Obleas de carburo de silicio de 4 pulgadas, tipo 4H-N, 350um de espesor, sustrato de SiC

4 pulgadasObleas de carburo de silicio 4H-NSustrato de SiC de 350 um de espesor

Introducción de obleas de carburo de silicio de 4 pulgadas:

   El mercado de obleas de SiC (carburo de silicio) de 4 pulgadas es un segmento emergente en la industria de los semiconductores, impulsado por la creciente demanda de materiales de alto rendimiento en diversas aplicaciones. Las obleas de SiC son reconocidas por su excelente conductividad térmica, alta resistencia del campo eléctrico y eficiencia energética excepcional. Estas características las hacen muy adecuadas para su uso en electrónica de potencia, aplicaciones automotrices y tecnologías de energía renovable. La oblea de SiC tipo 4H-N de 4 pulgadas es un sustrato de carburo de silicio conductor de alta calidad basado en la estructura cristalina del politipo 4H. Con una amplia banda prohibida, alto campo eléctrico de ruptura, excelente conductividad térmica y alta movilidad de electrones, es ideal para la fabricación de dispositivos de potencia de alto voltaje, alta frecuencia y alta temperatura, como MOSFET, diodos Schottky, JFET e IGBT. Se utiliza ampliamente en nuevos sistemas de energía, vehículos eléctricos, redes inteligentes, comunicación 5G y aplicaciones aeroespaciales.

Ventajas clave de las obleas de carburo de silicio de 4 pulgadas:

Alto voltaje de ruptura: hasta 10 veces el del silicio, ideal para dispositivos de alto voltaje.

Baja resistencia en estado activo: la alta movilidad de los electrones permite una conmutación más rápida y menores pérdidas.

Excelente conductividad térmica: aproximadamente 3 veces superior a la del silicio, lo que garantiza la fiabilidad del dispositivo bajo carga pesada.

Funcionamiento a alta temperatura: rendimiento estable por encima de 600 °C.

Calidad superior del cristal: baja densidad de micropipas y dislocaciones, excelente superficie para el crecimiento epitaxial.

Opciones personalizables: disponible con dopaje, espesor y acabado superficial adaptados para procesos de dispositivos específicos.

Parámetros de las obleas de SiC ZMSH y recomendación de productos:

Carburo de silicio de 6 pulgadas(SiC) Oblea para gafas AR MOS SBD como referencia

Aplicaciones de las obleas de carburo de silicio:

   La oblea de carburo de silicio (SiC) es uno de los materiales semiconductores de tercera generación, caracterizado por alta capacidad de potencia, baja pérdida de energía, alta fiabilidad y baja generación de calor. Se puede utilizar en entornos de alto voltaje y hostiles que superan los 1200 voltios, y se aplica ampliamente en sistemas de energía eólica, equipos ferroviarios y de transporte de gran tamaño, así como inversores solares, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI), redes inteligentes, y otras aplicaciones electrónicas de alta potencia.

Vehículos eléctricos (VE): Para inversores de tracción, cargadores integrados y convertidores CC-CC.

Energía renovable: Inversores para paneles solares y turbinas eólicas.

Sistemas industriales: Accionamientos de motores y equipos de alta potencia.

Aeroespacial y defensa: sistemas de energía de alta eficiencia en entornos hostiles.

Preguntas y respuestas:

P: ¿Cuál es la diferencia entre una oblea de Si y una de SiC?

R: Las obleas de silicio (Si) y carburo de silicio (SiC) se utilizan en la fabricación de semiconductores, pero tienen propiedades físicas, eléctricas y térmicas muy diferentes que las hacen adecuadas para diferentes tipos de dispositivos. Las obleas de silicio son ideales para electrónica estándar de baja potencia, como circuitos integrados y sensores.

Las obleas de carburo de silicio se utilizan para dispositivos de potencia de alto voltaje, alta temperatura y alta eficiencia, como los de los vehículos eléctricos, los inversores solares y los sistemas de energía industrial.

P: ¿Qué es mejor, SiC o GaN?

R: SiC es mejor para aplicaciones de alto voltaje, alta potencia y alta temperatura, como VE, energía renovable y sistemas industriales. GaN es mejor para aplicaciones de alta frecuencia y bajo a medio voltaje, como cargadores rápidos, amplificadores de RF y dispositivos de comunicación. De hecho, la tecnología GaN-on-SiC combina las fortalezas de ambos: la velocidad de GaN + el rendimiento térmico de SiC, y se utiliza ampliamente en sistemas 5G y de radar.

P: ¿Es el SiC una cerámica?

R: Sí, el carburo de silicio (SiC) es una cerámica, pero también es un semiconductor.