Equipo de desprendimiento láser de semiconductores para adelgazamiento no destructivo de lingotes

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Equipo de desprendimiento láser de semiconductores para adelgazamiento no destructivo de lingotes

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July 09, 2025

Conexión De Categoría: equipo de laboratorio científico

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Etiquetas:

#metro ultravioleta de la transmitencia #Metro ligero de la transmitencia #metro de la transmisión ligera

Resumen: Descubra el Equipo de Elevación por Láser de Semiconductores, una solución de vanguardia para el adelgazamiento no destructivo de lingotes en el procesamiento de semiconductores.Esta plataforma avanzada basada en láser ofrece corte de precisión de capas ultra delgadas de lingotes a granel, reduciendo los residuos y mejorando la integridad del sustrato para los dispositivos de próxima generación.

Características De Productos Relacionados:

Contact-free, non-destructive thinning for brittle materials like GaN, SiC, and sapphire.
Precision slicing of wafer-scale films with minimal material waste.
Automated control and beam shaping for seamless integration into fabrication workflows.
Supports R&D flexibility and mass production scalability.
Motion-synchronized scanning heads for precise energy delivery.
Reduces microcracking, bowing, and surface chipping risks.
Configurable with burst-mode or multi-pulse capabilities for smooth detachment.
Ideal for power electronics, RF systems, photonics, and micro-displays.

Las preguntas:

What is the minimum thickness achievable with the Semiconductor Laser Lift-Off Equipment?

Typically between 10-30 microns, depending on the material, with potential for thinner results using modified setups.
Can the equipment slice multiple wafers from the same ingot?

Yes, the laser lift-off technique allows for serial extractions of multiple thin layers from one bulk ingot.
How does the system compare to diamond wire saws in terms of cost?

While initial capex may be higher, laser lift-off reduces consumable costs, substrate damage, and post-processing steps, lowering total cost of ownership long-term.

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