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Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas Wafer de carburo de silicio de 300 mm Substrato 750 ± 25um Orientación tipo 4H-N 100 grado de investigación de producción
Datos del producto:
| Lugar de origen: | porcelana |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Certificación: | Rohs |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Detalles de empaquetado: | solo envase de la oblea |
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, |
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Información detallada |
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| Polytype: | 4H -SiC 6H-SiC | Diámetro: | 12 pulgadas 300 mm |
|---|---|---|---|
| Conductividad: | N tipo / Semi-aislante | dopante: | N2 (nitrógeno) V (vanadio) |
| orientación: | En el eje <0001> fuera del eje <0001> fuera de 4° | Resistencia: | 0.015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N) |
| Densidad de micropípeos (MPD): | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef | TTV: | ≤ 25 μm |
| Resaltar: | Wafer de carburo de silicio 4H-N,Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas,Wafer de carburo de silicio de 300 mm |
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Descripción de producto
Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas Wafer de carburo de silicio de 300 mm 750 ± 25um Orientación tipo 4H-N 100 Producción grado de investigación
Resumen de una oblea de SiC de 12 pulgadas
Esta oblea de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas está diseñada para aplicaciones avanzadas de semiconductores, con un diámetro de 300 mm, un grosor de 750 ± 25 μm,con una orientación cristalina de tipo 4H-N con un politipo de 4H-SiCLa oblea se produce utilizando técnicas de fabricación de alta calidad para cumplir con los estándares de los entornos de investigación y producción.de alta temperatura, y dispositivos de alta frecuencia, a menudo utilizados en aplicaciones como vehículos eléctricos (EV), electrónica de potencia y tecnología RF.La integridad estructural superior de la oblea y las especificaciones precisas aseguran altos rendimientos en la fabricación del dispositivo, ofreciendo un rendimiento óptimo en investigación de vanguardia y aplicaciones industriales.
Diagrama de datos de una oblea de SiC de 12 pulgadas
| - ¿ Qué?Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) | |||||
| Grado | Producción ZeroMPD Grado (grado Z) |
Producción estándar Grado (grado P) |
Grado de imitación (Grado D) |
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| Diámetro | 3 0 0 mm | ||||
| El grosor | 4H-N | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120 > ± 0,5° para 4H-N, en el eje: < 0001> ± 0,5° para 4H-SI | ||||
| Densidad de los microtubos | 4H-N | ≤ 0,4 cm- ¿ Qué pasa? | ≤ 4 cm- ¿ Qué pasa? | ≤ 25 cm- ¿ Qué pasa? | |
| 4H-SI | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm- ¿ Qué pasa? | ≤ 25 cm- ¿ Qué pasa? | ||
| Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.024 Ω·cm | 0.015 ~ 0.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| Orientación plana primaria | {10-10} ± 5,0° | ||||
| Duración plana primaria | 4H-N | No incluido | |||
| 4H-SI | Noche | ||||
| Exclusión del borde | 3 mm | ||||
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplican las siguientes medidas: | |||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| Las grietas de borde por la luz de alta intensidad Placas hexagonales con luz de alta intensidad Áreas de politipo por luz de alta intensidad Inclusiones de carbono visual La superficie del silicio se araña con luz de alta intensidad |
No hay Área acumulada ≤ 0,05% No hay Área acumulada ≤ 0,05% No hay |
Duración acumulada ≤ 20 mm, longitud única ≤ 2 mm Área acumulada ≤ 0,1% Área acumulada ≤ 3% Área acumulada ≤ 3% Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea |
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| Chips de borde por luz de alta intensidad | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 7 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| (TSD)Dislocación del tornillo de roscado | No más500 cm de largo- ¿ Qué pasa? | No incluido | |||
| (PDE)Dislocación del plano base | No más1 000 cm- ¿ Qué pasa? | No incluido | |||
| El SSuperficie de ilicónContaminación por luz de alta intensidad | No hay | ||||
| Embalaje | Cásete de varias obleas o contenedor de una sola obleas | ||||
| Las notas: | |||||
| 1 Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto a la zona de exclusión de los bordes. Los arañazos deben comprobarse únicamente en la cara de Si. 3 Los datos de dislocación provienen únicamente de obleas grabadas KOH. |
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La foto de la oblea de SiC de 12 pulgadas
Las propiedades de una oblea de SiC de 12 pulgadas
1.Propiedades materiales del SiC:
- Amplio espacio de banda: SiC tiene un amplio intervalo de banda (~ 3.26 eV), lo que le permite operar a voltajes, temperaturas y frecuencias más altos en comparación con el silicio tradicional (Si).
