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Detalles de los productos

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Oblea del nitruro del galio
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Oblea HVPE Chip Template permanente libre 5x5/10x10/5x10 milímetro del nitruro del galio de Uno-AXIS

Oblea HVPE Chip Template permanente libre 5x5/10x10/5x10 milímetro del nitruro del galio de Uno-AXIS

Nombre De La Marca: zmkj
Número De Modelo: GaN-FS-M-N-S5*10-DSP
MOQ: 10pcs
Precio: 1200~2500usd/pc
Detalles Del Embalaje: sola caja de la oblea por el envasado al vacío
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
CHINA
Material:
Solo cristal de GaN
tamaño:
mmt 10x10/5x5/5x10
grueso:
0.35m m
tipo:
N-tipo
uso:
dispositivo de semiconductor
Capacidad de la fuente:
50pcs por mes
Resaltar:

Una oblea del nitruro del galio de AXIS

,

oblea del nitruro del galio 5x5

,

Situación libre Chip Template GaN Wafer

Descripción de producto

plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates libre no polar de GaN del nitruro del galio de GaN del nitruro del galio del mocvd (uno-avión y m-avión)

 

 

GaN Wafer Characteristic

Producto Substratos del nitruro del galio (GaN)
Descripción de producto:

La plantilla de Saphhire GaN se presenta método de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro de Epitxial (HVPE). En el proceso de HVPE,

el ácido produjo por la reacción GaCl, que a su vez se reacciona con amoníaco para producir derretimiento del nitruro del galio. La plantilla epitaxial de GaN es una manera rentable de substituir substrato cristalino del nitruro del galio el solo.

Parámetros técnicos:
Tamaño 2" ronda; ± 2m m de 50m m
Colocación de producto ± <0001> 1,0 de C-AXIS.
Tipo de la conductividad N-tipo y P-tipo
Resistencia R <0>
Tratamiento superficial (cara del GA) SEGÚN LO crecido
RMS <1nm>
Superficie disponible > el 90%
Especificaciones:

 

Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 30 micrones, zafiro;

Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro;

Película epitaxial de GaN (avión) de R, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro;

Película epitaxial de GaN (M Plane), N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro.

Película de AL2O3 + de GaN (N-tipo Si dopado); Película de AL2O3 + de GaN (P-tipo magnesio dopado)

Nota: según la orientación y el tamaño especiales del enchufe de la demanda de los clientes.

Empaquetado estándar: bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja
 

Oblea HVPE Chip Template permanente libre 5x5/10x10/5x10 milímetro del nitruro del galio de Uno-AXIS 0

 

Uso

GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

  • Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
  • Almacenamiento de la fecha
  • Iluminación económica de energía
  • Exhibición a todo color del fla
  • Laser Projecttions
  • Dispositivos electrónicos de gran eficacia
  • Dispositivos de alta frecuencia de la microonda
  • Detección de alta energía e imaginarse
  • Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía
  • Detección del ambiente y medicina biológica
  • Banda del terahertz de la fuente de luz


Oblea HVPE Chip Template permanente libre 5x5/10x10/5x10 milímetro del nitruro del galio de Uno-AXIS 1

Especificaciones:

  GaN Substrates libre no polar (uno-avión y m-avión)
Artículo GAN-FS-uno GAN-FS-m
Dimensiones 5.0mm×5.5m m
5.0mm×10.0m m
5.0mm×20.0m m
Tamaño modificado para requisitos particulares
Grueso 350 µm del ± 25
Orientación ± 1° del uno-avión ± 1° del m-avión
TTV µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo de la conducción N-tipo
Resistencia (300K) < 0="">
Densidad de dislocación Menos que los cm2s 5x106
Superficie usable > el 90%
Polaco Front Surface: Ra < 0="">
Superficie trasera: Tierra fina
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

Oblea HVPE Chip Template permanente libre 5x5/10x10/5x10 milímetro del nitruro del galio de Uno-AXIS 2

Oblea HVPE Chip Template permanente libre 5x5/10x10/5x10 milímetro del nitruro del galio de Uno-AXIS 3

FAQ

Q: ¿Cuál es su requisito mínimo de la orden?
: MOQ: 10 pedazos

Q: ¿Cuánto tiempo tomará para ejecutar mi orden y entrega él?
: confirme el orden 1days después de confirmar el pago y la entrega en 5days si en la acción.

Q: ¿Puede usted dar la garantía de sus productos?
: Prometemos la calidad, si la calidad tiene cualesquiera problemas, nosotros produciremos nuevo le producimos o volvemos dinero.

Q: ¿Cómo pagar?
: T/T, Paypal, unión del oeste, transferencia bancaria.

Q: ¿CÓMO sobre la carga?
: podemos ayudarle a pagar la tarifa si usted no tiene cuenta,

si la orden está sobre 10000usd, podemos entrega por el CIF.