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Waferas epitaxiales 4H-SiC para MOSFET de ultraalta tensión (100 ‰ 500 μm, 6 pulgadas)

Oblea del carburo de silicio
2025-09-02
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Resumen del producto de las obleas epitaxiales de 4H-SiC El rápido desarrollo de vehículos eléctricos, redes inteligentes, energía renovable y sistemas industriales de alta potencia está impulsando la ... Visión más
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