- Alta conductividad térmica: La conductividad térmica del SiC es mucho mayor que la del silicio (alrededor de 3,7 W/cm·K), por lo que es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia donde la disipación de calor es crítica.
- Alta tensión de ruptura: El SiC puede soportar voltajes mucho más altos (hasta 10 veces más altos que el silicio), lo que lo hace ideal para la electrónica de potencia, como transistores de potencia y diodos.
- Alta movilidad de los electrones: La movilidad de electrones en SiC es mayor que en el silicio tradicional, lo que contribuye a tiempos de conmutación más rápidos en dispositivos electrónicos.
2.Propiedades mecánicas:
- Alta dureza: El SiC es muy duro (dureza de Mohs 9), lo que contribuye a su resistencia al desgaste, pero también dificulta su procesamiento y mecanización.
- La rigidez: Tiene un alto módulo de Young, lo que significa que es más rígido y más duradero en comparación con el silicio, lo que mejora su robustez en dispositivos.
- La fragilidad: El SiC es más frágil que el silicio, lo que es importante tener en cuenta durante el procesamiento de obleas y la fabricación de dispositivos.
Aplicaciones de las obleas de SiC de 12 pulgadas
Las obleas de SiC de 12 pulgadas se utilizan principalmente en electrónica de alta potencia, incluidos los MOSFET de potencia, diodos e IGBT, lo que permite una conversión eficiente de energía en industrias comovehículos eléctricos,energía renovable, ysistemas de energía industrialLa alta conductividad térmica, el amplio intervalo de banda y la capacidad de soportar altas temperaturas lo hacen ideal para aplicaciones enelectrónica para automóviles,Inversores de potencia, ysistemas energéticos de alta potencia. Su uso endispositivos de RF de alta frecuenciaysistemas de comunicación de microondasTambién lo hace crítico para las telecomunicaciones, el aeroespacial y los sistemas de radar militares.
Además, las obleas de SiC se utilizan enLED y optoelectrónica, que sirven de sustratos paraLED azules y UVLa resistencia del material en ambientes adversos permite su uso enSensores de alta temperatura,dispositivos médicos, ysistemas de energía por satélite. Con su creciente papel enredes inteligentes,almacenamiento de energía, ydistribución de energía, SiC está ayudando a mejorar la eficiencia, la fiabilidad y el rendimiento en una amplia gama de aplicaciones.
Las preguntas y respuestas de la oblea de SiC de 12 pulgadas
1.¿Qué es una oblea de SiC de 12 pulgadas?
- ¿ Qué?: Una oblea de SiC de 12 pulgadas es un sustrato de carburo de silicio (SiC) con un diámetro de 12 pulgadas, utilizado principalmente en la industria de semiconductores, especialmente para alta potencia, alta temperatura,y aplicaciones de alta frecuenciaLos materiales de SiC se utilizan ampliamente en electrónica de potencia, electrónica automotriz y dispositivos de conversión de energía debido a sus excelentes propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas.
2.¿Cuáles son las ventajas de una oblea de SiC de 12 pulgadas?
- ¿ Qué?: Las ventajas de una oblea de SiC de 12 pulgadas incluyen:
- Estabilidad a altas temperaturas: SiC puede funcionar a temperaturas de hasta 600°C o más, ofreciendo un mejor rendimiento a altas temperaturas que los materiales tradicionales de silicio.
- Manejo de alta potencia: El SiC puede soportar alto voltaje y corriente, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta potencia como la gestión de baterías de vehículos eléctricos y fuentes de alimentación industriales.
- Alta conductividad térmica: SiC tiene una conductividad térmica significativamente mayor en comparación con el silicio, lo que ayuda a una mejor disipación de calor, mejorando la confiabilidad y la eficiencia del dispositivo.