El tipo de 6 pulgadas N pulió la oblea del óxido de silicio de la oblea de silicio DSP SiO2

Descripción de producto

el N-tipo de 6inch 8inch 2inch 1inch FZ CZ pulió la oblea del óxido de silicio de las obleas de la oblea de silicio DSP SiO2

Obleas solas y doble-pulidas de silicio de la pulgada de gran pureza pulida 1-12 de la oblea (11N) de Czochralski
Tamaños 1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" y obleas especiales del tamaño y de la especificación
Solo disco de pulido superficial, disco de pulido doble, disco abrasivo, disco de la corrosión, cortando el disco
Orientación cristalina <100> <111> <110> <211> <511> y obleas de silicio con diversos apagado-ángulos
Grueso 100um 200um 300um 400um 500um 1m m 5m m y otros gruesos, tolerancia +-10um del grueso,

Tipo< 10um="" or="" according="" to="" customer="" requirements=""> N-tipo, P-tipo, undope (resistencia intrínseco alta) de la conductividad de TTV
Solo método cristalino Czochralski (CZ), fusión de zona (FZ), NTD (foto media)
El Re-doping de la resistencia puede alcanzar <0>

lo intrínseco de la fusión de zona: > 1000 ohm.cm, >3000 ohm.cm, >5000 ohm.cm, >8000 ohm.cm, >10000 ohm.cm
TIR de la llanura de los parámetros de proceso: ≤3μm, alabeo TTV: ≤10μm,
Arco/Warp≤40μm, roughness≤0.5nm, tamaño de partícula <> 0.3μ)
Papel de aluminio Ultra-limpio del método que embala que empaqueta al vacío 10 pedazos, 25 pedazos
El proceso del arreglo para requisitos particulares el tiempo de procesamiento del modelo, de la orientación cristalina, del grueso, de la resistencia, del etc. es levemente diferente según diversos especificaciones y parámetros.
Introducción del uso se utiliza para los portadores tales como procesos, capas de la muestra de la radiación de sincrotrón de PVD/CVD como substratos, muestras del crecimiento de la farfulla del magnetrón, XRD, SEM,
Fuerza atómica, espectroscopia infrarroja, espectroscopia y otros substratos de la prueba del análisis, substratos del crecimiento de la epitaxia de haz molecular, análisis de la fluorescencia de radiografía de semiconductores cristalinos

ZMSH es fábrica de la fuerza del semiconductor, especial para la prueba del equipo de laboratorio de investigación científica, las obleas pulidas 2-3-4-5-6-8 pulgadas del óxido de silicio, solas obleas revestidas cristalinas de gran pureza del substrato de la investigación científica del microscopio electrónico del silicio

Consulte por favor al dueño antes de poner una orden para las especificaciones específicas, y no dude en hacer por favor cualquier pregunta acerca de las obleas de silicio.

Todos los laboratorios de investigación científica y compañías del semiconductor son agradables ordenar, y los pedidos del OEM pueden ser recibidos, y las obleas de silicio pueden ser importadas.

Declaración especial: ¡Todas las obleas de silicio de nuestra compañía se procesan del solo silicio cristalino extraído de la polisilicona nativa, obleas de silicio recicladas no baratas o utilizaron las obleas de silicio repulidas! La cita incluye una factura del IVA del 16%.

Nuestra lista del inventario para las obleas de silicio (grado de IC, método CZ del tirón)
 Sola oblea de silicio pulida lateral del tirón recto
grueso pulido de un sólo lado 500um de la oblea de Czochralski de 1 pulgada (25.4m m)
2 pulgadas (50.8m m) de Czochralski de grueso pulido de un sólo lado 280um de la oblea
3 pulgadas (76.2m m) de Czochralski de grueso pulido de un sólo lado 380um de la oblea
oblea de silicio pulida de un sólo lado del recto-tirón de 4 pulgadas (100m m) con un grueso de 500um
grueso pulido de un sólo lado 625um de la oblea de Czochralski de 5 pulgadas (125m m)
6 pulgadas (150m m) de Czochralski de grueso pulido de un sólo lado 675um de la oblea

Obleas de silicio pulidas de doble cara de Czochralski
grueso pulido de doble cara 500um de la oblea de Czochralski de 1 pulgada (25.4m m)
2 pulgadas (50.8m m) de Czochralski de grueso pulido de doble cara 280um de la oblea
3 pulgadas (76.2m m) de Czochralski de grueso pulido de doble cara 380um de la oblea

4 pulgadas (100m m) de Czochralski de grueso pulido de doble cara 500um de la oblea
5 pulgadas (125m m) de Czochralski de grueso pulido de doble cara 625um de la oblea
6 pulgadas (150m m) de Czochralski de grueso pulido de doble cara 675um de la oblea
de un sólo lado Recto-tirado pulió las obleas de silicio ultrafinas

grueso ultrafino pulido de un sólo lado 100um de la oblea de silicio del recto-tirón de 1 pulgada (25.4m m)
2 pulgadas (50.8m m) del recto-tirón de silicio de grueso ultrafino pulido solo-lado 100um de la oblea
3 pulgadas (76.2m m) del recto-tirón de silicio de grueso ultrafino pulido solo-lado 100um de la oblea
oblea de silicio ultrafina pulida de un sólo lado del recto-tirón de 4 pulgadas (100m m) con un grueso de 100um

