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Substrato sin impurificar semi aislador de la oblea del arseniuro de galio para el LED que enciende 2inch 3inch 4inch
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | zmkj |
| Número de modelo: | 2inch SEMI |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | sola oblea llena en 6" caja plástica debajo del N2 |
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 500pcs por mes |
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Información detallada |
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| Material: | Solo cristal del GaAs | Tamaño: | 4Inch |
|---|---|---|---|
| Grueso: | 625um o customzied | DEL TIPO: | Del plano |
| Orientación: | (100) 2°off | Superficie: | DSP |
| método del crecimiento: | VFG | ||
| Alta luz: | Oblea sin impurificar del arseniuro de galio de 4 pulgadas,Substrato semi aislador del GaAs,LED que enciende la oblea del arseniuro de galio |
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Descripción de producto
tipo oblea de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N del GaAs del arseniuro de galio de /Si-doped del semi-aislamiento
Descripción de producto
Nuestro 2' ‘a 6" ‘cristal semiconductor y semiaislante y oblea del GaAs se utiliza violentamente en el uso del uso del circuito integrado del semiconductor y de la iluminación general del LED.
| Característica | Campo del uso |
|---|---|
| Alta movilidad de electrón | Diodos electroluminosos |
| De alta frecuencia | Diodos láser |
| Alta eficacia de conversión | Dispositivos fotovoltaicos |
| Bajo consumo de energía | Alto transistor de movilidad de electrón |
| Hueco de banda directo | Transistor bipolar de la heterounión |
Especificaciones de la oblea semiconductora del GaAs
Método del crecimiento | VGF | |||
Dopante | p-tipo: Zn | n-tipo: Si | ||
Forma de la oblea | Ronda (diámetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientación superficial * | (100) ±0.5° | |||
* otras orientaciones quizá disponibles a petición | ||||
Dopante | Si (n-tipo) | Zn (p-tipo) | ||
Concentración de portador (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Movilidad (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | 50-120 | ||
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DEFORMACIÓN (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
DE/SI (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Especificaciones de la oblea semiaislante del GaAs
Método del crecimiento | VGF | |||
Dopante | Tipo del SI: Carbono | |||
Forma de la oblea | Ronda (diámetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientación superficial * | (100) ±0.5° | |||
* otras orientaciones quizá disponibles a petición | ||||
Resistencia (Ω.cm) | × 107 del ≥ 1 | × 108 del ≥ 1 | ||
Movilidad (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
DEFORMACIÓN (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | MUESCA |
DE/SI (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg
Q: ¿Cómo pagar?
T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial en Alibaba y etc….
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque. Según la cantidad y la forma del producto,
¡tomaremos un diverso proceso de empaquetado!