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Substrato de GaSb del antimoniuro de galio, monocristal del solo cristal para el semiconductor
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | zmkj |
| Número de modelo: | GASb |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 3pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 1000 grados |
| Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T / T, Western Union |
| Capacidad de la fuente: | 500pcs |
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Información detallada |
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| Materiales: | Substrato de GaSb del antimoniuro de galio | Método del crecimiento: | VFG |
|---|---|---|---|
| Tamaño: | 2-4inch | Espesor: | 300-800um |
| Aplicación: | III-V dirigen el material del semiconductor del bandgap | superficie: | ssp/dsp |
| Paquete: | sola caja de la oblea | ||
| Alta luz: | substrato del gasb,oblea de semiconductor |
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Descripción de producto
monocristal del solo cristal del substrato de GaSb del antimoniuro de galio 2-4inch para el semiconductor
El antimoniuro de galio (GaSb) es un material directo muy importante del semiconductor del bandgap de III-V. Es un material dominante para los órdenes de los detectores infrarrojos de la medio-largo-onda sin enfriar del superretículo de la clase II y del avión focal; los detectores infrarrojos de la medio-largo-onda sin enfriar tiene las ventajas de la larga vida, del peso ligero, de la alta sensibilidad y de la alta confiabilidad. El producto es ampliamente utilizado en los lasers infrarrojos, los detectores infrarrojos, los sensores infrarrojos y las células termofotovoltáicas.
Los métodos principales del crecimiento de materiales del solo cristal de GaSb incluyen la tecnología líquido-sellada tradicional del recto-dibujo (LEC), calefacción móvil/tecnología vertical de la solidificación de la pendiente (VGF) /vertical Bridgman.
| 2-4inch o modificado para requisitos particulares | |||||||
| especificación | |||||||
| solo cristal | droga | tipo |
Concentración de portador del ion cm-3 |
tarifa de la movilidad (cm2s/V.s) |
MPD (cm2s) | TAMAÑO | |
| GaSb | no | I | (1-2) *1017 | 600-700 | <1> |
Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm |
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| GaSb | Zn | P | (5-100) *1017 | 200-500 |
<1>
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Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm |
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| GaSb | Te | N | (1-20) *1017 | 2000-3500 | <1> |
Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm |
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| TAMAÑO (milímetros) | Se modifique para requisitos particulares Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5m m, 10×5×0.5mmCan | ||||||
| Ra | Aspereza superficial (Ra):<> | ||||||
| pulimento | lado simple o doble pulido | ||||||
| paquete |
grado 100 que limpia la caja plástica bajo sitio de limpieza de 1000 grados |
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---FAQ –
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
A: el zmkj es una empresa comercial pero tiene un fabricante del zafiro
como proveedor de las obleas de los materiales del semiconductor para un palmo ancho de usos.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
A: Es generalmente 5-10 días si las mercancías están en existencia. o es 15-20 días si no son las mercancías
en existencia, está según cantidad.