Obleas de silicio ultrafinas pulidas de doble cara de Czochralski
grueso ultrafino pulido de doble cara 100um de la oblea de Czochralski de 1 pulgada (25.4m m)
2 pulgadas (50.8m m) de Czochralski de grueso ultrafino pulido de doble cara 100um de la oblea
3 pulgadas (76.2m m) de Czochralski de grueso ultrafino pulido de doble cara 100um de la oblea
4 pulgadas (100m m) de Czochralski de grueso ultrafino pulido de doble cara 100um de la oblea

Oblea de silicio (grado de IC, fusión de zona FZ)
Oblea de silicio pulida solo-lado de la fusión de zona
de 1 pulgada (25.4m m) fundió el grueso 500um de la oblea de silicio en área de pulido de un sólo lado
2 pulgadas (50.8m m) fundieron el grueso 280um de la oblea de silicio en área de pulido del solo-lado

3-inch (76.2m m) fundió el grueso 380um de la oblea de silicio en área de pulido del solo-lado
4 pulgadas (100m m) fundieron el grueso 500um de la oblea de silicio en área de pulido del solo-lado

Obleas de silicio pulidas de doble cara de la fusión de zona
1 pulgada (25.4m m) fundió el grueso 500um de la oblea de silicio en área de pulido de doble cara
2 pulgadas (50.8m m) fundieron el grueso 280um de la oblea de silicio en área de pulido de doble cara
3 pulgadas (76.2m m) fundieron el grueso 380um de la oblea de silicio en área de pulido de doble cara
4 pulgadas (100m m) fundieron el grueso 500um de la oblea de silicio en área de pulido de doble cara

Oblea de silicio ultrafina pulida solo-lado de la fusión de zona
(25.4m m) grueso ultrafino de pulido de un sólo lado de 1 pulgada 100um de la oblea de silicio de la fusión de zona
2 pulgadas (50.8m m) de zona de la fusión de silicio de grueso ultrafino de pulido de un sólo lado 100um de la oblea
3 pulgadas (76.2m m) de zona de la fusión de silicio de grueso ultrafino de pulido de un sólo lado 100um de la oblea
4 pulgadas (100m m) de zona de la fusión de silicio de grueso ultrafino de pulido de un sólo lado 100um de la oblea

Obleas de silicio ultrafinas pulidas de doble cara de la fusión de zona
área de pulido de doble cara de 1 pulgada (25.4m m) que derrite el grueso ultrafino 100um de la oblea de silicio
2 pulgadas (50.8m m) de área de pulido de doble cara que derrite el grueso ultrafino 100um de la oblea de silicio

3 pulgadas (76.2m m) de área de pulido de doble cara que derrite el grueso ultrafino 100um de la oblea de silicio
4 pulgadas (100m m) de área de pulido de doble cara que derrite el grueso ultrafino 100um de la oblea de silicio


Parámetros del producto. para las obleas de 8inch si
 Tamaño del producto. oblea de silicio pulida de un sólo lado 8-inch
métodos de producción.   Czochralski (CZ)
Diámetro y tolerancia milímetro 200±0.3m m
Modelo/dopando el tipo.  Tipo de N (fósforo, arsénico) tipo de P (el boro dopó)
orientación cristalina.<111><100><110>
  Resistencia. 0.001-50 (ohmio-cm) (diversas gamas de la resistencia se pueden modificar para requisitos particulares según requisitos de cliente)
TIR de la llanura.<3um>  Ra de la aspereza<0> que embala 25 pedazos del paquete 100 del sitio limpio del empaquetamiento al vacío llano de la doble-capa
 
Utilizado para los portadores de la muestra de la radiación de sincrotrón tales como procesos, capa de PVD/CVD como substrato, muestras del crecimiento de la farfulla del magnetrón, XRD, SEM, fuerza atómica, espectroscopia infrarroja, espectroscopia y otros substratos del análisis y de la prueba, substratos del crecimiento de la epitaxia de haz molecular, análisis de radiografía Crystal Semiconductor Lithography de la fluorescencia

La información el ordenar debe incluir:
1. resistencia
2. tamaño: 2", 3", 4", 5", otros tamaños puede ser modificado para requisitos particulares
3. grueso
4. pulido unilateral, pulido de doble cara, ningún pulido
5. grado: Grado mecánico, grado de la prueba, grado primero (película positiva)
6. tipo de la conductividad: Tipo de P, tipo de N
7. orientación cristalina
7. doping del tipo: boro-dopado, fósforo-dopado, arsénico-dopado, galio-dopado, antimonio-dopado, sin impurificar
8. TTV, ARQUEAN (el valor normal es <10um>