El carburo de silicio de 6 pulgadas sic cubrió las placas de Tray High Temperature Resistance Graphite del grafito
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | 6 pulgadas |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 5-10pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | paquete necesario para la bandeja del grafito |
Tiempo de entrega: | 1-3weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1000PCS/Week |
Información detallada |
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Nombre del producto: | Carburo de silicio de 6 pulgadas | El material: | Del grafito bandeja de la oblea sic |
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Grade: | GSK-II/HPM-II/HPM-III | Suraface: | pulido/moliendo |
Application: | Electrolysis | Diámetro: | 6 pulgadas |
Resaltar: | Bandeja sic revestida del grafito,Bandeja del grafito de 6 pulgadas,Placas revestidas del grafito del carburo de silicio |
Descripción de producto
6 pulgadas de carburo de silicio SiC recubierto de grafite bandeja alta resistencia a la temperatura placas de grafite
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
Aplicación
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circuito integrado de semiconductores
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Cuotiente de pureza < 5 ppm
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recubrimiento en nanoescala y buena uniformidad de doping
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buen rendimiento de sellado y fuerte capacidad de unión de revestimiento de pintura
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resistente a la corrosión por unión de bloques de elementos de carbono
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Servicio profesional hecho a medida
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tiempo de entrega corto
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productos de proceso internacional y tiempo de entrega estable
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Servicios de mejora rápida del rendimiento del producto
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CATALOGO DE tamaño común
Grado | Densidad de volumen | Fuerza de flexión | Fuerza de compresión |
Resistencia específica
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Contenido en cenizas |
GSK-II | 1.72 g/cc min | 15Mpa min. | 32 Mpa por minuto | 8.0μΩ•m máximo | 00,3% como máximo |
El HPM-II | 1.78 g/cc min | 18Mpa por minuto | 35Mpa por minuto | 10 μΩ•m máximo | 00,1% como máximo |
El HPM-III | 1.83 g/cc min | 35Mpa por minuto | 68Mpa por minuto | 10 μΩ•m máximo | 00,1% como máximo |
Si su material requerido no se encuentra dentro de los grados anteriores, póngase en contacto con nosotros sin dudar,Nuestro ingeniero profesional y experimentado elegirá el grado más adecuado según su aplicación específica.. |
Sobre la Compañía ZMKJ
ZMKJ puede proveer una oblea de SiC de cristal único de alta calidad (Carburo de Silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica.con propiedades eléctricas únicas y excelentes propiedades térmicas , en comparación con las obleas de silicio y GaAs, las obleas de SiC son más adecuadas para aplicaciones de alta temperatura y dispositivos de alta potencia. Las obleas de SiC se pueden suministrar en diámetros de 2-6 pulgadas, tanto 4H como 6H SiC,Tipo N, tipo de nitrógeno dopado, y semi-aislante disponibles.
Nuestros productos de relación
Oferta de zafiro y lente/ cristal de LiTaO3/ wafer de SiC/ wafer de LaAlO3 / SrTiO3/wafer/ bola de rubí
Preguntas frecuentes
P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
A: ((1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) está bien si usted tiene su propia cuenta expreso, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y
El flete está de acuerdo con la liquidación real.
P: ¿Cómo se paga?
R: T/T 100% depósito antes de la entrega.
P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs es mejor.
(2) Para los productos personalizados, el MOQ es de 10pcs.
P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
A: (1) Para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles después de realizar el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 a 4 semanas después de que usted pida contacto.
P: ¿Tiene productos estándar?
R: Nuestros productos estándar en stock. como los sustratos de 4 pulgadas 0,35 mm.