Wafer SiC Wafer epitaxial 4H-N HPSI 6H-N 6H-P 3C-N para MOS o SBD

Resumen de la cartera de productos de sustrato de SiC y de epí-wafer

Ofrecemos una cartera completa de sustratos y obleas de carburo de silicio (SiC) de alta calidad, que cubren múltiples politipos y tipos de dopaje (incluido el tipo 4H-N [conductor tipo N],Tipo 4H-P [conductor de tipo P], tipo 4H-HPSI [High-Purity Semi-Isolating], y tipo 6H-P [P-type conductive]), con diámetros que van desde 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas hasta 12 pulgadas.Proporcionamos servicios de crecimiento de obleas epitaxiales de alto valor añadido , lo que permite un control preciso del grosor de la epilara (1 ¢20 μm), la concentración de dopante y la densidad de defectos.

Cada sustrato de SiC y oblea epitaxial se someten a una inspección rigurosa en línea (por ejemplo, densidad de micropipes <0,1 cm−2, rugosidad superficial Ra <0).2 nm) y una caracterización eléctrica completa (como las pruebas de CV)Se utiliza para módulos de electrónica de potencia, amplificadores de RF de alta frecuencia o dispositivos optoelectrónicos (por ejemplo, LED,con una capacidad de transmisión superior a 300 W, nuestras líneas de productos de sustrato de SiC y obleas epitaxiales cumplen con los requisitos de aplicación más exigentes para la confiabilidad, la estabilidad térmica y la resistencia a la degradación.

- ¿ Qué?

Substrato SiC: Características y aplicaciones del tipo 4H-N

El sustrato de carburo de silicio de tipo 4H-N mantiene un rendimiento eléctrico estable y una robustez térmica bajo condiciones de alta temperatura y campo eléctrico alto, debido a su amplio intervalo de banda (~ 3.26 eV) y alta conductividad térmica (~370-490 W/m·K).

Características básicas:

• Dopado de tipo N: el dopado de nitrógeno controlado con precisión produce concentraciones de portadores que van desde 1 × 1016 hasta 1 × 1019 cm−3 y movilidades de electrones a temperatura ambiente de hasta aproximadamente 900 cm2/V·s.lo que ayuda a minimizar las pérdidas de conducción.

• Baja densidad de defecto: la densidad de micropipula es típicamente < 0,1 cm−2, y la densidad de dislocación del plano basal es < 500 cm−2,proporcionando una base para un alto rendimiento del dispositivo y una integridad cristalina superior.

• Excelencia de la uniformidad: el rango de resistividad es de 0,0110 Ω·cm, el grosor del sustrato es de 350-650 μm, con tolerancias de dopado y grosor controlables dentro del ±5%.

- ¿ Qué?

Aplicaciones objetivo:

• Se utiliza principalmente para dispositivos electrónicos de potencia, como los MOSFET SiC, los diodos Schottky y los módulos de potencia, ampliamente utilizados en sistemas de propulsión de vehículos eléctricos, inversores solares, accionamientos industriales,y sistemas de tracciónSus propiedades también lo hacen adecuado para dispositivos de RF de alta frecuencia en estaciones base 5G.

Substrato SiC: 4H Tipo semi-aislante Características y aplicaciones

El sustrato de SiC 4H semi-aislante posee una resistencia extremadamente alta (normalmente ≥ 109 Ω·cm), que suprime eficazmente la conducción parasitaria durante la transmisión de señales de alta frecuencia,que lo convierte en una opción ideal para la fabricación de dispositivos de alta frecuencia de radio (RF) y microondas de alto rendimiento.

Características básicas:

• Técnicas de control de precisión: Las técnicas avanzadas de crecimiento y procesamiento de cristales permiten un control preciso de la densidad de los micropípos, la estructura de un solo cristal, el contenido de impurezas y la resistividad.garantizar una alta pureza y calidad del sustrato.
• Alta conductividad térmica: Similar al SiC conductor, posee excelentes capacidades de gestión térmica, adecuadas para aplicaciones de alta densidad de potencia.
• Alta calidad de la superficie: la rugosidad de la superficie puede lograr una planitud a nivel atómico (Ra < 0,5 nm), cumpliendo con los requisitos para un crecimiento epitaxial de alta calidad.

