Plantilla sobre obleas de diamante Sustrato AlN Películas epitaxiales

Descripción de producto

AlN sobre obleas de plantilla de diamante Películas epitaxiales de AlN sobre sustrato de diamante AlN sobre zafiro /AlN-sobre-SiC/ AlN-ON Silicio

Bienvenido a la plantilla Know AlN en Diamond~~

Ventajas de AlN
• Banda prohibida directa, ancho de banda prohibida de 6,2 eV, es un material luminiscente ultravioleta y ultravioleta profundo importante
• Fuerza de campo eléctrico de alta ruptura, alta conductividad térmica, alto aislamiento, baja constante dieléctrica, bajo coeficiente de expansión térmica, buen rendimiento mecánico, resistencia a la corrosión, comúnmente utilizado en alta temperatura y alta frecuencia
dispositivo de alta potencia
• Muy buen rendimiento piezoeléctrico (especialmente a lo largo del eje C), que es uno de los mejores materiales para preparar varios sensores, controladores y filtros
• Tiene una constante de red y un coeficiente de expansión térmica muy parecidos a los del cristal de GaN, y es el material de sustrato preferido para el crecimiento heteroepitaxial de dispositivos optoelectrónicos basados ​​en GaN.

Tres productos principales de AlN

1. AlN-ON-Silicio
Se prepararon con éxito películas delgadas de nitruro de aluminio (AlN) de alta calidad sobre sustrato de silicio mediante deposición compuesta.El ancho de la mitad del pico de la curva oscilante XRD (0002) es inferior a 0,9 °, y la rugosidad de la superficie de crecimiento es Ra<
1.5nm (nitruro de aluminio de espesor 200nm), la película de nitruro de aluminio de alta calidad ayuda a realizar la preparación de nitruro de galio (GaN) en gran tamaño, alta calidad y bajo costo.

 AlN-sobre-zafiro basado en zafiro

AlN de alta calidad sobre zafiro (nitruro de aluminio a base de zafiro) preparado mediante deposición compuesta, anchura de pico medio de XRD (0002), curva de oscilación <0,05 °, rugosidad superficial de la superficie de crecimiento
Ra<1.2nm (el grosor del nitruro de aluminio es de 200nm), que no solo realiza un control efectivo de la calidad del producto, mejora en gran medida la calidad del producto, garantiza la estabilidad del producto, sino que también reduce en gran medida
El costo del producto y el ciclo de producción se reducen.La verificación del cliente muestra que el AlN de alta calidad en zafiro de CSMC puede mejorar en gran medida el rendimiento y la estabilidad de los productos LED UVC.
Cualitativo, ayudando a mejorar el rendimiento del producto.
3.AlN sobre diamante a base de diamante
CVMC es el primero en el mundo y desarrolla de manera innovadora nitruro de aluminio a base de diamante.El ancho de la mitad del pico de la curva de oscilación XRD (0002) es inferior a 3 °, y el diamante tiene una conductividad térmica ultra alta (la conductividad térmica a temperatura ambiente puede
Hasta 2000 W/m·K) La rugosidad superficial de la superficie de crecimiento Ra ＜ 2nm (el espesor del nitruro de aluminio es de 200nm), lo que ayuda a la nueva aplicación de nitruro de aluminio.

Ventajas de la aplicación

• Sustrato LED UVC
Impulsado por el costo del proceso y los requisitos de alto rendimiento y alta uniformidad, el sustrato del chip LED UVC basado en AlGaN es de gran espesor, gran tamaño y pendiente adecuada. Los sustratos de zafiro biselado son una excelente opción.El sustrato más grueso puede aliviar eficazmente la distorsión anormal de las obleas epitaxiales causada por la concentración de estrés durante la epitaxia.
La uniformidad de las obleas epitaxiales se puede mejorar;Los sustratos más grandes pueden reducir en gran medida el efecto de borde y reducir rápidamente el costo total del chip;El ángulo de chaflán adecuado puede
Para mejorar la morfología de la superficie de la capa epitaxial, o combinar con la tecnología epitaxial para formar el efecto de localización del portador rico en Ga en la región activa del pozo cuántico, a fin de mejorar la eficiencia luminosa.
• Capa de transición
El uso de AlN como capa amortiguadora puede mejorar significativamente la calidad epitaxial, las propiedades eléctricas y ópticas de las películas de GaN.El desajuste de la red entre el sustrato GaN y AIN es del 2,4%, el desajuste térmico es casi cero, lo que no solo puede evitar el estrés térmico causado por el crecimiento de alta temperatura, sino que también mejora en gran medida la eficiencia de producción.
• Otras aplicaciones
Además, las películas delgadas de AlN se pueden usar para películas delgadas piezoeléctricas de dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW), películas delgadas piezoeléctricas de dispositivos de ondas acústicas a granel (FBAR), capas aislantes enterradas de materiales SOI y enfriamiento monocromático.
Materiales catódicos (utilizados para pantallas de emisión de campo y microtubos de vacío) y materiales piezoeléctricos, dispositivos de alta conductividad térmica, dispositivos acústico-ópticos, detectores ultravioleta y de rayos X.
Emisión de electrodo colector vacío, material dieléctrico del dispositivo MIS, capa protectora del medio de registro magnetoóptico.

 

 

procesamiento de zafiro

Cuerpo de zafiro → Rebanado → Biselado de bordes → Lapeado → Recocido → Pulido → Inspección → Limpieza y embalaje

 

 

Detalles de producto

Detalle de la especificación:

 

PREGUNTAS FRECUENTES Y CONTACTO

 

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