,0 MV/cm, lo que indica que la oblea puede soportar alto voltaje, por lo que es adecuada para aplicaciones de alto voltaje.

Propiedades térmicas

1. Conductividad térmica: 120-150 W/m·K, lo que permite una disipación de calor eficaz en aplicaciones de alta densidad de potencia, evitando el sobrecalentamiento.

2. Coeficiente de expansión térmica: 4.2 × 10−6 K−1, similar al silicio, lo que lo hace compatible con otros materiales como los metales, reduciendo los problemas de desajuste térmico.

Propiedades mecánicas

1. Duredad: SiC tiene una dureza de Mohs de 9.5, sólo superado por el diamante, lo que lo hace altamente resistente al desgaste y al daño en condiciones extremas.

2. Roughness de la superficie: por lo general menos de 1 nm (RMS), lo que garantiza una superficie lisa para el procesamiento de semiconductores de alta precisión.

Estabilidad química

1Resistencia a la corrosión: Excelente resistencia a ácidos fuertes, bases y ambientes hostiles, lo que garantiza una estabilidad a largo plazo en condiciones exigentes.

8 pulgadas 4H-N tipo Wafer SiC de la imagen

Aplicación de las obleas SiC tipo 4H-N de 8 pulgadas

1.Electrónica de potencia: ampliamente utilizado en MOSFETs de potencia, IGBT, diodos Schottky, etc., para aplicaciones como vehículos eléctricos, conversión de energía, gestión de energía y generación de energía solar.

2.RF y aplicaciones de alta frecuencia: Se utiliza en estaciones base 5G, comunicaciones por satélite, sistemas de radar y otras aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.

3.Optoelectrónica: Se utiliza en LED azules y ultravioleta y otros dispositivos optoelectrónicos.

4.Electrónica automotriz: Se utiliza en sistemas de gestión de baterías de vehículos eléctricos (BMS), sistemas de control de potencia y otras aplicaciones automotrices.

5Energía renovable: Se utiliza en inversores de alta eficiencia y sistemas de almacenamiento de energía, mejorando la eficiencia de conversión de energía.