 |
8 pulgadas 4H-N SiC Wafer espesor 500±25μm o personalizado N-doped de calidad de investigación de producción de simulacro
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
|---|---|
| Condiciones de pago: | T/T, |
|
Información detallada |
|||
| Diámetro de la oblea: | 8 pulgadas (200 mm) | Estructura de cristal: | Tipo 4H-N (sistema de cristales hexagonales) |
|---|---|---|---|
| Tipo de dopaje: | Tipo N (dopado con nitrógeno) | - ¿ Qué pasa?: | 3.23 eV |
| Movilidad de los electrones: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef | Conductividad térmica: | 120-150 W/m·K |
| La rugosidad de la superficie: | Se aplican las siguientes medidas: | Dureza: | Dureza de Mohs 9.5 |
| espesor de la obletera: | 500 ± 25 μm | Resistencia: | 0.01 10 Ω·cm |
| Resaltar: | Wafer SiC de grado de investigación,Wafer de SiC de 8 pulgadas,Wafer de SiC 4H-N |
||
Descripción de producto
Wafer SiC 4H-N de 8 pulgadas, espesor 500±25 μm o personalizado, N-Dopado, de calidad de producción, de investigación
8 pulgadas 4H-N tipo Wafer de SiC resumen
La oblea de carburo de silicio (SiC) tipo 4H-N de 8 pulgadas representa un material de vanguardia ampliamente utilizado en electrónica de potencia y aplicaciones avanzadas de semiconductores.en particular el politipo 4H, es muy valorado por sus propiedades físicas y eléctricas superiores, incluida una amplia banda de 3,26 eV, alta conductividad térmica y un voltaje de ruptura excepcional.Estas características lo hacen ideal para alta potencia, dispositivos de alta temperatura y alta frecuencia.
ElDopaje de tipo Nintroduce impurezas donantes como el nitrógeno, lo que mejora la conductividad eléctrica de la oblea y permite un control preciso de sus propiedades electrónicas.Este dopaje es esencial para la fabricación de dispositivos de energía avanzada como MOSFETsEl tamaño de la oblea de 8 pulgadas marca un hito importante en la tecnología de las obletas de SiC.ofreciendo un mayor rendimiento y rentabilidad para la producción a gran escala, satisfaciendo las demandas de industrias como los vehículos eléctricos, los sistemas de energía renovable y la automatización industrial.
Propiedades de la oblea SiC tipo 4H-N de 8 pulgadas
Propiedades básicas
1Tamaño de la oblea: 8 pulgadas (200 mm), un tamaño estándar para la producción a gran escala, comúnmente utilizado en la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.
2- Estructura de cristal.: 4H-SiC, perteneciente al sistema de cristales hexagonales. El 4H-SiC ofrece una alta movilidad electrónica y una excelente conductividad térmica, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
3. Tipo de dopaje: tipo N (dopado con nitrógeno), que proporciona conductividad adecuada para dispositivos de potencia, dispositivos de RF, dispositivos optoelectrónicos, etc.
Propiedades eléctricas
1- Es una banda.: 3.23 eV, proporcionando un amplio intervalo de banda que garantiza un funcionamiento confiable en entornos de alta temperatura y alto voltaje.
2Movilidad de los electrones: 800~1000 cm2/V·s a temperatura ambiente, garantizando un transporte eficiente de carga, adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
3- Descomposición del campo eléctrico.: > 2,0 MV/cm, lo que indica que la oblea puede soportar alto voltaje, por lo que es adecuada para aplicaciones de alto voltaje.
Propiedades térmicas
1. Conductividad térmica: 120-150 W/m·K, lo que permite una disipación de calor eficaz en aplicaciones de alta densidad de potencia, evitando el sobrecalentamiento.
2. Coeficiente de expansión térmica: 4.2 × 10−6 K−1, similar al silicio, lo que lo hace compatible con otros materiales como los metales, reduciendo los problemas de desajuste térmico.
Propiedades mecánicas
1. Duredad: SiC tiene una dureza de Mohs de 9.5, sólo superado por el diamante, lo que lo hace altamente resistente al desgaste y al daño en condiciones extremas.
2. Roughness de la superficie: por lo general menos de 1 nm (RMS), lo que garantiza una superficie lisa para el procesamiento de semiconductores de alta precisión.
Estabilidad química
1Resistencia a la corrosión: Excelente resistencia a ácidos fuertes, bases y ambientes hostiles, lo que garantiza una estabilidad a largo plazo en condiciones exigentes.
8 pulgadas 4H-N tipo Wafer SiC de la imagen
Aplicación de las obleas SiC tipo 4H-N de 8 pulgadas
1.Electrónica de potencia: ampliamente utilizado en MOSFETs de potencia, IGBT, diodos Schottky, etc., para aplicaciones como vehículos eléctricos, conversión de energía, gestión de energía y generación de energía solar.
2.RF y aplicaciones de alta frecuencia: Se utiliza en estaciones base 5G, comunicaciones por satélite, sistemas de radar y otras aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
3.Optoelectrónica: Se utiliza en LED azules y ultravioleta y otros dispositivos optoelectrónicos.
4.Electrónica automotriz: Se utiliza en sistemas de gestión de baterías de vehículos eléctricos (BMS), sistemas de control de potencia y otras aplicaciones automotrices.
5Energía renovable: Se utiliza en inversores de alta eficiencia y sistemas de almacenamiento de energía, mejorando la eficiencia de conversión de energía.