Resumen del producto

ElWafer de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadases un sustrato semiconductor de próxima generación diseñado para aplicaciones electrónicas de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.y estabilidad química, las obleas de SiC permiten la fabricación de dispositivos de potencia avanzados que ofrecen una mayor eficiencia, mayor fiabilidad y huellas más pequeñas en comparación con las tecnologías tradicionales basadas en silicio.

El amplio intervalo de banda de SiC (~ 3.26 eV) permite que los dispositivos electrónicos operen a voltajes superiores a 1.200 V, temperaturas superiores a 200 °C y frecuencias de conmutación varias veces más altas que el silicio.El formato de 6 pulgadas ofrece una combinación equilibrada de escalabilidad de fabricación y rentabilidad, lo que lo convierte en el tamaño principal para la producción industrial en masa de MOSFETs SiC, diodos Schottky y obleas epitaxiales.

Principio de fabricación

La oblea de SiC de 6 pulgadas se cultiva utilizando el transporte de vapor físico (PVT) o la tecnología de crecimiento por sublimación.000°C y recristalizado en un cristal semilla bajo gradientes térmicos controlados con precisiónLa bola de SiC de un solo cristal resultante se corta, lampeada, pulida y limpia para lograr una planitud y calidad de superficie de grado de obleas.

Para la fabricación del dispositivo, las capas epitaxiales se depositan en la superficie de la oblea medianteDeposición química por vapor (CVD), lo que permite un control preciso de la concentración de dopado y del espesor de la capa, lo que garantiza un rendimiento eléctrico uniforme y un mínimo de defectos de cristal en toda la superficie de la oblea.

Principales características y ventajas

• Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero.Permite un funcionamiento de alto voltaje y una eficiencia energética superior.

• Alta conductividad térmica (4,9 W/cm·K):Asegura una disipación de calor eficiente para dispositivos de alta potencia.

• Campo eléctrico de alta degradación (3 MV/cm):Permite estructuras de dispositivos más delgadas con menor corriente de fuga.

• Velocidad de saturación de electrones alta:Soporta conmutación de alta frecuencia y tiempos de respuesta más rápidos.

• Excelente resistencia química y a la radiación:Ideal para entornos duros como los sistemas aeroespaciales y energéticos.

• Diámetro más grande (6 pulgadas):Mejora el rendimiento de las obleas y reduce el costo por dispositivo en la producción en masa.

Aplicaciones

• SiC en las gafas AR:
  Los materiales de SiC mejoran la eficiencia energética, reducen la generación de calor y permiten sistemas AR más delgados y ligeros a través de una alta conductividad térmica y propiedades de banda ancha.

•  

• SiC en los MOSFET:
  Los MOSFET de SiC proporcionan conmutación rápida, alto voltaje de ruptura y baja pérdida, lo que los hace ideales para controladores de microdisplay y circuitos de potencia de proyección láser.

•  

• SiC en los SBD:
  Los diodos de barrera SiC Schottky ofrecen rectificación ultra rápida y baja pérdida de recuperación inversa, mejorando la eficiencia de carga y el convertidor CC/DC en los lentes AR.

Especificaciones técnicas (Personalizable)

¿Por qué elegir nuestras obleas SiC?

• Alto rendimiento y baja densidad de defectos:El proceso avanzado de crecimiento de cristales asegura el mínimo de micro tubos y dislocaciones.

• Capacidad de epitaxia estable:Compatible con múltiples procesos de fabricación epitaxial y de dispositivos.

• Especificaciones personalizables:Disponible en varias orientaciones, niveles de dopaje y espesores.

• Control de calidad estricto:Inspección completa mediante XRD, AFM y mapeo PL para garantizar la uniformidad.

• Apoyo a la cadena de suministro mundial:Capacidad de producción fiable tanto para los pedidos de prototipos como para los pedidos en volumen.

Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuál es la diferencia entre las obleas 4H-SiC y 6H-SiC?
A1: el 4H-SiC ofrece una mayor movilidad de electrones y es preferido para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia, mientras que el 6H-SiC es adecuado para aplicaciones que requieren un mayor voltaje de ruptura y un menor costo.

P2: ¿Se puede suministrar la oblea con una capa epitaxial?
R2: Sí. Las obleas epitaxiales de SiC (epi-olefas) están disponibles con espesor personalizado, tipo de dopado y uniformidad de acuerdo con los requisitos del dispositivo.

P3: ¿Cómo se compara el SiC con los materiales GaN y Si?
A3: SiC soporta voltajes y temperaturas más altos que GaN o Si, por lo que es ideal para sistemas de alta potencia.

P4: ¿Qué orientaciones de superficie se utilizan comúnmente?
A4: Las orientaciones más comunes son (0001) para los dispositivos verticales y (11-20) o (1-100) para las estructuras de dispositivos laterales.

P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega típico para las obleas de SiC de 6 pulgadas?
R5: El tiempo de entrega estándar es de aproximadamente4 a 6 semanas, dependiendo de las especificaciones y el volumen de pedido.