Wafer de SiC de 12 pulgadas 300 mm espesor 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade para semiconductores
Datos del producto:
Lugar de origen: | porcelana |
Nombre de la marca: | ZMSH |
Certificación: | Rohs |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 11 |
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Detalles de empaquetado: | solo envase de la oblea |
Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
Condiciones de pago: | T/T |
Información detallada |
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Diameter: | 300mm 12inch | Thickness: | 750μm±15 μm |
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Wafer Orientation: | Off axis : 4.0° toward <1120 >±0.5° for 4H-N, On axis : <0001>±0.5° for 4H-SI | Micropipe Density: | ≤0.4cm-2 |
Resistivity: | ≥1E10 Ω·cm | Roughness: | Ra≤0.2 nm |
Base plane dislocation: | ≤1000 cm-2 | Embalaje: | solo envase de la oblea |
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Descripción de producto
Wafer de SiC de 12 pulgadas 300 mm de espesor 750 ± 25um Prime Dummy Reaserch Grade para semiconductores
12 pulgadas de obleas de SiC
Una de 12 pulgadas (300 mm)con un contenido de aluminio superior o igual a 10%,con un grosor de 750±25 micrones, es un material crítico en la industria de semiconductores debido a su excepcional conductividad térmica, alto voltaje de ruptura y propiedades mecánicas superiores.Estas obleas se fabrican con técnicas avanzadas para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones de semiconductores de alto rendimientoLas propiedades inherentes del SiC lo hacen ideal para dispositivos de potencia y electrónica de alta temperatura, ofreciendo una mayor eficiencia y durabilidad en comparación con los semiconductores tradicionales a base de silicio.
Hoja de datos de las obleas de SiC de 12 pulgadas
Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas | |||||
Grado | Producción ZeroMPD Grado (grado Z) |
Producción estándar Grado (grado P) |
Grado de imitación (Grado D) |
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Diámetro | 3 0 0 mm ~ 1305 mm | ||||
El grosor | 4H-N | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
4H-SI | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120 > ± 0,5° para 4H-N, en el eje: < 0001> ± 0,5° para 4H-SI | ||||
Densidad de los microtubos | 4H-N | ≤ 0,4 cm-2 | ≤ 4 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | |
4H-SI | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | ||
Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.024 Ω·cm | 0.015 ~ 0.028 Ω·cm | ||
4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
Orientación plana primaria | {10-10} ± 5,0° | ||||
Duración plana primaria | 4H-N | No incluido | |||
4H-SI | Noche | ||||
Exclusión del borde | 3 mm | ||||
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplican las siguientes medidas: | |||
1 La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
Las grietas de borde por la luz de alta intensidad 1 Placas hexagonales con luz de alta intensidad 1 Áreas de politipo por luz de alta intensidad Inclusiones de carbono visual La superficie del silicio se araña con luz de alta intensidad |
No hay Área acumulada ≤ 0,05% No hay Área acumulada ≤ 0,05% No hay |
Duración acumulada ≤ 20 mm, longitud única ≤ 2 mm Área acumulada ≤ 0,1% Área acumulada ≤ 3% Área acumulada ≤ 3% Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea |
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Chips de borde por luz de alta intensidad | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 7 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
Dislocación del tornillo de roscado | ≤ 500 cm2 | No incluido | |||
Dislocación del plano base | ≤ 1000 cm2 | No incluido | |||
Contaminación de la superficie del silicio por luz de alta intensidad |
No hay | ||||
Embalaje | Cásete de varias obleas o contenedor de una sola obleas |
Foto de una oblea de SiC de 12 pulgadas.
Propiedades de las obleas de SiC de 12 pulgadas
1Ventajas de las obleas de 12 pulgadas (de gran tamaño):
- Wafer de SiC de 12 pulgadas Aumento de la eficiencia de producción: a medida que aumenta el tamaño de la oblea, el número de chips por unidad de área aumenta significativamente, mejorando en gran medida la eficiencia de fabricación.una oblea de 12 pulgadas puede producir más dispositivos en el mismo tiempo, acortando el ciclo de producción.
- Wafer de SiC de 12 pulgadasReducción de los costos de producción: Dado que una sola oblea de SiC de 12 pulgadas puede producir más chips, el costo de fabricación por chip se reduce en gran medida.Las obleas más grandes mejoran la eficiencia de procesos como la fotolitografía y la deposición de películas finas, reduciendo así el coste total de producción.
- Mayor rendimiento: Mientras que el material SiC tiene inherentemente una mayor tasa de defectos, las obleas más grandes ofrecen más tolerancia a los defectos en el proceso de producción, lo que ayuda a mejorar el rendimiento.
