Wafer de sustrato cuadrado de carburo de silicio (SiC) de 6H para alta frecuencia de potencia

Wafer cuadrado de 6H-SiC de alto rendimiento para aplicaciones de potencia y alta frecuencia

1. Descripción general del producto

El...Substrato cuadrado de carburo de silicio (SiC) 6Hestá fabricado a partir de material de alta purezaMaterial de cristal único de 6H-SiCEl material utilizado en la fabricación de las semiconductoras es el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio, el aluminio y el aluminio.semiconductores de banda ancha de tercera generación, 6H-SiC ofrece un rendimiento excepcional bajoalta temperatura, alto voltaje, alta frecuencia y alta potenciacondiciones de trabajo.

Con excelenteConductividad térmica, resistencia mecánica, estabilidad química y propiedades eléctricas, los sustratos cuadrados de 6H SiC se utilizan ampliamente endispositivos de potencia, dispositivos de RF, optoelectrónica, sistemas láser y laboratorios de I+D. Los sustratos pueden suministrarse encon un contenido de acero en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 50%condiciones de superficie contamaños y espesores personalizados.

2Ventajas del material del 6H-SiC

• Dureza muy alta (dureza de Mohs ≈ 9,2)

• Alta conductividad térmica (~490 W/m·K) para una disipación de calor eficiente

• Amplio intervalo de banda (3.0 eV), adecuado para entornos extremos

• Fortaleza del campo eléctrico de alta ruptura

• Excelente resistencia química y resistencia a la oxidación

• Alta movilidad de electrones para el rendimiento de alta frecuencia

• Estructura cristalina estable y larga vida útil

3. Especificaciones típicas (customizables)

4Proceso de fabricación

1. PVT (Transporte físico de vapor) crecimiento de cristal único

2. Orientación y corte cuadrado

3. Grillado de alta precisión y control del grosor

4. Polido de una sola o dos caras

5. Limpieza por ultrasonidos y envases para salas limpias

Este proceso garantizaalta planitud, bajos defectos superficiales y excelente consistencia eléctrica.

5Aplicaciones clave

• Dispositivos semiconductores de potencia (MOSFET, SBD, IGBT)

• Dispositivos electrónicos de RF y microondas

• Componentes electrónicos de alta temperatura

• Diodos láser y detectores ópticos

• Investigación de chips y desarrollo de prototipos

• Laboratorios universitarios e institutos de investigación de semiconductores

• Microfabricación y procesamiento MEMS

6Ventajas del producto

• Material monocristalino original de 6H-SiC

• Forma cuadrada para facilitar el manejo y la fabricación del dispositivo

• Alta calidad de la superficie con baja densidad de defectos

• Amplio rango de personalización para tamaño, grosor y resistividad

• Rendimiento estable en entornos extremos

• Apoyo a la creación de prototipos de pequeños lotes y a la producción en masa

• Inspección al 100% antes de la entrega

8. Preguntas frecuentes (FAQ)

P1: ¿Cuál es la diferencia entre 6H-SiC y 4H-SiC?
R: El 4H-SiC se usa más comúnmente en dispositivos de energía comerciales hoy en día debido a la mayor movilidad de electrones, mientras que el 6H-SiC se prefiere en ciertas aplicaciones de RF, microondas y optoelectrónica especial.

P2: ¿Puede suministrar sustratos cuadrados de 6H-SiC sin pulir?
R: Sí, ofrecemos superficies pulidas, laminadas y sin pulir según los requisitos del cliente.

P3: ¿Apoya sustratos cuadrados de tamaño pequeño?
R: Sí, los tamaños cuadrados hasta 2×2 mm pueden ser personalizados.

P4: ¿Están disponibles los informes de inspección y ensayo?
R: Sí, podemos proporcionar informes de inspección dimensional, datos de pruebas de resistividad e informes de rugosidad de la superficie.

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