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InAs Substrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 5 pulgadas 6 pulgadas Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP pulido
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Substrato de arseniuro de indio (InAs) |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 25 |
|---|---|
| Precio: | undetermined |
| Detalles de empaquetado: | plástico espumado + cartón |
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 PCS/semana |
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Información detallada |
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| El material: | Arseniuro del indio (InAs) | - ¿ Qué pasa?: | 0.354 eV (intervalo de banda directo a 300 K) |
|---|---|---|---|
| Movilidad de los electrones: | > 40 000 cm2/V·s (300 K), permitiendo el uso de dispositivos electrónicos de alta velocidad | Masa efectiva: | Masa efectiva del electrón: ~ 0,023 m0 (masa del electrón libre) |
| Enreje constante: | 6.058 Å, bien combinado con materiales como GaSb e InGaAs | Conductividad térmica: | ~ 0,27 W/cm·K a 300 K |
| Concentración intrínseca del portador: | ~1,5 × 1016 cm−3 a 300 K | Indice de refracción: | ~ 3,51 (a una longitud de onda de 10 μm) |
| Resaltar: | 5 pulgadas como sustrato,6 pulgadas como sustrato,4 pulgadas como sustrato |
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Descripción de producto
InAs Substrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 5 pulgadas 6 pulgadas Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP
Abstrato de sustratos de arseniuro de indio (InAs)
Los sustratos de arseniuro de indio (InAs) son esenciales en el desarrollo de tecnologías avanzadas de semiconductores, gracias a su combinación única de propiedades eléctricas y ópticas.Como semiconductor compuesto III-V, InAs es particularmente valorado por su estrecha banda de 0,36 eV a temperatura ambiente, lo que le permite operar eficazmente en el espectro infrarrojo.Esto hace de InAs un material ideal para fotodetectores infrarrojosAdemás, su alta movilidad electrónica permite el transporte rápido de carga,haciendo que sea crucial para la electrónica de alta velocidad como los transistores y los circuitos integrados utilizados en sistemas de comunicación y aplicaciones de alta frecuencia.
Además, el InAs desempeña un papel clave en el campo emergente de las tecnologías cuánticas, ya que sus propiedades permiten la fabricación de puntos cuánticos y otras nanostructuras.que son fundamentales para el desarrollo de dispositivos cuánticosLa capacidad de integrar InAs con otros materiales como InP y GaAs mejora aún más su versatilidad.conduciendo a la creación de heterostructuras avanzadas para dispositivos optoelectrónicos como diodos láser y diodos emisores de luz.
Propiedades de los sustratos INAs
1- Es muy estrecho.
InAs tiene un intervalo de banda directo de 0,354 eV a temperatura ambiente, lo que lo posiciona como un excelente material para la detección de infrarrojos de larga longitud de onda (LWIR).Su estrecha banda permite una alta sensibilidad en la detección de fotones de baja energía, crucial para aplicaciones en imágenes térmicas y espectroscopia.
2Alta movilidad de electrones
Una de las propiedades más destacadas de los InAs es su excepcional movilidad de electrones, que supera los 40.000 cm2/V•s a temperatura ambiente.Esta alta movilidad facilita el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta velocidad y baja potencia, como los transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) y los osciladores de terahercios.
3Baja masa efectiva
La baja masa efectiva de electrones en InAs conduce a una alta movilidad del portador y a una reducción de la dispersión, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia y estudios de transporte cuántico.
4Excelente combinación de rejillas.
Los sustratos InAs muestran una buena compatibilidad de red con otros materiales III-V como el antimonuro de galio (GaSb) y el arseniuro de galio de indio (InGaAs).Esta compatibilidad permite la fabricación de heterostructuras y dispositivos de múltiples uniones., que son cruciales para aplicaciones optoelectrónicas avanzadas.
5Respuesta infrarroja fuerte.
Su fuerte absorción y emisión en el espectro infrarrojo lo convierten en un material óptimo para dispositivos fotónicos como láseres y detectores que operan en las regiones espectrales de 3-5 μm y 8-12 μm.
| Propiedad | Descripción |
|---|---|
| El bandgap | 0.354 eV (intervalo de banda directo a 300 K) |
| Movilidad de los electrones | > 40 000 cm2/V·s (300 K), permitiendo el uso de dispositivos electrónicos de alta velocidad |
| Masa efectiva | Masa efectiva del electrón: ~ 0,023 m0 (masa del electrón libre) |
| Constante de red | 6.058 Å, bien combinado con materiales como GaSb e InGaAs |
| Conductividad térmica | ~ 0,27 W/cm·K a 300 K |
| Concentración intrínseca del portador | ~1,5 × 1016 cm−3 a 300 K |
| Indice de refracción | ~ 3,51 (a una longitud de onda de 10 μm) |
| Respuesta al infrarrojo | Sensibles a las longitudes de onda en el rango de 3 5 μm y 8 12 μm |
| Estructura de cristal | Mezcla de zinc (cubico centrado en la cara) |
| Propiedades mecánicas | Es frágil y requiere un manejo cuidadoso durante el procesamiento |
| Coeficiente de expansión térmica | ~4,6 × 10−6 /K a 300 K |
| Punto de fusión | - 942 °C |
Fabricación de substratos de InAs
1Crecimiento de Cristal.
