 |
GaN Nitruro de galio Wafer Alta movilidad de electrones Dispositivos de RF Optoelectrónica Y LED
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Wafer de nitruro de galio de GaN |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2 a 4 semanas |
|---|---|
| Condiciones de pago: | T/T |
|
Información detallada |
|||
| Dimensión: | " de diámetro o 25,4 +/- 0,5 mm | El grosor: | 350 +/- 50 μm |
|---|---|---|---|
| Piso primario: | 12 +/- 1 mm | Apartamento secundario:: | 8 +/- 1 mm |
| orientación: | (0001) Plano C | Variación del grosor total: | ≤ 40 μm |
| arco: | 0 +/- 10 mm | Resistencia: | ~ 10-3 ohm-cm |
| Concentración de portador: | ~ 1019 cm-3 | Movilidad de los transportistas: | - 150 cm2/V*s |
| Densidad del pozo de grabado: | < 5 x 104 cm2 | Pulido: | Superficie delantera: RMS < 0,5 nm, Epi listo, superficie trasera de tierra. |
| Alta luz: | Optoelectrónica Wafer de nitruro de galio,LEDs GaN Wafer,Dispositivos de RF Wafer de nitruro de galio |
||
Descripción de producto
GaN Nitruro de galio Wafer Alta movilidad de electrones Dispositivos RF Optoelectrónica y LED
Resumen de la oblea de Nitruro de Galio GaN
Las obleas de nitruro de galio (GaN) se han convertido en una tecnología fundamental en varias industrias, debido a sus propiedades materiales únicas.y excepcional estabilidad térmica, las obleas de GaN encuentran aplicaciones en electrónica de potencia, dispositivos de RF, optoelectrónica, y más.desde la alimentación de las comunicaciones 5G hasta la iluminación de LED y el avance de los sistemas de energía solarLas características de alto rendimiento del GaN lo convierten en una piedra angular en el desarrollo de dispositivos electrónicos compactos y eficientes, que influyen en sectores como la electrónica automotriz, la aeroespacial, la química y la química.y energía renovableComo motor de la innovación tecnológica, las obleas GaN continúan redefiniendo las posibilidades en diversas industrias, dando forma al panorama de los sistemas electrónicos y de comunicación modernos.
Vitrina de la oblea de nitruro de galio de GaN
Aplicación de la oblea de nitruro de galio de GaN
Las obleas de nitruro de galio (GaN) encuentran una amplia gama de aplicaciones en múltiples industrias,aprovechando sus propiedades materiales únicas para mejorar el rendimiento en dispositivos electrónicos y optoelectrónicosEstas son algunas aplicaciones clave de las obleas de GaN:
-
Electrónica de potencia:
- Las obleas de GaN se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de potencia como transistores y diodos.Conversores, y inversores en industrias que van desde las telecomunicaciones hasta los sistemas de energía renovable.
-
Dispositivos de radiofrecuencia:
- Las obleas de GaN se utilizan en el desarrollo de dispositivos de RF de alta frecuencia, incluidos amplificadores y interruptores.haciendo que sea valioso en aplicaciones como sistemas de radar, comunicaciones inalámbricas y comunicaciones por satélite.
-
Optoelectrónica y LED:
- Los LED basados en GaN (diodos emisores de luz) se utilizan ampliamente en aplicaciones de iluminación, pantallas e indicadores.La capacidad del GaN para emitir luz en el espectro azul y ultravioleta contribuye a la producción de luz blanca en los LED, por lo que son cruciales para soluciones de iluminación energéticamente eficientes.
-
Dispositivos optoelectrónicos UV (ultravioleta):
- La transparencia de GaN a la luz ultravioleta lo hace adecuado para aplicaciones optoelectrónicas UV.y otros dispositivos en los que la sensibilidad a la radiación UV es esencial.
-
Transistores de alta movilidad electrónica (HEMT):
- Las obleas de GaN sirven como material clave para el desarrollo de HEMT, que son transistores de alto rendimiento utilizados en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.Los HEMT basados en la tecnología GaN se emplean en las comunicaciones por satélite, sistemas de radar e infraestructura inalámbrica.
-
Comunicación inalámbrica (5G):
- Las capacidades de alta frecuencia de GaN lo convierten en un material preferido para el desarrollo de componentes de RF en sistemas de comunicación 5G.Los amplificadores y transmisores basados en GaN desempeñan un papel crucial para permitir las altas velocidades de datos y la baja latencia requeridas para las redes 5G.
-
Fuentes de alimentación y convertidores:
- Las obleas de GaN se utilizan en la fabricación de fuentes de alimentación y convertidores, donde son esenciales diseños de alta eficiencia y compactos.Los dispositivos de alimentación basados en GaN contribuyen a reducir las pérdidas de energía y a mejorar la eficiencia general de los sistemas electrónicos.
-
Electrónica automotriz:
- La tecnología GaN está encontrando un uso creciente en la electrónica automotriz, particularmente en vehículos eléctricos (VE) y vehículos eléctricos híbridos (VEH).La electrónica de potencia basada en GaN mejora la eficiencia de los motores eléctricos, contribuyendo al avance del transporte sostenible.
-
Inversores de energía solar:
- Las obleas de GaN se utilizan en el desarrollo de inversores de potencia para sistemas de energía solar.La alta eficiencia y las capacidades de gestión de la energía de los dispositivos GaN contribuyen a optimizar la conversión de la energía solar en electricidad utilizable.
-
Sistemas avanzados de radar:
- La capacidad de GaN para operar a altas frecuencias y soportar altos niveles de potencia lo hace ideal para sistemas de radar avanzados.el sector aeroespacial, y el monitoreo del tiempo.
Las diversas aplicaciones de las obleas de GaN subrayan su importancia en el avance de la tecnología en múltiples sectores.y otras propiedades beneficiosas posicionan al GaN como un factor clave para el desarrollo de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados.
Diagrama de datos de la oblea de nitruro de galio de GaN