Polvo de SiC HPSI semi-aislante de alta pureza/99,9999% Crecimiento de cristal de pureza

Introducción del producto

HPSI SiC en polvo (carburo de silicio semi-aislante de alta pureza) es un material de alto rendimiento ampliamente utilizado en electrónica de potencia, dispositivos optoelectrónicos y alta temperatura,aplicaciones de alta frecuenciaConocido por su excepcional pureza, propiedades de semi-aislamiento y estabilidad térmica, el polvo HPSI SiC es un material crítico para dispositivos semiconductores de próxima generación.

Principio de trabajo

Proceso de crecimiento de cristales en horno de carburo de silicio (SiC) PVT de cristal único:

• Coloque polvo de carburo de silicio (SiC) de alta pureza en el fondo del crisol de grafito dentro del horno y une un cristal de semilla de carburo de silicio a la superficie interna de la tapa del crisol.
• Calentar el crisol a temperaturas superiores a 2000 °C mediante calentamiento por inducción electromagnética o calentamiento resistivo.manteniendo la temperatura en el cristal de semilla ligeramente inferior a la de la fuente de polvo.
• El polvo de SiC se descompone en componentes gaseosos incluyendo átomos de silicio, moléculas de SiC2 y moléculas de Si2C.estas sustancias en fase de vapor se transportan desde la zona de alta temperatura (polvo) a la zona de baja temperatura (cristales de semilla)En la cara de carbono del cristal de semilla, estos componentes se organizan en una estructura atómica ordenada siguiendo la orientación cristalina del cristal de semilla.el cristal se espesa gradualmente y finalmente se convierte en un lingote de carburo de silicio.

Especificaciones

Aplicaciones

Crecimiento de cristal único de SiC

• El polvo de SiC HPSI se utiliza principalmente como materia prima para la producción de cristales simples de carburo de silicio de alta pureza mediante el transporte físico de vapor (PVT) o métodos de sublimación.- ¿ Qué?

- ¿ Qué?

Estructura física

El polvo de SiC HPSI presenta una estructura altamente cristalina, generalmente en forma hexagonal (4H-SiC) o cúbica Su alta pureza se logra mediante la minimización de las impurezas metálicas y el control de la inclusión de dopantes como el aluminio o el nitrógeno,que influyen en sus características eléctricas y aislantesEl gran tamaño de las partículas garantiza la uniformidad y la compatibilidad con los diversos procesos de fabricación.

Pregunta y respuesta

P1: ¿Para qué se utiliza el carburo de silicio (SiC) en polvo HPSI?
Las aplicaciones de polvo de micrones de SiC son como inyectores de chorro de arena, sellos de bombas de agua para automóviles, rodamientos, componentes de bombas y matrices de extrusión que utilizan alta dureza, resistencia a la abrasión,y resistencia a la corrosión del carburo de silicio.

P2: ¿Qué es el polvo de carburo de silicio (SiC) HPSI?

El polvo de carburo de silicio HPSI (sinterizado de alta pureza) es un material de SiC de alta pureza y alta densidad fabricado a través de procesos de sinterización avanzados.

P3: ¿Se puede personalizar el polvo de SiC HPSI para aplicaciones específicas?

Sí, el polvo de SiC HPSI puede adaptarse en términos de tamaño de partículas, nivel de pureza y concentración de dopaje para satisfacer necesidades industriales o de investigación específicas.

P4: ¿Cómo afecta directamente el polvo HPSI SiC a la calidad de las obleas de semiconductores?

Su pureza, tamaño de partícula y fase cristalina determinan directamente.

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