- ¿ Qué?

Aplicaciones objetivo:

• Principalmente aplicado en el campo de RF de alta frecuencia, como amplificadores de potencia en sistemas de comunicación de microondas, radares de matriz de fases y detectores inalámbricos.

Wafer epitaxial SiC: características y aplicaciones del tipo 4H-N

La capa homoepitaxial cultivada en el sustrato SiC tipo 4H-N proporciona una capa activa optimizada para la fabricación de dispositivos de alta potencia y RF.El proceso epitaxial permite un control preciso sobre el grosor de la capa, concentración de dopaje y calidad de cristal.
- ¿ Qué?

Características básicas:

• Parámetros eléctricos personalizables: El grosor (rango típico de 5-15 μm) y la concentración de dopaje (por ejemplo,1E15 - 1E18 cm−3) de la capa epitaxial se puede personalizar de acuerdo con los requisitos del dispositivo, con una buena uniformidad.

• Baja densidad de defectos: las técnicas avanzadas de crecimiento epitaxial (como la ECV) pueden controlar eficazmente la densidad de defectos epitaxiales como los defectos de zanahoria y los defectos triangulares,mejora de la fiabilidad del dispositivo.

• Herencia del sustrato Ventajas: La capa epitaxial hereda las excelentes propiedades del sustrato SiC tipo 4H-N, incluido un amplio intervalo de banda, un campo eléctrico de alta degradación,y alta conductividad térmica..

- ¿ Qué?

Aplicaciones objetivo:

• Es el material básico para la fabricación de dispositivos de alta tensión (como MOSFET, IGBT, diodos Schottky), ampliamente utilizados en vehículos eléctricos,generación de energía renovable (inversores fotovoltaicos), motores industriales, y los campos aeroespaciales.

Sobre el ZMSH

ZMSH desempeña un papel clave en la industria del sustrato de carburo de silicio (SiC), centrándose en la I+D independiente y la producción a gran escala de materiales críticos.Dominar las tecnologías básicas que abarcan todo el proceso desde el crecimiento del cristalDesde el corte hasta el pulido, ZMSH posee la ventaja de la cadena industrial de un modelo integrado de fabricación y comercio, lo que permite servicios de procesamiento personalizados flexibles para los clientes.

ZMSH puede suministrar sustratos de SiC de varios tamaños, desde 2 pulgadas hasta 12 pulgadas de diámetro.Tipo 4H-HPSI (semi-aislante de alta pureza), tipo 4H-P y tipo 3C-N, satisfaciendo los requisitos específicos de diferentes escenarios de aplicación.

Preguntas frecuentes acerca de los tipos de sustrato de SiC - ¿ Qué?

P1: ¿Cuáles son los tres tipos principales de sustratos de SiC y sus principales aplicaciones?
A1: Los tres tipos principales son el tipo 4H-N (conductivo) para dispositivos de energía como MOSFET y EV,4H-HPSI (semi-aislante de alta pureza) para dispositivos de RF de alta frecuencia, como los amplificadores de estaciones base 5G, y tipo 6H que también se utiliza en ciertas aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
- ¿ Qué?

P2: ¿Cuál es la diferencia fundamental entre el tipo 4H-N y los sustratos de SiC semi-aislantes?
A2: La diferencia clave radica en su resistividad eléctrica; el tipo 4H-N es conductor con baja resistividad (por ejemplo, 0,01-100 Ω·cm) para el flujo de corriente en electrónica de potencia,mientras que los tipos semi-aislantes (HPSI) presentan una resistencia extremadamente alta (≥ 109 Ω·cm) para minimizar la pérdida de señal en aplicaciones de radiofrecuencia.

P3: ¿Cuál es la principal ventaja de las obleas HPSI SiC en aplicaciones de alta frecuencia como las estaciones base 5G?
A3: las obleas HPSI SiC ofrecen una resistencia extremadamente alta (> 109 Ω·cm) y una baja pérdida de señal,convirtiéndolos en sustratos ideales para amplificadores de potencia de RF basados en GaN en infraestructura 5G y comunicaciones por satélite.

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