Descripción de producto

Wafers InP de 4 pulgadas preparados para Epi tipo N tipo p tipo EPF < 1000 cm2 con grosor de 325 mm±50 mm

Resumen del producto

Nuestro producto, la "Wafer de Fosfuro de Índio de Alta Pureza", está a la vanguardia de la innovación en semiconductores.un semiconductor binario conocido por su velocidad de electrones superior, nuestra oblea ofrece un rendimiento sin igual en aplicaciones optoelectrónicas, transistores rápidos y diodos de túnel de resonancia.Con una amplia utilidad en dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potenciaNuestra oblea es una piedra angular de la tecnología de próxima generación, su competencia en comunicación de fibra óptica de alta velocidad, habilitada por su capacidad de emitir y detectar longitudes de onda superiores a 1000nm,La industria de la telecomunicación se ha convertido en una de las principales industrias de la industria de la telecomunicación.Al servir como sustrato para láser y fotodiodos en aplicaciones de Datacom y Telecom, nuestra oblea se integra perfectamente en infraestructuras críticas.Nuestro producto emerge como una piedra angularNuestras obleas de fosfuro de indio ofrecen una pureza del 99,99% y aseguran una eficiencia y eficacia sin igual.impulsar el avance tecnológico hacia el futuro.

Propiedades del producto

1. Velocidad de electrón superior:Derivadas del fosfuro de indio, nuestras obleas cuentan con una velocidad de electrones excepcional, superando la de los semiconductores convencionales como el silicio.Este atributo sustenta su eficacia en aplicaciones optoelectrónicas, transistores rápidos y diodos de túnel de resonancia.

2. Rendimiento de alta frecuencia:Nuestras obleas se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia, lo que demuestra su capacidad para soportar requisitos operativos exigentes con facilidad.

3. Eficiencia óptica:Con una capacidad para emitir y detectar longitudes de onda superiores a 1000 nm, nuestras obleas sobresalen en sistemas de comunicación de fibra óptica de alta velocidad, asegurando una transmisión de datos confiable a través de diversas redes.

4. Substrato versátil:Sirviendo como sustrato para láser y fotodiodos en aplicaciones de Datacom y Telecom, nuestras obleas se integran perfectamente en diversas infraestructuras tecnológicas,Facilitar un rendimiento y una escalabilidad sólidos.

5. Pureza y fiabilidad:Ofreciendo una pureza del 99,99%, nuestras obleas de fosfuro de indio garantizan un rendimiento y una durabilidad consistentes, cumpliendo con las exigentes demandas de las modernas tecnologías de telecomunicaciones y datos.

6. Diseño a prueba de futuro:Posicionados a la vanguardia de la innovación en semiconductores, nuestras obleas anticipan las necesidades de las tecnologías emergentes, haciéndolos componentes indispensables para las conexiones de fibra óptica,redes de acceso de anillos de metro, y centros de datos en medio de la inminente revolución 5G.

7. Especificaciones:

    

   El material	InP de cristal único	Orientación	El valor de las emisiones de CO2
   Tamaño ((mm)	Dia 50,8 × 0,35 mm, 10 × 10 × 0,35 mm 10 × 5 × 0,35 mm	La rugosidad de la superficie	Ra: ≤ 5A
   Pulido	SSP (polido de una sola superficie) o DSP (polido de doble superficie)

    

   Propiedades químicas del cristal InP:

   Cristal único	Dopaje	Tipo de conducción	Concentración del portador	Proporción de movilidad	Densidad de dislocación	Tamaño estándar
   En el P	/	No	(0,4-2) × 1016	(3.5-4) ×103	5x104	Para las máquinas de la categoría M3 F3 × 0,35 mm
   En el P	El S	No	(0,8-3) ×1018 (4-6) ×1018	(2.0-2.4) ×103 (1.3-1.6) ×103	3 por 104 2 por 103	Para las máquinas de la categoría M3 F3 × 0,35 mm
   En el P	El Zn	P	(0,6-2) ×1018	70 a 90	2 por 104	Para las máquinas de la categoría M3 F3 × 0,35 mm
   En el P	Fe	No	107-10 años8	≥ 2000 años	3 por 104	Para las máquinas de la categoría M3 F3 × 0,35 mm

    

   Propiedades básicas:

   Estructura de cristal	Cuadrangular (M4)	Constante de red	a = 5,869 Å
   Densidad	4.81 g/cm3	Punto de fusión	1062 °C
   Masa molar	1450,792 g/mol	Apariencia	Cristales cúbicos negros
   Estabilidad química	Ligeramente soluble en ácidos	Movilidad de electrones ((@ 300K)	5400 cm2/ (V·s)
   Bandgap ((@ 300 K)	1.344eV	Conductividad térmica ((@ 300K)	0.68 W/ ((cm·K)
   Indice de refracción	3.55 ((@ 632.8nm)

8. Aplicaciones del producto

1. Dispositivos optoelectrónicos:Nuestras obleas de fosfuro de indio se utilizan ampliamente en aplicaciones optoelectrónicas, incluidos diodos emisores de luz (LED), diodos láser y fotodetectores.Su velocidad electrónica superior y su eficiencia óptica los hacen ideales para producir componentes optoelectrónicos de alto rendimiento.

2. Transistores de alta velocidad:La excepcional velocidad de los electrones de nuestras obleas permite la fabricación de transistores de alta velocidad, esenciales para aplicaciones que requieren un procesamiento rápido de la señal y velocidades de conmutación.Estos transistores se utilizan en las telecomunicaciones, sistemas informáticos y de radar.

3. Comunicación por fibra óptica:Las obleas de fosfuro de indio son indispensables en los sistemas de comunicación de fibra óptica de alta velocidad debido a su capacidad para emitir y detectar longitudes de onda superiores a 1000 nm.Permiten la transmisión de datos a largas distancias con una pérdida mínima de señal, por lo que son vitales para las redes de telecomunicaciones y los centros de datos.

4. Diodos de túnel de resonancia:Nuestras obleas se utilizan en la producción de diodos de túnel de resonancia, que exhiben efectos de túnel cuántico únicos.Imagen de terahercios, y la computación cuántica.

5. Electrónica de alta frecuencia:Las obleas InP se utilizan comúnmente en dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia, incluidos amplificadores de microondas, sistemas de radar y comunicaciones por satélite.Su alta movilidad electrónica y fiabilidad los hacen adecuados para aplicaciones aeroespaciales y de defensa exigentes.

6. Infraestructura de datos y telecomunicaciones:Al servir como sustratos para diodos láser y fotodiodos, nuestras obleas contribuyen al desarrollo de infraestructuras de Datacom y Telecom,apoyo a las redes de transmisión de datos y telecomunicaciones de alta velocidadSon componentes integrales en transceptores ópticos, switches de fibra óptica y sistemas de multiplexación por división de longitud de onda.

7. Tecnologías emergentes:A medida que las tecnologías emergentes como 5G, Internet de las Cosas (IoT) y los vehículos autónomos continúen evolucionando, la demanda de obleas de fosfuro de indio solo aumentará.Estas obleas desempeñarán un papel crucial en permitir la próxima generación de comunicaciones inalámbricas, redes de sensores y dispositivos inteligentes.

8. Recomendación para otros productos ((plz haga clic en la imagen para ir a la página de inicio de los productos)

9. 1,Epi - Ready DSP SSP Substrato de zafiro obleas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas
10. 
11. 2Wafer de ventana de zafiro personalizado, agujeros circulares de 2 pulgadas para uso médico y óptico.
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