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2" de N oblea LD/LED del GaAs DSP/SSP del arseniuro de galio del dopante del Si del substrato del semiconductor semi
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | zmkj |
| Número de modelo: | GaAs-N-4inch |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Precio: | 100-200usd/pcs |
| Detalles de empaquetado: | en caso de la oblea solo o del casete 25pcs por el envasado al vacío |
| Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T / T, Western Union |
| Capacidad de la fuente: | 2000pcs por mes |
|
Información detallada |
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| Material: | Cristal del GaAs | Método: | VGF |
|---|---|---|---|
| Tamaño: | 4inch dia100mm | Thickess: | 380um |
| Superficie: | DSP | Uso: | llevado, dispositivo del ld |
| Alta luz: | substrato del gasb,oblea de semiconductor |
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Descripción de producto
N-tipo 2inch/3inch, 4inch, N-tipo del metod de VFG de las obleas del arseniuro de galio de 6inch dia150mm GaAs
Tipo semiaislante para la microelectrónica,
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Obleas del arseniuro de galio (GaAs)
El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del bandgap de III-V
con una estructura cristalina de la blenda de cinc.
El arseniuro de galio se utiliza en la fabricación de dispositivos tales como circuitos integrados de la frecuencia microondas, monolítica
circuitos integrados de la microonda, diodos electroluminosos infrarrojos, diodos láser, células solares y ventanas ópticas. [2]
El GaAs es de uso frecuente como material del substrato para el crecimiento epitaxial de otros semiconductores de III-V incluyendo el arseniuro de galio del indio,
arseniuro y otros de galio de aluminio.
.
Característica y uso de la oblea del GaAs
| Característica | Campo del uso |
|---|---|
| Alta movilidad de electrón | Diodos electroluminosos |
| De alta frecuencia | Diodos láser |
| Alta eficacia de conversión | Dispositivos fotovoltaicos |
| Bajo consumo de energía | Alto transistor de movilidad de electrón |
| Hueco de banda directo | Transistor bipolar de la heterounión |
Especificación
GaAs sin impurificar
Especificaciones semiaislantes del GaAs
| Método del crecimiento | VGF |
| Dopante | Carbono |
| Oblea Shape* | Ronda (diámetro: 2", 3", 4", y 6") |
| Orientación superficial ** | (100) ±0.5° |
” Obleas *5 disponibles a petición
** Otras orientaciones quizá disponibles a petición
| Resistencia (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Movilidad (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 |
| Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| DEFORMACIÓN (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | MUESCA |
| DE/SI (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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Paquete y entrega
FAQ Y CONTACTO
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