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Substrato sin impurificar semi aislador de la oblea del arseniuro de galio para el LED que enciende 2inch 3inch 4inch
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El FE del Si dopó la oblea sin impurificar del nitruro del galio exhibición de la proyección del laser de 2 PULGADAS
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2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic
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4 plantilla de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN de la pulgada
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8 pulgadas AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For LED micro
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2 oblea del nitruro del galio de la pulgada DSP SSP plantillas epitaxiales de AXIS del zafiro de un GaN de los substratos
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GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación
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Oblea sin impurificar del arseniuro de galio de 2INCH 3INCH 4Inch semi que aísla el substrato del GaAs para el LED
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III - Nitruro oblea derecha libre de GaN de 2 PULGADAS para el dispositivo de poder de la exhibición de la proyección del laser
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Tipo de la oblea N del diámetro 200m m AlGaN Si Epi para el LED micro 6 pulgadas
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2" de N oblea LD/LED del GaAs DSP/SSP del arseniuro de galio del dopante del Si del substrato del semiconductor semi
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Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT
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El tipo substrato Si de 4 pulgadas N del semiconductor de 15° dopó la oblea SSP del GaAs
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6 pulgadas 350um 0.5mmt Sapphire Carrier Substrate Wafer SSP DSP
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Tipo de InAs Wafer Crystal Substrates N para MBE 99,9999% monocristalino
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