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Wafer de silicio de 4 pulgadas de espesor 500+/-20 Resistividad 1-10 ohm·cm Orientación100 doble lado pulido
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | OBLEA DEL SI |
Pago y Envío Términos:
| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Método de cultivo: | FZ | orientación: | Se trata de: |
|---|---|---|---|
| Desorientación: | 4±0,5 grados al punto más cercano <110> | Tipo/dopante: | P/borón |
| Resistencia: | 10 a 20 W.cm | VRC: | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| TTV: | ≤ 5 mm | arco: | ≤ 40 μm |
| La velocidad warp.: | ≤ 40 μm | ||
| Alta luz: | Orientación100 oblea de silicio,500+/-20 Resistividad Wafer de silicio,Wafer de silicio de 4 pulgadas de grosor |
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Descripción de producto
Wafer de silicio de 4 pulgadas de espesor 500+/-20 Resistividad 1-10 ohm·cm Orientación100 doble lado pulido
Resumen del producto
Nuestro sustrato de silicio ultra-puro de precisión está meticulosamente diseñado para servir como base para dispositivos semiconductores de alto rendimiento.Fabricado con tecnología avanzada de silicio monocristalino de zona flotante, este sustrato ofrece una pureza y uniformidad excepcionales, garantizando propiedades electrónicas superiores.Nuestro sustrato permite la fabricación de dispositivos semiconductores de vanguardia con mayor fiabilidad y rendimientoYa sea utilizado en circuitos integrados, electrónica de potencia o aplicaciones fotovoltaicas, nuestro sustrato de silicio permite la innovación en varias industrias,impulsar los avances en tecnología e ingeniería.
Presentación de productos
Propiedades del producto
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Silicio ultrapuro: Nuestro sustrato está compuesto de silicio monocristalino de zona flotante, lo que garantiza niveles de pureza excepcionales cruciales para dispositivos semiconductores de alto rendimiento.
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Estructura cristalina uniforme: el sustrato cuenta con una estructura cristalina uniforme, libre de defectos o irregularidades, lo que garantiza propiedades eléctricas consistentes en toda la superficie.
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Bajos niveles de impurezas: Con un control meticuloso de las concentraciones de impurezas, nuestro sustrato presenta bajos niveles de dopantes y contaminantes,minimizar los efectos electrónicos no deseados y garantizar la fiabilidad del dispositivo.
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Alta estabilidad térmica: El sustrato demuestra una alta estabilidad térmica, lo que permite un funcionamiento confiable en un amplio rango de temperaturas sin comprometer el rendimiento o la integridad.
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Control dimensional preciso: cada sustrato se fabrica con un control dimensional preciso, lo que garantiza un espesor y una planitud constantes para facilitar procesos de fabricación precisos del dispositivo.
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Excelente calidad de superficie: Nuestro sustrato presenta un acabado superficial liso y libre de defectos, esencial para la deposición de películas delgadas y la formación de interfaces de dispositivos de alta calidad.
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Especificaciones personalizables: Ofrecemos una gama de especificaciones personalizables, incluyendo concentración de dopaje, resistividad y orientación,para satisfacer los requisitos específicos de diversas aplicaciones de semiconductores.
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Compatibilidad con procesos de semiconductores: el sustrato es compatible con varias técnicas de procesamiento de semiconductores, incluida la epitaxia, la litografía y el grabado,permitir una integración perfecta en los flujos de trabajo de fabricación existentes.
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Rendimiento eléctrico: Nuestro sustrato presenta excelentes propiedades eléctricas, incluyendo alta movilidad de portador, bajas corrientes de fuga y conductividad eléctrica uniforme,esencial para optimizar el rendimiento y la eficiencia del dispositivo.
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Confiabilidad y longevidad: diseñado para la fiabilidad a largo plazo,Nuestro sustrato se somete a rigurosas medidas de control de calidad para garantizar un rendimiento y una durabilidad constantes durante toda su vida útil operativa.
