Nombre De La Marca: | ZMSH |
MOQ: | 11 |
Detalles Del Embalaje: | solo envase de la oblea |
Condiciones De Pago: | T/T |
Wafer de SiC de 12 pulgadas 300 mm de espesor 750 ± 25um Prime Dummy Reaserch Grade para semiconductores
12 pulgadas de obleas de SiC
Una de 12 pulgadas (300 mm)con un contenido de aluminio superior o igual a 10%,con un grosor de 750±25 micrones, es un material crítico en la industria de semiconductores debido a su excepcional conductividad térmica, alto voltaje de ruptura y propiedades mecánicas superiores.Estas obleas se fabrican con técnicas avanzadas para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones de semiconductores de alto rendimientoLas propiedades inherentes del SiC lo hacen ideal para dispositivos de potencia y electrónica de alta temperatura, ofreciendo una mayor eficiencia y durabilidad en comparación con los semiconductores tradicionales a base de silicio.
Hoja de datos de las obleas de SiC de 12 pulgadas
Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas | |||||
Grado | Producción ZeroMPD Grado (grado Z) |
Producción estándar Grado (grado P) |
Grado de imitación (Grado D) |
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Diámetro | 3 0 0 mm ~ 1305 mm | ||||
El grosor | 4H-N | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
4H-SI | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120 > ± 0,5° para 4H-N, en el eje: < 0001> ± 0,5° para 4H-SI | ||||
Densidad de los microtubos | 4H-N | ≤ 0,4 cm-2 | ≤ 4 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | |
4H-SI | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | ||
Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.024 Ω·cm | 0.015 ~ 0.028 Ω·cm | ||
4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
Orientación plana primaria | {10-10} ± 5,0° | ||||
Duración plana primaria | 4H-N | No incluido | |||
4H-SI | Noche | ||||
Exclusión del borde | 3 mm | ||||
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplican las siguientes medidas: | |||
1 La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
Las grietas de borde por la luz de alta intensidad 1 Placas hexagonales con luz de alta intensidad 1 Áreas de politipo por luz de alta intensidad Inclusiones de carbono visual La superficie del silicio se araña con luz de alta intensidad |
No hay Área acumulada ≤ 0,05% No hay Área acumulada ≤ 0,05% No hay |
Duración acumulada ≤ 20 mm, longitud única ≤ 2 mm Área acumulada ≤ 0,1% Área acumulada ≤ 3% Área acumulada ≤ 3% Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea |
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Chips de borde por luz de alta intensidad | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 7 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
Dislocación del tornillo de roscado | ≤ 500 cm2 | No incluido | |||
Dislocación del plano base | ≤ 1000 cm2 | No incluido | |||
Contaminación de la superficie del silicio por luz de alta intensidad |
No hay | ||||
Embalaje | Cásete de varias obleas o contenedor de una sola obleas |
Foto de una oblea de SiC de 12 pulgadas.
Propiedades de las obleas de SiC de 12 pulgadas
Pregunta y respuesta
P: ¿Cuáles son las ventajas de usar obleas de SiC de 12 pulgadas en la fabricación de semiconductores?
R: Las principales ventajas del uso de obleas de SiC de 12 pulgadas incluyen:
P: ¿Cuáles son las principales aplicaciones de las obleas de SiC de 12 pulgadas en sistemas de alta potencia?
Las obleas de SiC de 12 pulgadas son particularmente adecuadas para aplicaciones de alta potencia como:
Etiqueta: 12 pulgadas de Wafer SiC Wafer SiC Wafer 300 mm Wafer SiC