Resumen general de la oblea epitaxial de SiC

Las obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas (200 mm) están emergiendo como el factor de forma más avanzado en la industria de SiC.8 ¢ Las obleas epitaxiales de SiC ofrecen oportunidades sin precedentes para ampliar la producción de dispositivos de potencia al tiempo que reducen el costo por dispositivo.

A medida que la demanda de vehículos eléctricos, energía renovable y electrónica de potencia industrial continúa aumentando a nivel mundial, las obleas 8 ′′ están permitiendo una nueva generación de MOSFETs SiC, diodos,y módulos de potencia integrados con mayor rendimiento, mejor rendimiento y menores costes de fabricación.

Con propiedades de banda ancha, alta conductividad térmica y un voltaje de ruptura excepcional, las obleas de SiC 8 ′′ están desbloqueando nuevos niveles de rendimiento y eficiencia en la electrónica de potencia avanzada.

Cómo se fabrican las obleas epitaxiales de 8 ̊ SiC

La fabricación de obleas epitaxiales de 8 ′′ SiC requiere reactores CVD de próxima generación, control preciso del crecimiento del cristal y tecnología de sustrato ultraplano:

1. Fabricación de sustratos
   Los sustratos monocristalinos de SiC 8 ′ se producen mediante técnicas de sublimación a altas temperaturas y posteriormente se pulieron hasta una rugosidad inferior a los nanómetros.

2. Enfermedad cardiovascular Crecimiento epitaxial
   Las herramientas avanzadas de CVD a gran escala operan a ~ 1600 °C para depositar capas epitaxiales de SiC de alta calidad en los sustratos 8 ′′, con flujo de gas y uniformidad de temperatura optimizados para manejar el área más grande.

3. Dopaje adaptado
   Los perfiles de dopado de tipo N o P se crean con una alta uniformidad en toda la oblea de 300 mm.

4. Metrología de precisión
   El control de uniformidad, el monitoreo de defectos de cristal y la gestión del proceso in situ aseguran la consistencia desde el centro de la oblea hasta el borde.

5. Aseguramiento integral de la calidad
   Cada oblea se valida mediante:

   • AFM, Raman y XRD

   • Mapeo de defectos de las placas completas

   • Análisis de rugosidad de la superficie y de la curvatura

   • Medidas de las propiedades eléctricas

Especificaciones

Aplicaciones

8 Las obleas epitaxales de SiC permiten la producción en masa de dispositivos de potencia fiables en sectores como:

• Vehículos eléctricos (VE)
  Inversores de tracción, cargadores integrados y convertidores de CC/CC.

• Energía renovable
  Inversores de energía solar, convertidores de energía eólica.

• Dispositivos de conducción industrial
  Unidad de motor eficiente, servosistemas.

• Infraestructura 5G / RF
  Amplificadores de potencia y interruptores de RF.

• Electrónica de consumo
  Fuentes de alimentación compactas y de alta eficiencia.

Preguntas frecuentes (FAQ)

1¿Cuál es el beneficio de las obleas de 8 ′′ SiC?
Reducen significativamente el coste de producción por chip a través del aumento de la superficie de las obleas y el rendimiento del proceso.

2¿Qué tan madura es la producción de 8 ̊ SiC?
Nuestras obleas están disponibles ahora para I+D y aumento de volumen.

3¿Se puede personalizar el dopaje y el grosor?
Sí, la personalización completa del perfil de dopaje y el grosor de epi está disponible.

4¿Son las fábricas existentes compatibles con las obleas de 8 ̊ SiC?
Se necesitan actualizaciones menores del equipo para una compatibilidad completa con 8 ̊.

5¿Cuál es el tiempo de entrega típico?
6-10 semanas para los pedidos iniciales; más corta para los volúmenes repetidos.

6¿Qué industrias adoptarán 8 ̊ SiC más rápido?
Sectores de la automoción, las energías renovables y la infraestructura de la red.

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