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Especificación del silicio monocristalino FZ
El tipo Tipo de conducción Orientación Diámetro (mm) Conductividad ((Ω•cm) Alta resistencia N & P Se trata de una serie de medidas de control. 76.2 a 200 > 1000 NT1Documento No Se trata de una serie de medidas de control. 76.2 a 200 30 a 800 CZF N & P Se trata de una serie de medidas de control. 76.2 a 200 1 a 50 D.M. N & P Se trata de una serie de medidas de control. 76.2 a 200 0.001-300 Especificación de la oblea
Parámetro de lingotes Punto de trabajo Descripción Método de cultivo FZ Orientación Se trata de: Desorientación 4±0,5 grados al punto más cercano <110> Tipo/Dopante P/borón Resistencia 10 a 20 W.cm VCR Se aplicarán las siguientes medidas: Parámetro de la oblea Punto de trabajo Descripción Diámetro 150 ± 0,5 mm El grosor 675 ± 15 mm Duración plana primaria 57.5±2,5 mm Orientación plana primaria El valor de las emisiones de CO2 Duración plana secundaria No hay Orientación plana secundaria No hay TTV ≤ 5 mm - ¿ Por qué? ≤ 40 μm La velocidad warp. ≤ 40 μm Perfil del borde Normas SEMI Superficie delantera Polido químico-mecánico El LPD ≥ 0,3 μm@≤ 15 piezas Superficie trasera Escarbado en ácido Chips de borde No hay Paquete Embalaje al vacío; plástico interior, aluminio exterior -
Aplicaciones del producto
Circuitos integrados (IC): Nuestro sustrato de silicio ultra-puro de precisión sirve como un bloque de construcción fundamental para la fabricación de circuitos integrados utilizados en una amplia gama de dispositivos electrónicos,incluidos los smartphones, computadoras y electrónica automotriz.
Electrónica de potencia: El sustrato se utiliza en dispositivos semiconductores de potencia como diodos, transistores y tiristores,permitir una conversión y un control eficientes de la energía en aplicaciones como los vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y automatización industrial.
Fotovoltaics (PV): Nuestro sustrato juega un papel crucial en la fabricación de células solares de alta eficiencia,proporcionando una base estable y uniforme para la deposición de capas de semiconductores y contactos metálicos, lo que conduce a una mejora de la eficiencia de conversión de energía solar.
Diodos emisores de luz (LED): En la fabricación de LED, nuestro sustrato sirve como plataforma para el crecimiento epitaxial de capas de semiconductores,garantizar la uniformidad y fiabilidad del rendimiento de los LED para aplicaciones como la iluminación, pantallas y iluminación de automóviles.
Sistemas microelectromecánicos (MEMS): Nuestro sustrato facilita la fabricación de dispositivos MEMS, incluidos acelerómetros, giroscopios y sensores de presión,que permite una detección y un control precisos en la electrónica de consumo, sistemas automotrices y dispositivos médicos.
Dispositivos de radiofrecuencia (RF): El sustrato se utiliza en la producción de dispositivos de RF como amplificadores de RF, osciladores y filtros, que admiten sistemas de comunicación inalámbrica, comunicación por satélite,y sistemas de radar con funcionamiento y fiabilidad de alta frecuencia.
Dispositivos optoelectrónicos: Nuestro sustrato permite el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos como fotodetectores, moduladores ópticos y diodos láser,contribución a las aplicaciones en telecomunicaciones, comunicación de datos y detección óptica.
Sensores biomédicos: en ingeniería biomédica, nuestro sustrato se emplea para la fabricación de biosensores y dispositivos bioelectrónicos para aplicaciones como diagnósticos médicos,sistemas de administración de drogas, y dispositivos médicos implantables.
Aeroespacial y Defensa: El sustrato se utiliza en aplicaciones aeroespaciales y de defensa, incluidos sistemas de radar, satélites de comunicación y sistemas de guía de misiles, donde la fiabilidad, estabilidad,y el rendimiento son críticos en ambientes duros.
Tecnologías emergentes: Nuestro sustrato soporta avances en tecnologías emergentes como la computación cuántica, la computación neuromórfica y los sensores avanzados, impulsando la innovación en computación,inteligencia artificial, y aplicaciones de detección.