Envases de semiconductores con recubrimiento a través de agujeros de sustrato de vidrio TGV JGS1 JGS2

Resumen del producto

 
La tecnología TGV (Through Glass Via), también conocida como tecnología de agujero de vidrio, es una técnica de interconexión eléctrica vertical que penetra en sustratos de vidrio.Permite conexiones eléctricas verticales en sustratos de vidrioLa tecnología TSV (Through Silicon Via) se utiliza para los interponedores en sustratos a base de silicio, mientras que la tecnología TSV (Through Silicon Via) se utiliza para los interposadores en sustratos a base de silicio.El TGV tiene el mismo propósito en sustratos a base de vidrio..
Los sustratos de vidrio representan la próxima generación de materiales base de chips, con el vidrio como su componente principal.La cadena de la industria del sustrato de vidrio abarca la producción, materias primas, equipos, tecnología, envasado, pruebas y aplicaciones, con segmentos de aguas arriba centrados en la producción, materiales y equipos.
 

Ventajas

• Rendimiento eléctrico de alta frecuencia superior
• Facilidad de obtención de sustratos de vidrio ultrafinos a gran escala
• Eficiencia de los costes
• Flujo de procesos simplificado
• Fuerte estabilidad mecánica
• Potencial de amplia aplicación

 
Principios técnicos


a) Preparación de obleas de vidrio
b) Forma de TGV (por vías de vidrio)
c) Depositar la capa de barrera PVD y la capa de semilla, realizar galvanoplastia de doble lado para la deposición de cobre
(d) Anillamiento y pulido mecánico químico (CMP) para eliminar la capa de cobre superficial
e) Revestimiento PVD y fotolitografía
(f) Fabricación de RDL (capa de redistribución)
g) Extirpar la fotoresistencia y hacer grabado de Cu/Ti
h) Capa de pasivación de la forma (capa dieléctrica)
 
Pasos detallados:
 
El proceso de fabricación de TGV (Through Glass Via) comienza con la inspección del material entrante, seguido por la formación mediante métodos que incluyen chorro de arena, perforación ultrasónica, grabado en húmedo,grabado de iones reactivos profundos (DRIE), el grabado fotosensible, el grabado láser, el grabado profundo inducido por láser y la perforación de descarga enfocada, que posteriormente se someten a inspección y limpieza.
 
Las vías de vidrio a través (TGV) se fabrican utilizando tecnología de grabado por plasma.

 
Después de que se forme el agujero, es necesario inspeccionar el agujero, como la velocidad de agujero, materia extraña, defectos del panel, etc.
 

1. Por medio de la integridad: Detecta fugas y vías no conductoras. Especificaciones de tamaño de apertura: 10/30/50/70/100 μm; el diámetro exterior debe exceder el diámetro interior en ≥ 60%.circularidad (control ≥ 95%); tolerancia de diámetro (± 5 μm).

2. Materia extraña en vías ️ Compruebe la continuidad y detecte residuos (residuos de vidrio, fibras de carbono, adhesivos, polvo).

3. Defectos de los paneles: grietas, defectos de grabado, contaminantes y arañazos.

 
Una vez más, el galvanizado de abajo hacia arriba logra un llenado sin fisuras del TGV;

 
Finalmente, adhesión temporal, rectificación posterior, pulido mecánico químico (CMP) para exponer el cobre, desacoplamiento y formación de una placa de transferencia llena de metal a través de la tecnología de proceso (TGV).Durante el proceso, también se requieren procesos de semiconductores como la limpieza y los ensayos.
 
a) Perforación en el LIDE
b) Relleno por electroplataje
c) CMP
(d) Formación de RDL del lado delantero
e) Capa de poliimida
(f) Golpeos
g) Enlace temporal
(h) rectificación de la parte trasera y formación de RDL
i) Wafer portadora desvinculada
 
 

Aplicaciones
Comunicaciones de alta frecuencia (5G/6G con envases de chips)
Computación de alto rendimiento y chips de IA
Módulos autónomos LiDAR, radar de automóviles, unidades de control de vehículos.
Dispositivos implantables (por ejemplo, sondas neuronales), biochips de alto rendimiento.

Pregunta y respuesta
P1: ¿Qué es el vidrio TGV?
A1: ¿Qué es esto?Vidrio TGV: un sustrato de vidrio con vías conductoras verticales para la interconexión de chips de alta densidad, adecuado para envases de alta frecuencia y 3D.
 
P2: ¿Cuál es la diferencia entre el sustrato de vidrio y el sustrato de silicio?
A2: ¿Qué es esto?

• Materiales: el vidrio es un aislante (baja pérdida dieléctrica), el silicio es un semiconductor.
• Rendimiento de alta frecuencia: la pérdida de señal del vidrio es 10-100 veces menor que la del silicio.
• Costo: El sustrato de vidrio cuesta aproximadamente 1/8 del silicio.
• TGV (Through Glass Via): Un canal vertical metalizado formado en un sustrato de vidrio, sin necesidad de una capa aislante adicional, y un proceso más simple que a través del silicio vía (TSV).

 
P3: ¿Por qué elegir sustratos de núcleo de vidrio?
A3: ¿Qué es eso?

• Superioridad de alta frecuencia:Baja Dk/Df minimiza la distorsión de la señal en las bandas de onda mmG 5G/6G (24-300 GHz).
• Eficiencia de costes: el procesamiento de paneles de gran superficie (por ejemplo, paneles de vidrio de la generación 8.5) reduce los costes en un 70% en comparación con las obleas de silicio.
• Estabilidad térmica y mecánica:casi cero deformación incluso en espesores ultrafinos (< 100 μm). La capacidad de ajuste de CTE reduce el estrés térmico en sistemas de múltiples materiales.
• Transparencia óptica: Permite la integración híbrida eléctrica/óptica (por ejemplo, LiDAR, pantallas AR).
• Escalabilidad: admite el embalaje a nivel de panel (PLP) para la producción en masa de IC 3D avanzados.

 
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