Los sustratos InAs se producen principalmente utilizando técnicas como el método Czochralski (CZ) y el método de congelación por gradiente vertical (VGF).Estos métodos aseguran cristales individuales de alta calidad con mínimos defectos.
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Método de Czochralski: En este proceso, se sumerge un cristal de semilla en una mezcla fundida de indio y arsénico.
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Congelamiento del gradiente vertical: Esta técnica consiste en solidificar el material fundido en un gradiente térmico controlado, dando como resultado una estructura cristalina uniforme con menos dislocaciones.
2Procesamiento de obleas
Una vez que el cristal crece, se corta en obleas del grosor deseado con herramientas de corte de precisión.esenciales para la fabricación del dispositivoEl pulido químico-mecánico (CMP) se emplea a menudo para eliminar las imperfecciones de la superficie y mejorar la planitud.
3Control de calidad
Las técnicas de caracterización avanzadas, incluyendo la difracción de rayos X (XRD), la microscopía de fuerza atómica (AFM) y las mediciones del efecto Hall, se utilizan para asegurar la estructura, la electricidad, la eficiencia y la eficiencia.y calidad óptica de los sustratos.
Aplicaciones de los sustratos INAs
1Detectores de infrarrojos
Los sustratos inAs se utilizan ampliamente en fotodetectores infrarrojos, particularmente para imágenes térmicas y monitorización ambiental.Su capacidad para detectar luz infrarroja de larga longitud de onda los hace indispensables para aplicaciones en defensa, astronomía e inspección industrial.
2Dispositivos cuánticos
InAs es un material preferido para dispositivos cuánticos debido a su baja masa efectiva y alta movilidad de electrones.y circuitos fotónicos avanzados.
3Electrónica de alta velocidad
La alta movilidad electrónica de los InAs permite el desarrollo de transistores de alta velocidad, incluidos los HEMT y los transistores bipolares de heterojunción (HBT).Estos dispositivos son cruciales para las aplicaciones en comunicaciones inalámbricas, sistemas de radar y amplificadores de alta frecuencia.
4. Optoelectrónica
Los sustratos de inAs se utilizan en la fabricación de láseres infrarrojos y diodos emisores de luz (LED).
5Tecnologías Terahertz
Las propiedades de InAs® lo hacen adecuado para fuentes y detectores de radiación de terahercios.
Pregunta y respuesta
P: ¿Cuáles son las ventajas de los sustratos InAs?
A: ¿Qué quieres decir?1Alta sensibilidad: Los dispositivos basados en InAs muestran una excelente sensibilidad a la luz infrarroja, lo que los hace ideales para condiciones de poca luz.
2.Versatilidad: Los sustratos InAs pueden integrarse con diversos materiales III-V, lo que permite el diseño de dispositivos versátiles y de alto rendimiento.
3Escalabilidad: Los avances en las técnicas de crecimiento de cristales han hecho posible producir obleas InAs de gran diámetro, satisfaciendo las demandas de la fabricación moderna de semiconductores.
algunos productos similares a los sustratos de arseniuro de indio (InAs)
1. Substratos de arseniuro de galio (GaAs)
- Propiedades clave: Bandgap directo (1,42 eV), alta movilidad de electrones (~ 8,500 cm2/V·s) y excelente conductividad térmica (~ 0,55 W/cm·K).
- Aplicaciones: Ampliamente utilizado en electrónica de alta frecuencia, células solares y optoelectrónica, como LED y diodos láser.
- Ventajas: Procesos de fabricación bien establecidos, lo que hace que sea rentable para muchas aplicaciones.
2. Substratos de fosfuro de indio (InP)
- Propiedades clave: Bandgap directo (1,34 eV), alta movilidad de electrones (~ 5,400 cm2/V·s), y excelente compatibilidad de red con InGaAs.
- Aplicaciones: Es esencial para dispositivos fotónicos de alta velocidad, sistemas de comunicación óptica y láseres de cascada cuántica.
- Ventajas: Alta conductividad térmica y idoneidad para aplicaciones de alta potencia.
Etiqueta: #InAs Substrate #Substrato de semiconductores