Resumen: Descubra los chips de cristal de SiC 4H-N de oblea de carburo de silicio de 10 x 10 x 0,5 mm de alta calidad, perfectos para aplicaciones de semiconductores y optoelectrónicas. Estas ventanas ópticas de SiC ofrecen propiedades térmicas y eléctricas excepcionales, ideales para entornos de alta temperatura y alto voltaje. Tamaños personalizados disponibles para sus necesidades específicas.
Características De Productos Relacionados:
Chips de cristal de carburo de silicio (SiC) tipo 4H-N de alta pureza con excelente conductividad térmica.
Disponible en tamaños personalizados que incluyen diámetros de 2, 3, 4 y 6 pulgadas.
Ideal para electrónica semiconductora que funciona a altas temperaturas o altos voltajes.
Sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN y disipadores de calor en LED de alta potencia.
Dureza de Mohs de ≈9.2, garantizando la durabilidad y la resistencia al desgaste.
Coeficiente de expansión térmica de 4-5×10-6/K, adecuado para un rendimiento estable bajo estrés térmico.
Índice de refracción a 750 nm: no = 2,61, ne = 2,66 para aplicaciones ópticas precisas.
Campo eléctrico de ruptura de 3-5×106V/cm, perfecto para dispositivos electrónicos de alta potencia.
Las preguntas:
¿Cuáles son los tamaños comunes disponibles para la oblea de carburo de silicio?
La oblea de carburo de silicio está disponible en tamaños comunes de diámetros de 2, 3, 4 y 6 pulgadas, con opciones de personalización para requisitos específicos.
¿Cuáles son las aplicaciones clave de los chips de cristal de SiC 4H-N?
Los chips de cristal de SiC 4H-N se utilizan ampliamente en electrónica semiconductora, LED de alta potencia y como sustratos para dispositivos GaN debido a sus excelentes propiedades térmicas y eléctricas.
¿Se puede personalizar la oblea de carburo de silicio para necesidades específicas?
Sí, la oblea de carburo de silicio se puede personalizar en tamaño y tipo (4H-N, 6H-N o semiaislante) para cumplir con los requisitos específicos de su aplicación.