2. Adecuación para aplicaciones de alta potencia:
- Wafer de SiC de 12 pulgadasEl propio material SiC tiene excelentes propiedades para altas temperaturas, alta frecuencia, alta potencia y alto rendimiento de voltaje, lo que lo hace ideal para electrónica de potencia, electrónica automotriz,y estaciones base 5GUna oblea de SiC de 12 pulgadas satisface mejor las demandas de rendimiento y fiabilidad del dispositivo en estos campos.
- Wafer de SiC de 12 pulgadasVehículos eléctricos (VE) y estaciones de carga: los dispositivos SiC, especialmente los fabricados a partir de obleas de 12 pulgadas, se han convertido en una tecnología clave en los sistemas de gestión de baterías (BMS) de vehículos eléctricos (VE),Carga rápida de corriente continuaEl mayor tamaño de la oblea puede satisfacer los mayores requisitos de potencia, proporcionando una mayor eficiencia y un menor consumo de energía.
3- Alineación con las tendencias de desarrollo de la industria:
- Wafer de SiC de 12 pulgadasProcesos avanzados y una mayor integración: a medida que la tecnología de semiconductores avanza, aumenta la demanda de dispositivos de potencia con una mayor integración y rendimiento,En particular en campos como la automoción., energía renovable (solar, eólica) y redes inteligentes.La oblea de SiC de 12 pulgadas no solo ofrece una mayor densidad de potencia y fiabilidad, sino que también cumple con el diseño cada vez más complejo del dispositivo y los requisitos de tamaño más pequeño.
- Crecimiento de la demanda del mercado mundial: existe una creciente demanda mundial de energía verde, desarrollo sostenible y transmisión de energía eficiente, lo que continúa impulsando el mercado de dispositivos de potencia SiC.El rápido desarrollo de los vehículos eléctricos (VE) y el equipo de energía eficiente ha ampliado la aplicación de las obleas de SiC de 12 pulgadas.
4Ventajas materiales:
- Wafer de SiC de 12 pulgadasEl material SiC tiene una excelente conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas y tolerancia a la radiación.que lo hace especialmente adecuado para alta tensión, aplicaciones de alta potencia.
- La oblea de SiC de 12 pulgadas también puede operar en un rango de temperatura más amplio, lo que es crítico para la estabilidad y durabilidad de los dispositivos electrónicos de potencia.
Pregunta y respuesta
P: ¿Cuáles son las ventajas de usar obleas de SiC de 12 pulgadas en la fabricación de semiconductores?
R: Las principales ventajas del uso de obleas de SiC de 12 pulgadas incluyen:
- Aumento de la eficiencia de producción: las obleas más grandes permiten producir más chips por unidad de área, reduciendo el tiempo del ciclo de fabricación.Esto resulta en un mayor rendimiento y una mejor eficiencia general en comparación con las obleas más pequeñas.
- Reducción de los costos de producción: Una sola oblea de 12 pulgadas produce más chips, lo que reduce el costo por chip.Las obleas más grandes también mejoran la eficiencia de procesos como la fotolitografía y la deposición de películas finas.
- Mayor rendimiento: Aunque el material SiC tiende a tener una mayor tasa de defectos, las obleas más grandes permiten una mayor tolerancia a los defectos, lo que en última instancia ayuda a mejorar el rendimiento.
P: ¿Cuáles son las principales aplicaciones de las obleas de SiC de 12 pulgadas en sistemas de alta potencia?
Las obleas de SiC de 12 pulgadas son particularmente adecuadas para aplicaciones de alta potencia como:
- Vehículos eléctricos (VE) y estaciones de carga: Los dispositivos SiC fabricados con obleas de 12 pulgadas son cruciales para los sistemas de conversión de energía, los sistemas de gestión de baterías (BMS), los sistemas de recolección de energía y los sistemas de recolección de energía.y carga rápida de CC en vehículos eléctricosEl mayor tamaño de la oblea soporta mayores demandas de energía, mejorando la eficiencia y reduciendo el consumo de energía.
- Electrónica de alto voltaje y alta potencia: La excelente conductividad térmica y la resistencia a altas temperaturas del SiC® hacen que las obleas de SiC de 12 pulgadas sean ideales para la electrónica de alta potencia utilizada en la industria automotriz,energía renovable (solar), energía eólica) y aplicaciones de redes inteligentes.
Estas obleas satisfacen la creciente necesidad de dispositivos de energía eficientes en el mercado mundial en evolución de energía verde y tecnología sostenible.
Etiqueta: 12 pulgadas de Wafer SiC Wafer SiC Wafer 300 mm Wafer SiC