• Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado
  • Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado
  • Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado
  • Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado
Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado

Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: OBLEA DEL SI

Pago y Envío Términos:

Condiciones de pago: T/T
Mejor precio Contacto

Información detallada

Estado de las cosas: Las demás Punto de fusión: 1687K (1414 °C)
Punto de ebullición: 3173K (2900 ° C) Volumen molar: 12.06 × 10-6m3 / mol
Calor de vaporización: 384.22 kJ / mol Calor de fusión: 50.55 kJ / mol
Presión del vapor: 4.77Pa (1683K) Grado: Primero
orientación: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Alta luz:

Resistencia: 10 (ohm.cm) Wafer de silicio

,

Resistencia: 1-10 (ohm.cm) Wafer de silicio

,

de doble lado

Descripción de producto

Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado

Resumen del producto

Nuestra oblea de Si ofrece una alta pureza y una excepcional uniformidad, ideal para una amplia gama de aplicaciones de semiconductores y fotovoltaicos.esta oblea permite la fabricación de dispositivos de alto rendimientoYa sea utilizado en circuitos integrados, células solares o dispositivos MEMS, nuestra obletera de Si ofrece fiabilidad y eficiencia para aplicaciones exigentes en varias industrias.

Presentación de productos

Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado 0Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado 1

Aplicaciones del producto

  1. Circuitos integrados (IC): Nuestra obletera de Si sirve como material básico para la fabricación de circuitos integrados utilizados en una amplia gama de dispositivos electrónicos, incluidos teléfonos inteligentes, computadoras,y electrónica automotrizProporciona una plataforma estable para la deposición de capas de semiconductores y la integración de varios componentes electrónicos en un solo chip.

  2. Células fotovoltaicas (PV): Nuestra oblea de Si se utiliza en la producción de células solares de alta eficiencia para aplicaciones fotovoltaicas. Sirve como sustrato para la deposición de capas de semiconductores,facilitar la conversión de la luz solar en electricidad mediante paneles solares y sistemas de energía renovable.

  3. Dispositivos MEMS: Nuestra oblea de Si permite la fabricación de dispositivos de sistemas microelectromecánicos (MEMS) como acelerómetros, giroscopios y sensores de presión.Proporciona una base estable para la integración de componentes mecánicos y eléctricos, lo que permite una detección y un control precisos en diversas aplicaciones.

  4. Electrónica de potencia: Nuestra oblea de Si se utiliza en dispositivos de semiconductores de potencia como diodos, transistores y tiristores para aplicaciones de electrónica de potencia.Permite una conversión y un control eficientes de la energía en los vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y equipos de automatización industrial.

  5. Dispositivos optoelectrónicos: Nuestra oblea de Si apoya el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos como fotodetectores, moduladores ópticos y diodos emisores de luz (LED).Sirve como plataforma para la integración de materiales semiconductores con funcionalidades ópticas, que permite aplicaciones en telecomunicaciones, comunicación de datos y detección óptica.

  6. Microelectrónica: Nuestra oblea de Si es esencial para la fabricación de varios dispositivos microelectrónicos, incluidos sensores, actuadores y componentes de RF.Proporciona un sustrato estable y uniforme para la integración de componentes electrónicos con dimensiones en microescala, apoyando los avances en electrónica de consumo, sistemas automotrices y dispositivos médicos.

  7. Sensores: Nuestra oblea de Si se utiliza en la producción de sensores para diversas aplicaciones, incluido el monitoreo ambiental, la detección biomédica y la automatización industrial.Permite la fabricación de sensores sensibles y fiables para la detección de, parámetros químicos y biológicos.

  8. Paneles solares: Nuestra oblea de Si contribuye a la fabricación de paneles solares para la generación de energía renovable.que permite la conversión de la luz solar en electricidad mediante el efecto fotovoltaico.

  9. Dispositivos semiconductores: Nuestra oblea de Si se emplea en la producción de una amplia gama de dispositivos semiconductores, incluidos transistores, diodos y condensadores.Proporciona un sustrato estable y uniforme para la integración de materiales semiconductores y la fabricación de componentes electrónicos para diversas aplicaciones.

