• 4 plantilla de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN de la pulgada
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4 plantilla de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN de la pulgada

4 plantilla de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN de la pulgada

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: Plantilla de AlN

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 3pcs
Precio: 150-250usd/pc
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea por el envasado al vacío
Tiempo de entrega: 1-3weeks
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 50PCS por mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: toda la capa en el substrato del zafiro Tamaño: 2inch/4inch
Grueso de GaN: 1-5um Tipo: N-tipo
Uso: dispositivo de semiconductor Grueso: substratos 430um
Superficie: SSP o DSP
Alta luz:

Sapphire Aluminum Nitride Wafer

,

Oblea del arseniuro de galio de AlN

,

Oblea del nitruro LED del galio

Descripción de producto

plantilla de la Epi-oblea 1-5um AlN del AlN-en-zafiro de 2inch 4inch

8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-en-hora Si Epiwafer GaN-en-Si Epiwafer para el Micro-LED para el uso del RF

 

 

 

GaN Wafer Characteristic

  1. III-nitruro (GaN, AlN, mesón)

El nitruro del galio es una clase de semiconductores compuestos de ancho-Gap. El substrato del nitruro del galio (GaN) es

un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente para 10+years en China. Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para el LED blanco y el LD (violeta, azul y verde) además, desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.

 

El ancho de banda prohibido (luminescente y absorción) cubre la luz y el infrarrojo ultravioletas, visibles.

Uso

GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

  • Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.       Almacenamiento de la fecha
  • Iluminación económica de energía                                        Exhibición a todo color del fla
  • Laser Projecttions                                                 Dispositivos electrónicos de gran eficacia
  • Dispositivos de alta frecuencia de la microonda                   Detección de alta energía e imaginarse
  • Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía               Detección del ambiente y medicina biológica

 

Epi-obleas relacionadas Gan-en-si

 

 

Para el uso del poder

 

Especificación de producto

 
Artículos Valores/alcance
Substrato Si
Diámetro de la oblea 4"/6"/8"
grueso de la Epi-capa μm 4- 5
Arco de la oblea <30>μm, típico
Morfología superficial ²<0> del RMS
Barrera AlXGa 1-XN, 0
Capa del casquillo Pecado "in-situ" o GaN (D-modo); p-GaN (E-modo)
Densidad 2DEG >9E12/cm2 (Al 20nm0,25GaN)
Movilidad de electrón >1800 cm2/Vs (Al 20nm0,25GaN)

 

Para el uso del RF

 

Especificación de Prodcut

 
Artículos Valores/alcance
Substrato HR_Si/sic
Diámetro de la oblea 4' ‘/6" ‘para sic, 4"/6"/8" para HR_Si
grueso de la Epi-capa μm 2-3
Arco de la oblea <30>μm, típico
Morfología superficial ²<0> del RMS
Barrera AlGaN o AlN o InAlN
Capa del casquillo Pecado "in-situ" o GaN

 

Para el uso del LED

 

Artículos GaN-en-Si GaN-en-zafiro
4"/6"/8" 2"/4"/6"
grueso de la Epi-capa <4>μm <7>μm
Longitud de onda máxima dominante media 400-420nm, 440-460nm, 510-530nm 270-280nm, 440-460nm, 510-530nm
FWHM

<20nm for="" Blue="">

<40nm for="" Green="">

<15nm for="" UVC="">

<25nm for="" Blue="">

<40nm for="" Green="">

Arco de la oblea <50>μm <180>μm

 

 

SOBRE NUESTRA fábrica del OEM

4 plantilla de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN de la pulgada 0

 

Nuestra empresa Vision de Factroy
proveeremos del substrato de alta calidad de GaN y de la tecnología del uso para la industria nuestra fábrica.
GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida
y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo
y eficacia alta, LED ahorro de energía.

- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 4 workweeks después de orden.

Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.

Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar informe de ROHS y alcanzar los informes para nuestros productos.

 

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. 4 plantilla de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN de la pulgada ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.