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Cristales de semilla de SiC específicamente aquellos con diámetros de 153, 155, 205, 203 y 208 mm
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5 |
|---|---|
| Precio: | undetermined |
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Información detallada |
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| Estructura de cristal: | 4H, 6H, 3C (más común: 4H para dispositivos de potencia) | Dureza (Mohs): | 9.2-9.6 |
|---|---|---|---|
| orientación: | (0001) Características de la superficie de Si o de la superficie de C | Resistencia: | 102-105 (semi-aislante) Ω·cm |
| Resaltar: | Cristales de semillas de SiC,Cristales de semillas de SiC de 208 mm de diámetro,Dureza Mohs 9.2 Cristales de semilla de SiC |
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Descripción de producto
Cristales de semilla de SiC, especialmente los de diámetros de 153, 155, 205, 203 y 208 mm
Resumen de los cristales de semilla de SiC
Los cristales de semilla de SiC son pequeños cristales con la misma orientación cristalina que el cristal deseado, que sirven como semillas para el crecimiento de un solo cristal.Diferentes orientaciones de los cristales de semilla dan cristales únicos con orientaciones variablesBasados en sus aplicaciones, los cristales de semilla pueden ser categorizados en semillas de cristal único extraídas de CZ (Czochralski), semillas fundidas en zona, semillas de zafiro y semillas de SiC.
Los materiales de SiC poseen ventajas tales como una amplia banda, alta conductividad térmica, alta resistencia del campo de descomposición crítica y alta velocidad de deriva de electrones saturados,lo que los hace muy prometedores en la fabricación de semiconductores.
Los cristales de semilla de SiC desempeñan un papel crucial en la industria de semiconductores, y sus procesos de preparación son vitales para la calidad del cristal y la eficiencia del crecimiento.La elección y preparación de cristales de semilla de SiC adecuados es fundamental para el crecimiento de cristales de SiCLos diferentes métodos de crecimiento y estrategias de control afectan directamente a la calidad y el rendimiento de los cristales.La investigación de las propiedades termodinámicas y los mecanismos de crecimiento de los cristales de semilla de SiC ayuda a optimizar los procesos de producción, mejorando tanto la calidad del cristal como el rendimiento.
La tabla de atributos de los cristales de semilla de SiC
| Propiedad | Valor / Descripción | Unidad / notas |
| Estructura de cristal | 4H, 6H, 3C (más común: 4H para dispositivos de potencia) | Los politipos varían en la secuencia de apilamiento |
| Parámetros de la red | a=3,073Å, c=10,053Å (4H-SiC) | Sistema hexagonal |
| Densidad | 3.21 | G/cm3 |
| Punto de fusión | Las demás sustancias químicas | °C |
| Conductividad térmica | 490 (°C), 390 (°C) (4H-SiC) | W/(m·K) |
| Expansión térmica | 4.2×10−6 (c), 4.68×10−6 (c) | K−1 |
| La brecha de banda | 3.26 (4H), 3.02 (6H), 2.36 (3C) | Ev / 300 K |
| Dureza (Mohs) | 9.2-9.6 | Solo el diamante lo ocupa |
| Indice de refracción | 2.65 633nm (4H-SiC) | |
| Constante dieléctrica | 9.66 (c), 10.03 (c) (4H-SiC) | 1MHz |
| Campo de descomposición | ~ 3×106 | V/cm |
| Movilidad de los electrones | 900-1000 (4H) | En el caso de los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor de motor |
| Movilidad por agujeros | 100-120 (4H) | En el caso de los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor de motor |
| Densidad de dislocación | < 103 (mejores semillas comerciales) | Cm−2 |
| Densidad de los microtubos | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | Cm−2 |
| Ángulo fuera de corte | Por lo general 4° o 8° hacia <11-20> | Para la epitaxia controlada por pasos |
| Diámetro | 153 milímetros, 155 milímetros, 203 milímetros. | Disponibilidad comercial |
| La rugosidad de la superficie | < 0,2 nm (listo para la epi) | Ra (polido a nivel atómico) |
| Orientación | (0001) Características de la superficie de Si o de la superficie de C | Afecta el crecimiento epitaxial |
| Resistencia | 102-105 (semi-aislante) | O · cm |
Métodos de transporte físico de vapor (PVT)
Por lo general, los cristales individuales de SiC se generan utilizando métodos de transporte de vapor físico (PVT).con el cristal de semilla de SiC colocado en la parte superiorEl crisol de grafito se calienta a la temperatura de sublimación de SiC, haciendo que el polvo de SiC se descomponga en especies de vapor como vapor de Si, Si2C y SiC2.Bajo la influencia de un gradiente de temperatura axial, estos gases se elevan a la parte superior del crisol, donde se condensan en la superficie del cristal de semilla de SiC, formando cristales individuales de SiC.
En la actualidad, el diámetro del cristal semilla utilizado para el crecimiento de cristal único de SiC debe coincidir con el del cristal objetivo.el cristal de semilla se fija a un soporte de semillas en la parte superior del crisol utilizando adhesivoSin embargo, problemas como la precisión del procesamiento superficial del soporte de semillas y la uniformidad de la aplicación del adhesivo pueden conducir a la formación de poros en la interfaz del adhesivo,que producen defectos de hueco hexagonal.
Para abordar el problema de la densidad de la capa adhesiva, las empresas e instituciones de investigación han propuesto varias soluciones, incluida la mejora de la planitud de las placas de grafito,aumento de la uniformidad del grosor de la película adhesivaA pesar de estos esfuerzos, persisten problemas con la densidad de la capa adhesiva y existe el riesgo de desprendimiento de cristales de semilla.Se ha implementado una solución que implica la unión de la oblea al papel de grafito que se superpone a la parte superior del crisol, resolviendo eficazmente el problema de la densidad de la capa adhesiva y evitando el desprendimiento de los cristales de semillas.
Pregunta y respuesta
P: ¿Qué factores afectan a la calidad de los cristales de semilla de SiC?
A: ¿Qué quieres decir?1.La perfección cristalina
2.Control del politipo
3.Calidad de la superficie
4.Propiedades térmicas/mecánicas
5.Composición química
6.Parámetros geométricos
7.Factores inducidos por el proceso
8.Las limitaciones de la metrología
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