Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy Product Description: Our 6 inch sapphire wafer is made of high-purity single-crystal aluminum oxide (α-Al₂O₃), with standard C-plane (0001) orientation, and optional R-plane, A-plane and M-plane cuts. It is available in single-side polished (SSP) and double-side polished (DSP) finishes, with epi-ready surface quality. Standard thickness ranges from 430μm to 1300μm, with total

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