  10. Microfluídica: Nuestra oblea de Si apoya el desarrollo de dispositivos microfluídicos para aplicaciones como sistemas de laboratorio en un chip, diagnóstico biomédico y análisis químico.Proporciona una plataforma para la integración de los microcanales, válvulas y sensores, que permiten un control y una manipulación precisos de los fluidos a escala microscópica.

Propiedades del producto

  1. Alta pureza: Nuestra oblea de Si exhibe una alta pureza, con bajos niveles de impurezas y defectos, lo que garantiza excelentes propiedades eléctricas y rendimiento del dispositivo.

  2. Estructura de cristal uniforme: La oblea presenta una estructura de cristal uniforme con mínimos defectos, lo que permite la fabricación consistente del dispositivo y un funcionamiento confiable.

  3. Control de la calidad de la superficie: cada oblea se somete a procesos de tratamiento de superficie rigurosos para lograr una superficie lisa y libre de defectos,esencial para la deposición de películas finas y la formación de interfaces de los dispositivos.

  4. Control dimensional preciso: Nuestra oblea de Si se fabrica con un control dimensional preciso, asegurando un espesor uniforme y una planitud en toda la superficie,facilitar procesos de fabricación de dispositivos con precisión.

  5. Especificaciones personalizables: Ofrecemos una gama de especificaciones personalizables para nuestras obleas de Si, incluyendo concentración de dopaje, resistividad y orientación,para satisfacer los requisitos específicos de diversas aplicaciones de semiconductores.

  6. Alta estabilidad térmica: La oblea demuestra una alta estabilidad térmica, lo que permite un funcionamiento confiable en un amplio rango de temperaturas sin comprometer el rendimiento del dispositivo.

  7. Excelentes propiedades eléctricas: Nuestra oblea de Si exhibe excelentes propiedades eléctricas, incluyendo alta movilidad del portador, bajas corrientes de fuga y conductividad eléctrica uniforme,esencial para optimizar el rendimiento y la eficiencia del dispositivo.

  8. Compatibilidad con procesos de semiconductores: la oblea es compatible con varias técnicas de procesamiento de semiconductores, incluida la epitaxia, la litografía y el grabado,permitir una integración perfecta en los flujos de trabajo de fabricación existentes.

  9. Confiabilidad y longevidad: diseñado para la fiabilidad a largo plazo,Nuestra oblea de Si se somete a estrictas medidas de control de calidad para garantizar un rendimiento y una durabilidad constantes durante toda su vida útil.

  10. Amigable al medio ambiente: Nuestra obletilla de Si es amigable con el medio ambiente, presentando riesgos mínimos para la salud y el medio ambiente durante la fabricación y el funcionamiento,alinearse con las prácticas de fabricación sostenibles.

  11. Especificaciones de las obleas de silicio
    Punto de trabajo Unidad Especificación
    Grado - ¿Qué quieres decir? Primero
    Cristalidad - ¿Qué quieres decir? Las demás partidas
    Diámetro pulgadas 2 pulgadas o 3 pulgadas o 4 pulgadas o 6 pulgadas o 8 pulgadas
    Diámetro En el caso de los 50.8±0.3 o 76.2±0.3 o 100±0.5 o 154±0.5 o 200±0.5
    Método de crecimiento   CZ / FZ
    Agentes de superación   El bor / el fósforo
    El tipo Tipo P / N  
    El grosor Mm 180 ¢ 1000±10 o según sea necesario
    Orientación   El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
    Resistencia O-cm Según sea necesario
    Pulido   con una superficie superior o igual a 0,6 m2
    SiO2capa (crecida por oxidación térmica) / Si3No4Capa (crecida por el LPCVD)   espesor de la capa según sea necesario
    Envasado   Según las necesidades

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Orientación de la obleadura de silicio CZ111 Resistividad: 1-10 (ohm.cm) de un solo lado o de doble lado ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.